【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种射频开关电路、芯片及其电子设备。
技术介绍
1、在无线或移动通信系统中，射频开关电路常被用做通道选择，在共用天线的情况下，可以实现无线信号接收和发射。随着5g移动网络的快速发展，特别是随着大规模mimo（multiple-input multiple-output，多输入-多输出）等系统的部署，使得通信系统中的射频设备变得越发复杂。多个标准集成在一个设备中的系统趋势，也进一步加大了对射频开关的性能要求和需求量。与此同时，随着譬如手机等设备运行所需的频段、功能和模式数量的不断增加，留给移动系统中天线的空间将不断缩小，进而恶化天线的效率，影响通讯设备的信号传输质量。因此，为了满足接收机在复杂环境下的灵敏度要求，保证更优的5g通信信号质量，就必须设计具有更高功率处理能力的射频开关电路。
2、射频开关电路的功率处理能力与其截止时的电容密切相关。射频开关电路中不同开关晶体管的寄生电容如果设计不适当，会造成不同开关晶体管之间具有不均衡的电压分布，进而会恶化射频开关电路整体的功率处理能力。
3、因此，有必要优化射频开关电路中的不同开关晶体管的寄生电容，以保证射频开关电路具有更高的功率处理能力。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种射频开关电路、芯片及其电子设备，以提高射频开关电路的功率处理能力。
2、为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术提供了一种射频开关电路，由n级开关晶体管单元串联组成，所述n级开关晶体管
3、每个所述开关晶体管的栅极分别与其对应的所述栅极偏置电阻连接，漏极和源极分别与其对应的所述通路电阻连接，体极分别与其对应的所述体极偏置电阻连接；各级所述开关晶体管单元中的所述栅极偏置电阻依次相互串联后，其末端与栅极偏置电压连接；各级所述开关晶体管单元中的所述体极偏置电阻依次相互串联后，其末端与体极偏置电压连接；
4、每个所述开关晶体管的栅极包括多个平行设置的横栅，每个所述开关晶体管单元组中的开关晶体管的相邻横栅之间的间距小于后一个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的相邻横栅之间的间距。
5、可选的，在所述的射频开关电路中，每个所述开关晶体管的版图结构均为插指状结构。
6、可选的，在所述的射频开关电路中，每个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的横栅至相邻的源极或者漏极的金属接触点之间的距离小于后一个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的横栅至相邻的源极或者漏极的金属接触点之间的距离。
7、可选的，在所述的射频开关电路中，每个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的相邻横栅之间的间距与后一个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的相邻横栅之间的间距差引入的电压差平衡该两个开关晶体管单元组中的开关晶体管由于非理想因素形成的电压差，所述非理想因素包括开关晶体管的栅极与源极之间的寄生电容、开关晶体管的栅极与漏极之间的寄生电容、开关晶体管的体极与漏极之间的寄生电容、开关晶体管的体极与源极之间的寄生电容以及开关晶体管的源极和漏极对地的寄生电容。
8、可选的，在所述的射频开关电路中，每级所述开关晶体管的源极与后一级所述开关晶体管单元中的开关晶体管的漏极连接，每级所述开关晶体管单元的输出端是该级开关晶体管单元中的开关晶体管的源极，每级所述开关晶体管单元的输入端是该级开关晶体管单元中的开关晶体管的漏极。
9、可选的，在所述的射频开关电路中，同一开关晶体管单元组中的所有开关晶体管的横栅的长度相同。
10、可选的，在所述的射频开关电路中，同一开关晶体管单元组中的所有开关晶体管的尺寸相同。
11、可选的，在所述的射频开关电路中，同一开关晶体管单元组中的所有开关晶体管的相邻横栅之间的间距相同。
12、为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术还提供了一种集成电路芯片，包括上述所述的射频开关电路。
13、为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术还提供了一种电子设备，包括上述所述的射频开关电路。
14、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
15、在本专利技术提供的射频开关电路中，将n级开关晶体管单元沿着射频电流方向分成l个开关晶体管单元组，每个开关晶体管单元组中的开关晶体管的相邻横栅之间的间距小于后一个开关晶体管单元组中的开关晶体管的相邻横栅之间的间距，使得不同开关晶体管单元组中的开关晶体管的寄生电容cds关系可以表示为：cdsg1>cdsg2>cdsg3>…> cdsgl，进而可以得出理想情况下的不同开关晶体管单元组中的开关晶体管的分压关系为：vdsg1<vdsg2<vdsg3<…< vdsgl。这种设计形成的分压关系正好可以平衡由于非理想因素导致的不同开关晶体管之间的电压分布不均匀问题，进而可以获得具有高功率处理能力的射频开关电路。
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1.一种射频开关电路，其特征在于，由n级开关晶体管单元串联组成，所述n级开关晶体管单元沿着射频电流方向分成L个开关晶体管单元组，且1<L≤n，每级所述开关晶体管单元包括开关晶体管、栅极偏置电阻、体极偏置电阻以及通路电阻，其中，
2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述开关晶体管的版图结构均为插指状结构。
3.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的横栅至相邻的源极或者漏极的金属接触点之间的距离小于后一个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的横栅至相邻的源极或者漏极的金属接触点之间的距离。
4.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的相邻横栅之间的间距与后一个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的相邻横栅之间的间距差引入的电压差将平衡每个所述开关晶体管单元组和后一个所述开关晶体管单元组中的开关晶体管由于非理想因素形成的电压差，所述非理想因素包括开关晶体管的栅极与源极之间的寄生电容、开关晶体管的栅极与漏极之间的寄生电容、开关晶体
5.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，每级所述开关晶体管的源极与后一级所述开关晶体管单元中的开关晶体管的漏极连接，每级所述开关晶体管单元的输出端是该级开关晶体管单元中的开关晶体管的源极，每级所述开关晶体管单元的输入端是该级开关晶体管单元中的开关晶体管的漏极。
6.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，同一开关晶体管单元组中的所有开关晶体管的单个横栅的长度相同。
7.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，同一开关晶体管单元组中的所有开关晶体管的尺寸相同。
8.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，同一开关晶体管单元组中的所有开关晶体管的相邻横栅之间的间距相同。
9.一种集成电路芯片，其特征在于，包括权利要求1～8中任意一项所述的射频开关电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～8中任意一项所述的射频开关电路。
...【技术特征摘要】
1.一种射频开关电路，其特征在于，由n级开关晶体管单元串联组成，所述n级开关晶体管单元沿着射频电流方向分成l个开关晶体管单元组，且1<l≤n，每级所述开关晶体管单元包括开关晶体管、栅极偏置电阻、体极偏置电阻以及通路电阻，其中，
2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述开关晶体管的版图结构均为插指状结构。
3.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的横栅至相邻的源极或者漏极的金属接触点之间的距离小于后一个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的横栅至相邻的源极或者漏极的金属接触点之间的距离。
4.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的相邻横栅之间的间距与后一个所述开关晶体管单元组中的所述开关晶体管的相邻横栅之间的间距差引入的电压差将平衡每个所述开关晶体管单元组和后一个所述开关晶体管单元组中的开关晶体管由于非理想因素形成的电压差，所述非理想因素包括开关晶体管的栅极与源极之间的寄生电容、开关晶体管的栅极与漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：李凤，李艳丽，
申请(专利权)人：上海唯捷创芯电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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