【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光通信，特别是涉及光调制器。
技术介绍
1、光调制系统一般由驱动器和调制器构成，行波电极调制器由于具有可得到较高消光比较易集成的特点而得到广泛应用，其工作原理为：驱动器经过键合引线连接到行波电极调制器，光波导放置于行波电极电场中，由驱动器输出高速数字信号，数字信号到达行波电极调制器，沿行波电极传播，光波在光波导中传播，行波电极中高速数字信号所带来的电场变化会使光波导的有效折射率发生变化，因此当高速数字信号在行波电极上传输时，高速数字信号的电场使光波导的折射率发生变化，从而使光载波的相位发生变化，使光载波携带上数字信号信息，光载波在后端的马赫曾德尔干涉仪中干涉，从而完成调制。
2、在调制过程中，由于硅基行波电极调制器需要较大的驱动电压，而较大的驱动电压会产生较大的电磁辐射，较大的电磁辐射会导致敏感元器件受到干扰，而且会同时导致调制器具有较大的电磁辐射，影响调制器的调制性能。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种光调制器，可有效地屏蔽光调制器与外界之间的电磁辐射干扰，进而提高光调制器的调制性能。
2、为了实现上述目的，本申请提供了一种光调制器，所述光调制器包括：
3、第一介质层；
4、第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层中设有波导结构和第一导电层；其中，所述波导结构通过过孔与所述第一导电层电性连接；所述第一导电层用于调节通过所述波导结构传输的光；
5、绝缘层，位于所述波导层上；>
6、第三介质层，位于所述绝缘层上，所述第三介质层中设有第二导电层，所述第二导电层通过过孔与所述第一导电层电性连接；
7、屏蔽结构，包括相互电性连接的第一屏蔽结构和第二屏蔽结构；其中，所述第一屏蔽结构位于所述第二介质层内，所述第二屏蔽结构位于所述绝缘层和所述第三介质层内，所述第一屏蔽结构与所述第二屏蔽结构围合形成笼体；其中，所述波导结构、所述第一导电层和所述第二导电层位于所述笼体内。
8、在其中一个实施例中，所述第二导电层通过过孔、各所述第一导电层与所述波导结构电性连接，各所述第一导电层沿所述绝缘层指向所述第一介质层的方向层叠设置。
9、在其中一个实施例中，其中一所述第二导电层邻近所述绝缘层，且通过过孔与所述第一导电层电性连接，各所述第二导电层沿所述第一介质层指向所述绝缘层的方向层叠设置。
10、在其中一个实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层的总层数范围在6至8层。
11、在其中一个实施例中，所述第一介质层为硅层或玻璃材料层。
12、在其中一个实施例中，所述第一介质层通过键合形成于所述第二介质层上。
13、在其中一个实施例中，所述第一屏蔽结构包括位于所述第二介质层内的第一金属层和第一支撑层；其中，所述第一金属层位于所述第一导电层上远离所述绝缘层一侧，所述第一支撑层位于所述第一导电层的两侧，所述第一金属层通过过孔与所述第一支撑层电性连接；
14、所述第二屏蔽结构包括位于所述第三介质层内的第二金属层和第二支撑层；其中，所述第二金属层位于所述第二导电层远离所述绝缘层一侧，所述第二支撑层位于所述第二导电层的两侧，所述第二金属层通过过孔与所述第二支撑层电性连接。
15、在其中一个实施例中，所述第一支撑层包括至少两个间隔设置的第一子支撑层，所述至少两个第一子支撑层位于所述第二介质层内，且所述至少两个第一子支撑层分别位于所述第二导电层两侧，所述第一导电层朝向所述绝缘层的正投影位于所述第一金属层朝向所述绝缘层的正投影内。
16、在其中一个实施例中，所述第二支撑层包括至少两个间隔设置的第二子支撑层，所述至少两个第二子支撑层位于所述第三介质层内，且所述至少两个第二子支撑层分别位于所述第一导电层两侧，所述第二导电层位于朝向所述绝缘层的正投影位于所述第二金属层朝向所述绝缘层的正投影内。
17、在其中一个实施例中，所述第一介质层通过键合形成于所述第二介质层上。
18、在其中一个实施例中，所述屏蔽结构开设有镂空结构，所述镂空结构的镂空尺寸小于所述光调制器传输的电磁波的1/4波长。
19、在其中一个实施例中，所述绝缘层和所述第三介质层为同一材质制成。
20、在其中一个实施例中，所述屏蔽结构与所述第一导电层、第二导电层绝缘分离。
21、上述光调制器，包括第一介质层、第二介质层、绝缘层、第三介质层和屏蔽结构，其中，第二介质层中的波导结构、第一导电层与第二介质层中的第二导电层构成光调制器，屏蔽结构包括电性连接的第一屏蔽结构和第二屏蔽结构，由于第一屏蔽结构和第二屏蔽结构围合形成的笼体包围了光调制器，因此，屏蔽结构能够将光调制器的电磁辐射限制在笼体内，也能将外界的电磁辐射限制在笼体外，既有效地屏蔽了光调制器的电磁辐射，又有效地降低了外界电磁辐射对光调制器的干扰，实现了光调制器与外界之间的电磁屏蔽，从而提高了光调制器的调制性能。此外，该屏蔽结构可以在光调制器结构的形成过程中同步沉积形成，不需要在光调制器制造完成之后增加额外的工艺流程，相较于相关技术中在制成光调制器之后再通过贴装打线等方式增加结构形成电磁屏蔽的方式，本实施例提供的方案工艺流程更少，且屏蔽效果更好。
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1.一种光调制器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第二导电层通过过孔、各所述第一导电层与所述波导结构电性连接，各所述第一导电层沿所述绝缘层指向所述第一介质层的方向层叠设置。
3.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，其中一所述第二导电层邻近所述绝缘层，且通过过孔与所述第一导电层电性连接，各所述第二导电层沿所述第一介质层指向所述绝缘层的方向层叠设置。
4.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的总层数范围在6至8层。
5.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一介质层为硅层或玻璃材料层。
6.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一介质层通过键合形成于所述第二介质层上。
7.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一屏蔽结构包括位于所述第二介质层内的第一金属层和第一支撑层；其中，所述第一金属层位于所述第一导电层远离所述绝缘层一侧，所述第一支撑层位于所述第一导电层的两侧，所述第一金属层通过过孔与所述第一支撑层电
8.根据权利要求7所述的光调制器，其特征在于，所述第一支撑层包括至少两个间隔设置的第一子支撑层，所述至少两个第一子支撑层位于所述第二介质层内，且所述至少两个第一子支撑层分别位于所述第一导电层两侧。
9.根据权利要求7所述的光调制器，其特征在于，所述第二支撑层包括至少两个间隔设置的第二子支撑层，所述至少两个第二子支撑层位于所述第三介质层内，且所述至少两个第二子支撑层分别位于所述第一导电层两侧。
10.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述屏蔽结构开设有镂空结构，所述镂空结构的镂空尺寸小于所述光调制器传输的电磁波的1/4波长。
11.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述绝缘层和所述第三介质层为同一材质制成。
12.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述屏蔽结构与所述第一导电层、第二导电层绝缘分离。
...【技术特征摘要】
1.一种光调制器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第二导电层通过过孔、各所述第一导电层与所述波导结构电性连接，各所述第一导电层沿所述绝缘层指向所述第一介质层的方向层叠设置。
3.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，其中一所述第二导电层邻近所述绝缘层，且通过过孔与所述第一导电层电性连接，各所述第二导电层沿所述第一介质层指向所述绝缘层的方向层叠设置。
4.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的总层数范围在6至8层。
5.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一介质层为硅层或玻璃材料层。
6.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一介质层通过键合形成于所述第二介质层上。
7.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一屏蔽结构包括位于所述第二介质层内的第一金属层和第一支撑层；其中，所述第一金属层位于所述第一导电层远离所述绝缘层一侧，所述第一支撑层位于所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫冬冬，李显尧，
申请(专利权)人：苏州旭创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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