【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体照明及显示领域，尤其涉及一种发光结构、像素单元、以及显示装置。
技术介绍
1、虽然以micro-led为核心光源的全彩显示技术被誉为具备替代液晶显示电视的潜力，然而其发光光谱仍然较宽，显示色域仍无法满足显示新标准rec2020的要求。
2、由于激光器固有的窄光谱，高亮度，光束角小等特点，以激光器为核心的全彩显示技术具备优异的显示性能，在广色域显示领域占有重要地位。
3、虽然 ingan 基蓝光激光器性能取得一定突破，但是长波长激光器（如绿光和红光激光器等）由于有源层多量子阱ingan中in 组分的增加，gan和ingan之间的晶格失配增加，导致外延晶体质量急速下降；同时量子限域stark效应（qcse）亦显著增强，从而导致绿光和红光激光器性能很差，亟待开发出新技术大幅度提高其器件性能。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种能够提高器件性能的发光结构、像素单元、以及显示装置。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种发光结构，包括：垂直面发射激光器；覆盖于垂直面发射激光器的出光面的发光材料层，所述发光材料层被所述垂直面发射激光器出射的激光激发产生发射光；被所述发光材料层包裹的等离激元结构，所述等离激元结构做为激光谐振腔对被激发的发射光进行耦合增益。
3、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种像素单元，包括发光结构构成的阵列，所述阵列中至少包括两个上述的发光结构，所述发光结构分别产生第一波长和第
4、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种显示装置，包括多个上述的像素单元。
5、本专利技术可以将所述垂直面发射激光器设计为短波长的激光器，其发射波长小于所述包裹等离激元的发光材料层被激发所产生的发射光的波长以及其与等离激元耦合增益后的发射波长。即用短波激光器产生长波发射光，可以有效解决直接采用长波长多量子阱有源层的激光器所面临的晶体质量差而导致的激光芯片性能亟待提高的核心问题。并且上述机制产生的光谱的半峰宽比micro-led光谱半峰宽窄，亮度高，同时具有极强的指向性（发光光束角小），因而大幅度提高全彩显示的显示色域，增加亮度。
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1.一种发光结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器发射的激光波长小于所述发光材料层被激发产生的发射光，并小于等离激元耦合增益后的增益光的波长。
3.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于，发光材料层被激发产生的发射光的波长与等离激元耦合增益后的增益光的波长相等。
4.根据权利要求3所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器发射的激光为蓝光，所述发光材料层产生的发射光为红光或绿光。
5.根据权利要求3所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器发射的激光为紫外光，所述发光材料层产生的发射光为蓝光、红光或绿光。
6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器包括覆盖垂直面发射激光器的顶层半导体层表面上电极，所述发光材料层设置于由上电极构成的凹陷结构内。
7.一种像素单元，包括发光结构构成的阵列，其特征在于，所述阵列中至少包括两个权利要求1所述的发光结构，所述发光结构的等离激元分别产生第一波长和第二波长的增益光。
8.
9.根据权利要求7所述的像素单元，其特征在于，所述多个垂直面发射激光器发射的激光为紫外光，所述阵列中包括的发光结构的等离激元分别产生第一波长、第二波长、和第三波长的增益光，所述第一波长的增益光为红光，第二波长的增益光为绿光、所述第三波长的增益光为蓝光。
10.一种显示装置，包括权利要求7所述的像素单元。
...【技术特征摘要】
1.一种发光结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器发射的激光波长小于所述发光材料层被激发产生的发射光，并小于等离激元耦合增益后的增益光的波长。
3.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于，发光材料层被激发产生的发射光的波长与等离激元耦合增益后的增益光的波长相等。
4.根据权利要求3所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器发射的激光为蓝光，所述发光材料层产生的发射光为红光或绿光。
5.根据权利要求3所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器发射的激光为紫外光，所述发光材料层产生的发射光为蓝光、红光或绿光。
6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述垂直面发射激光器包括覆盖垂直面发射激光器...
【专利技术属性】
技术研发人员：毕文刚，张明庆，
申请(专利权)人：量晶显示浙江科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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