System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 覆盖可见光和红外光的探测器芯片及其制备方法技术_技高网

覆盖可见光和红外光的探测器芯片及其制备方法技术

技术编号:41112856 阅读:18 留言:0更新日期:2024-04-25 14:04
一种覆盖可见光和红外光的探测器芯片的制备方法,包括:在晶圆的第一区域形成CMOS图像传感器的多个可见光像素单元和电路层;在晶圆的第一区域的上方形成多个红外光探测像素单元,多个红外光探测像素单元与CMOS图像传感器的电路层电连接;以及在晶圆的第一区域的上方形成CMOS图像传感器的多个滤光片和多个微透镜,用于将入射光递送至多个可见光像素单元。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光学,特别是涉及一种覆盖可见光和红外光的探测器芯片及其制备方法


技术介绍

1、光电探测器在许多领域均有广泛的应用。近年来,cmos图像传感器(cis)技术取得了显著的进步。cis能够将光信号转换成电子信号,并通过读出电路转换为数字信号。目前,cis技术主要用于探测可见光波段。

2、红外探测是以红外成像为核心的一项技术,它通过把红外辐射转换成其它可测量物理信号,并对该物理信号做相应的模拟或数字信号处理,从而得到可供人类视觉分辨的图像。目前,mems(micro electromechanical system,又称为微机电系统)非制冷红外探测器无需制冷装置,能够在室温状态下工作,具有启动快、功耗低、体积小、重量轻、寿命长、成本低等诸多优点,已经广泛应用于工业和生活等多个领域。

3、在相关技术中,cis可见光传感器与mems非制冷红外探测器分立使用且光学系统不能共用。目前对于集成两种系统的研究还有进一步提高的空间。


技术实现思路

1、提供一种缓解、减轻或者甚至消除上述问题中的一个或多个的机制将是有利的。

2、根据本公开的一方面,提供了一种覆盖可见光和红外光的探测器芯片的制备方法,包括:在晶圆的第一区域形成cmos图像传感器的多个可见光像素单元和电路层;在晶圆的第一区域的上方形成多个红外光探测像素单元,多个红外光探测像素单元与cmos图像传感器的电路层电连接;以及在晶圆的第一区域的上方形成cmos图像传感器的多个滤光片和多个微透镜,用于将入射光递送至多个可见光像素单元。

3、根据本公开的另一方面,提供了一种一种覆盖可见光和红外光的探测器芯片,探测芯片利用如本公开所描述的制备方法进行制备。

4、根据在下文中所描述的实施例,本公开的这些和其它方面将是清楚明白的,并且将参考在下文中所描述的实施例而被阐明。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种覆盖可见光和红外光的探测器芯片的制备方法,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个红外光探测像素单元中的每一个红外光探测像素单元均包括牺牲层,所述方法进一步包括:

3.如权利要求1所述的方法,其中,所述电路层同时用于读出所述多个可见光像素单元产生的信号以及所述多个红外光探测像素单元产生的信号。

4.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个可见光像素单元与所述多个红外光探测像素单元在所述晶圆上交错排列。

5.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个可见光像素单元与所述多个红外光探测像素单元在所述晶圆的行方向或列方向上呈间隔排列。

6.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个可见光像素单元位于所述晶圆上的第二区域,并且所述多个红外光探测像素单元位于所述晶圆上的、不同于所述第二区域的第三区域。

7.如权利要求1所述的方法,其中,所述在晶圆上形成CMOS图像传感器的多个可见光像素单元和电路层包括:

8.如权利要求2所述的方法,其中,所述牺牲层包括多孔硅。

9.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其中,所述多个红外光探测像素单元是基于氧化钒VOx制备。

10.一种覆盖可见光和红外光的探测器芯片,所述探测芯片利用如权利要求1-9中任一项所述的方法制备。

...

【技术特征摘要】

1.一种覆盖可见光和红外光的探测器芯片的制备方法,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个红外光探测像素单元中的每一个红外光探测像素单元均包括牺牲层,所述方法进一步包括:

3.如权利要求1所述的方法,其中,所述电路层同时用于读出所述多个可见光像素单元产生的信号以及所述多个红外光探测像素单元产生的信号。

4.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个可见光像素单元与所述多个红外光探测像素单元在所述晶圆上交错排列。

5.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个可见光像素单元与所述多个红外光探测像素单元在所述晶圆的行方向或列方向上呈间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员:宁宁张栖瑜司静
申请(专利权)人:联合微电子中心有限责任公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1