【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所公开的实施例涉及电子装置及电子装置制造。更特定地说，本公开的实施例涉及包括多级位线的电子装置以及相关方法及系统。
技术介绍
1、电子装置(例如，半导体装置、存储器装置)设计者通常需要通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的间隔距离来增加电子装置内的特征(例如，组件)的集成度或密度。电子装置设计者还需要设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。减小特征的尺寸及间隔增加了对用于形成电子装置的方法的需求。一个解决方案是形成三维(3d)电子装置，例如3d nand装置，在所述三维(3d)电子装置中，存储器单元竖直地定位于衬底上。然而，随着存储器单元以更小的尺寸且更接近地在一起形成，相邻位线之间的电容增加。增加的位线-位线电容增加了电子装置的编程时间。当位线的节距减小时还观察到位线-位线电容的增加。然而，随着存储器单元的尺寸及间隔变小，持续减小位线的节距是不可能的。
技术实现思路
1、公开一种电子装置，且所述电子装置包括多级位线、柱接触件、层级1接触件及层级2接触件。所述多级位线包括第一位线及第二位线，其中所述第一位线及所述第二位线定位于不同层级处。所述柱接触件电连接到所述第一位线及所述第二位线，所述层级1接触件电连接到所述第一位线，且所述层级2接触件电连接到所述第二位线。所述第一位线中的每一位线邻近于所述层级1接触件而电连接到单一柱接触件，且所述第二位线中的每一位线邻近于所述层级2接触件而电连接到单一柱接触件。
2、公开另一种电子装置，且所述另一种电子装置包
3、公开一种形成电子装置的方法，且所述方法包括在第一介电材料中形成柱接触件，邻近于所述柱接触件形成第二介电材料，及穿过所述第二介电材料形成开口以暴露所述柱接触件。在所述开口中形成导电材料以形成层级1接触件。形成与所述层级1接触件电接触的层级1位线。低k介电材料形成于所述层级1位线上方。额外开口经形成穿过所述低k介电材料及所述第二介电材料以暴露额外柱接触件。在所述额外开口中形成导电材料以形成层级2接触件。形成与所述层级2接触件电接触的层级2位线。
4、公开一种系统。所述系统包括：处理器，其可操作地耦合到输入装置及输出装置；及电子装置，其可操作地耦合到所述处理器。电子装置包括多级位线，所述多级位线包括第一位线及第二位线。所述第一位线及所述第二位线定位于不同层级处，且所述第一位线及所述第二位线电连接到字线。层级1接触件电连接到所述第一位线且层级2接触件电连接到所述第二位线。柱接触件电连接到所述层级1接触件及所述层级2接触件。
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1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一位线中的所述位线彼此相等地间隔开。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二位线中的所述位线彼此相等地间隔开。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线彼此相等地间隔开。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一位线、所述第二位线、所述层级1接触件及所述层级2接触件的导电材料为相同材料。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一位线、所述第二位线、所述层级1接触件或所述层级2接触件中的一或多者的导电材料为相同导电材料。
7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述柱接触件显现交错配置。
8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一位线电连接到单一层级1接触件。
9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第二位线电连接到单一层级2接触件。
10.根据权利要求1到4中任一权利
11.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中侧向相邻第一位线通过气隙彼此间隔开。
12.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中侧向相邻第二位线通过气隙彼此间隔开。
13.一种电子装置，其包括：
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线在所述电子装置内在不同高度处延伸。
15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线的导电材料为相同导电材料。
16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线的导电材料是不同的。
17.根据权利要求13到16中任一权利要求所述的电子装置，其中所述层级1接触件的长度小于所述层级2接触件的长度。
18.根据权利要求13到16中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一位线的宽度与所述层级1接触件的宽度大体上相同。
19.根据权利要求13到16中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第二位线的宽度与所述层级2接触件的宽度大体上相同。
20.一种系统，其包括：
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述第一位线中的每一者电连接到柱接触件且所述第二位线中的每一者电连接到独立柱接触件。
22.根据权利要求20所述的系统，其中所述柱接触件的每一柱接触件电连接到单一第一位线或单一第二位线。
23.根据权利要求20到22中任一权利要求所述的系统，其中所述第一位线中的一或多者从另一第一位线侧向偏移。
24.一种形成电子装置的方法，其包括：
25.根据权利要求24所述的方法，其中在第一介电材料中形成柱接触件包括形成呈交错配置的所述柱接触件。
26.根据权利要求24所述的方法，其中形成穿过所述第二介电材料的开口以暴露所述柱接触件包括形成所述开口以暴露所述柱接触件的仅一部分。
27.根据权利要求24所述的方法，其中形成与所述层级1接触件电接触的层级1位线包括形成与单一层级1接触件电接触的所述层级1位线中的每一者。
28.根据权利要求24所述的方法，其中形成与所述层级1接触件电接触的层级1位线及形成与所述层级2接触件电接触的层级2位线包括形成彼此相等地间隔开的所述层级1位线及所述层级2位线。
29.根据权利要求24所述的方法，其中形成穿过所述低k介电材料及所述第二介电材料的额外开口以暴露额外柱接触件包括形成所述额外开口以暴露所述柱接触件的剩余部分。
30.根据权利要求24到29中任一权利要求所述的方法，其进一步包括去除所述层级2位线之间的一或多个介电材料以在相邻层级2位线之间形成气隙。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一位线中的所述位线彼此相等地间隔开。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二位线中的所述位线彼此相等地间隔开。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线彼此相等地间隔开。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一位线、所述第二位线、所述层级1接触件及所述层级2接触件的导电材料为相同材料。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一位线、所述第二位线、所述层级1接触件或所述层级2接触件中的一或多者的导电材料为相同导电材料。
7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述柱接触件显现交错配置。
8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一位线电连接到单一层级1接触件。
9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第二位线电连接到单一层级2接触件。
10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第二位线及所述层级2接触件显现大体上相同的宽度。
11.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中侧向相邻第一位线通过气隙彼此间隔开。
12.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的电子装置，其中侧向相邻第二位线通过气隙彼此间隔开。
13.一种电子装置，其包括：
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线在所述电子装置内在不同高度处延伸。
15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线的导电材料为相同导电材料。
16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一位线及所述第二位线的导电材料是不同的。
17.根据权利要求13到16中任一权利要求所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·N·贾殷，A·L·奥尔森，福住嘉晃，N·考希克，R·J·希尔，L·P·海内克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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