一种L波段高功率宽带差相移环行器制造技术

一种L波段高功率宽带差相移环行器，高功率负载安装在折叠双T的上方，移相段的上、下方各有1块散热板，通过螺钉固定，高功率负载上方安装1台散热风机，移相段的侧面安装4台散热风机，通过螺钉固定，3dB电桥和折叠双T安装在移相段的两端，防尘板安装于上方散热板的上方，竖板安装于折叠双T的法兰盘，采用了压缩波导高度、对称加载铁氧体的技术方案，解决了L波段环行器体积过大的技术问题，利用铁氧体移相段的非互易特性，调整磁场方向，实现环行器的功能，具有缩小L波段环行器尺寸、保持器件良好性能的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电磁场和微波，具体涉及一种环行器结构技术。

技术介绍

1、波导四端口差相移环行器的插入损耗低、功率容量大、工作频带宽，广泛应用于雷达收发系统，在部分高平均功率、高脉冲功率的系统中，甚至是不可替代的部分。

2、随着雷达收发组件的设计、制造和工艺水平提高，雷达馈线系统的发展也趋向于宽频域、小型化、高集成化。波长导致l波段环行器的体积远大于同类型的s、c、x波段，因此l波段环行器的小型化设计，对雷达馈线系统的空间分布和系统级联有重要意义。

3、专利cn 1037307111 a提出了一种工作s波段的高功率差相移波导环行器，通过折叠双t、对称加载铁氧体的差相移段和3db裂缝电桥，实现环行器的功能。

技术实现思路

1、为了解决l波段环行器体积过大的技术问题，采用了压缩波导高度、对称加载铁氧体的技术方案，利用铁氧体移相段的非互易特性，调整磁场方向，实现环行器的功能，具有缩小l波段环行器尺寸、保持器件良好性能的技术效果。

2、环行器包括3db电桥、折叠双t、移相段。

3、3db电桥的腔体包括端口一p1、端口二p3、端口三p11、端口四p12，通过其腔体的压缩波导和耦合腔短缝中的匹配块，输出两路信号，幅值相同、相位相差90°。

4、折叠双t的腔体包括端口一p31、端口二p32、端口三p2、端口四p4，通过其腔体的过渡段和匹配块实现匹配，将功率等分。

5、移相段由两个波导腔并联组成，包括端口一p21、端口二p22、端口三p23、端口四p24，波导腔内对称加载8个同尺寸的陶瓷铁氧体，波导腔外的上、下面有8条深槽，内置磁钢，对应内部的陶瓷铁氧体，增大接触面，传递热量。

6、3db电桥的端口三p11、端口四p12分别与移相段的端口一p21、端口二p22通过法兰盘连接，移相段的端口三p23、端口四p24分别与折叠双t的端口一p31、端口二p32通过法兰盘连接。

7、环行器还包括高功率负载，由波导腔和碳化硅吸收体组成，端口p41与折叠双t的端口四p4连接，吸收多余的射频信号，转化为热量。

8、环行器还包括2块散热板，分别安装于移相段的上、下方，紧贴其波导腔的磁钢，吸收陶瓷铁氧体产生的热量。

9、环行器还包括数台散热风机，安装于高功率负载的上方和移相段的侧面，提高散热性，增强系统的稳定性，提高系统的功率容量。

10、环行器还包括防尘板，安装于上方散热板的上方。

11、环行器还包括竖板，安装于折叠双t外部，固定5台散热风机的供电线缆。

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【技术保护点】

1.一种L波段高功率宽带差相移环行器，其特征在于，包括：3dB电桥、折叠双T、移相段；3dB电桥的腔体包括端口一（P1）、端口二（P3）、端口三（P11）、端口四（P12），腔体有压缩波导和耦合腔短缝中的匹配块；折叠双T的腔体包括端口一（P31）、端口二（P32）、端口三（P2）、端口四（P4），腔体有过渡段和匹配块；移相段由两个波导腔并联组成，包括端口一（P21）、端口二（P22）、端口三（P23）、端口四（P24），波导腔内加载8个同尺寸的陶瓷铁氧体，波导腔外的上、下面有8条深槽，内置磁钢，对应内部的陶瓷铁氧体；3dB电桥的端口三（P11）、端口四（P12）分别与移相段的端口一（P21）、端口二（P22）连接，移相段的端口三（P23）、端口四（P24）分别与折叠双T的端口一（P31）、端口二（P32）连接。

2.根据权利要求1所述的L波段高功率宽带差相移环行器，其特征在于，还包括：高功率负载，由波导腔和碳化硅吸收体组成，端口（P41）与折叠双T的端口四（P4）连接。

3.根据权利要求1所述的L波段高功率宽带差相移环行器，其特征在于，还包括：2块散热板，分别安装于移相段的上、下方，紧贴其波导腔的磁钢。

4.根据权利要求1所述的L波段高功率宽带差相移环行器，其特征在于，还包括：数台散热风机，安装于高功率负载的上方和移相段的侧面。

5.根据权利要求1所述的L波段高功率宽带差相移环行器，其特征在于，还包括：防尘板，安装于上方散热板的上方。

6.根据权利要求1所述的L波段高功率宽带差相移环行器，其特征在于，还包括：竖板，安装于折叠双T的外部。

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【技术特征摘要】

1.一种l波段高功率宽带差相移环行器，其特征在于，包括：3db电桥、折叠双t、移相段；3db电桥的腔体包括端口一（p1）、端口二（p3）、端口三（p11）、端口四（p12），腔体有压缩波导和耦合腔短缝中的匹配块；折叠双t的腔体包括端口一（p31）、端口二（p32）、端口三（p2）、端口四（p4），腔体有过渡段和匹配块；移相段由两个波导腔并联组成，包括端口一（p21）、端口二（p22）、端口三（p23）、端口四（p24），波导腔内加载8个同尺寸的陶瓷铁氧体，波导腔外的上、下面有8条深槽，内置磁钢，对应内部的陶瓷铁氧体；3db电桥的端口三（p11）、端口四（p12）分别与移相段的端口一（p21）、端口二（p22）连接，移相段的端口三（p23）、端口四（p24）分别与折叠双t的端口一（p31）、端口二（p3...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄杰，许爱国，王冠培，
申请(专利权)人：南京国睿微波器件有限公司，
类型：新型
国别省市：