【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种集成电路(ic)装置，并且更具体地，涉及一种具有埋置字线的ic装置及制造该ic装置的方法。
技术介绍
1、随着ic元件集成度越来越高，导线的间距减小。需要一种技术来确保邻近的导电区之间可靠的电连接。
技术实现思路
1、本公开提供了一种集成电路(ic)装置，其具有能够确保具有由于尺寸缩小而减小的面积的装置区中的邻近的导电区之间的可靠的电连接的结构。
2、本公开提供了一种制造ic装置的方法，该ic装置具有能够确保具有根据尺寸缩小而减小的面积的装置区中的邻近的导电区之间的可靠的电连接的结构。
3、根据实施例的一方面，一种ic装置包括：衬底，其具有多个有源区；多条字线，其与多个有源区交叉地在第一水平方向上延伸；多条位线，其在垂直于第一水平方向的第二水平方向上在衬底上延伸；
4、多个导电竖直结构，其包括多个导电扩张焊盘和多个导电接触插塞，其中，多个导电扩张焊盘比多条位线更靠近衬底的底表面并且与多个有源区接触，并且多个导电接触插塞在竖直方向上延伸、并且连接至多条位线中的每一条之间的多个导电扩张焊盘；以及多个分隔栅栏，其将多个导电竖直结构彼此分离、在多条位线中的每一条之间、并且具有与多个导电竖直结构接触的线性延伸的侧壁。
5、根据实施例的另一方面，一种ic装置包括：衬底，其具有多个有源区；多条字线，其与多个有源区交叉地在第一水平方向上延伸；多个导电扩张焊盘，其在衬底上并且连接至多个有源区；多个焊盘隔离结构，其位于多个导电扩张焊盘之间；
6、根据实施例的另一方面，一种ic装置包括：衬底，其具有彼此间隔开的多个有源区；多条字线，其与多个有源区交叉地在第一水平方向上延伸；多个位线结构，其在衬底上在第一水平方向上彼此间隔开，并且包括多条位线和多个间隔件结构，其中，多条位线在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸，并且多个间隔件结构设置在多条位线的两个侧壁上；多个直接接触件，其将多个有源区连接至多条位线；多个焊盘隔离结构，其在第二水平方向上彼此间隔开且多个直接接触件介于多个焊盘隔离结构之间，其中多个焊盘隔离结构在衬底的下表面与多条位线结构之间；多个导电竖直结构，其包括多个导电扩张焊盘和多个导电接触插塞，其中，多个导电扩张焊盘在第一水平方向上彼此间隔开且多个焊盘隔离结构介于多个导电扩张焊盘之间，并且多个导电接触插塞与多个导电扩张焊盘接触并且在竖直方向上延伸；以及多个分隔栅栏，其在第二水平方向上布置、在多个导电竖直结构之间、并且具有邻近多个导电扩张焊盘与多个导电接触插塞之间的界面的线性延伸的侧表面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏的下表面比所述多个导电扩张焊盘的下表面更靠近所述衬底的底表面。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏中的每一个包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏中的每一个的中心轴线垂直于所述衬底。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘的下表面与所述衬底的上表面共面。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘中的每一个延伸穿过所述衬底的上表面。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏在所述竖直方向上与所述多条字线至少部分地重叠。
8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘包括金属、掺杂的多晶硅层和外延生长的硅层中的任一种或任何组合。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路装置，还包括在所述多个焊盘隔离结构与所
11.一种集成电路装置，包括：
12.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏中的每一个的中心轴线垂直于所述衬底。
13.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘的下表面与所述衬底的上表面共面。
14.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘的下表面位于第一竖直水平处，所述衬底的上表面位于比所述第一竖直水平高的第二竖直水平处，并且所述直接接触件的下表面位于比所述第一竖直水平低的第三竖直水平处。
15.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏在所述竖直方向上与所述多条字线至少部分地重叠。
16.根据权利要求11所述的集成电路装置，还包括在所述多个焊盘隔离结构与所述多条位线之间的层间绝缘层。
17.一种集成电路装置，包括：
18.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏的下表面比所述多个导电扩张焊盘的下表面更靠近所述衬底的下表面。
19.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏中的每一个包括：
20.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏中的每一个的中心轴线垂直于所述衬底。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏的下表面比所述多个导电扩张焊盘的下表面更靠近所述衬底的底表面。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏中的每一个包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏中的每一个的中心轴线垂直于所述衬底。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘的下表面与所述衬底的上表面共面。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘中的每一个延伸穿过所述衬底的上表面。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个分隔栅栏在所述竖直方向上与所述多条字线至少部分地重叠。
8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述多个导电扩张焊盘包括金属、掺杂的多晶硅层和外延生长的硅层中的任一种或任何组合。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路装置，还包括在所述多个焊盘隔离结构与所述多条位线之间的层间绝缘层。
11.一种集成电路装置，包括：
1...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。