【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，具体的，涉及碳纳米管tft及其制作方法和显示装置。
技术介绍
1、在目前的碳纳米管tft的结构中，其钝化层结构难以长时间使得碳纳米管tft器件保持稳定性，且还存在较严重的迟滞问题。因此，关于碳纳米管tft的研究有待深入。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种碳纳米管tft，该碳纳米管tft的稳定性较佳，或其迟滞问题得到有效解决。
2、在本专利技术的一方面，本专利技术提供了一种碳纳米管tft。根据本专利技术的实施例，该碳纳米管tft包括：基板；碳纳米管层，所述碳纳米管层设置在所述基板的一侧；源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述碳纳米管层接触连接；有机钝化层，所述有机钝化层设置在所述碳纳米管层远离所述基板的一侧；无机钝化层，所述无机钝化层设置在所述有机钝化层远离所述碳纳米管层的表面上。由此，通过设置双层钝化层(有机钝化层和无机钝化层)，碳纳米管tft的迟滞问题得到有效地改善，同时碳纳米管tft器件的开态电流和开关比也没有受到无机钝化层的影响；而且，无机钝化层具有极佳的隔绝水和氧气的特性，故而无机钝化层的设置可以进一步阻止空气中的水汽和氧气吸附在碳纳米管tft器件表面，有效改善碳纳米管tft的迟滞问题，同时又由于在碳纳米管层的表面保留了一小部分的水汽和氧气等分子，有效抑制了碳纳米管tft出现n(n大于等于等2)支电流的现象，因此碳纳米管tft器件不会出现双极性，进而保障碳纳
3、根据本专利技术的实施例，所述源极和所述漏极位于所述基板和所述有机钝化层之间，且所述有机钝化层覆盖所述碳纳米管层的表面以及所述源极和所述漏极的表面，或者，所述有机钝化层设置在所述碳纳米管层远离所述基板的一侧，且具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均暴露出所述碳纳米管层的部分表面，所述源极和所述漏极分别通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述碳纳米管层接触连接。
4、根据本专利技术的实施例，所述有机钝化层的厚度为10纳米～2微米。
5、根据本专利技术的实施例，所述有机钝化层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、特氟龙、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚丙烯酰胺和羧甲基纤维素钠中的至少之一。
6、根据本专利技术的实施例，所述有机钝化层的材料为所述聚甲基丙烯酸甲酯，厚度为150～250纳米，或者，所述有机钝化层的材料为所述特氟龙，厚度为50～150纳米。
7、根据本专利技术的实施例，所述无机钝化层的厚度为1纳米～2微米。
8、根据本专利技术的实施例，所述无机钝化层的氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钇和氧化铪中的至少之一。
9、根据本专利技术的实施例，所述无机钝化层的材料为所述氧化硅或所述氮化硅，厚度为50～150纳米。
10、根据本专利技术的实施例，所述基板包括：衬底；栅电极，所述栅电极设置在所述衬底靠近所述碳纳米管层的一侧；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述衬底靠近所述碳纳米管层的一侧，且覆盖所述栅电极，或者，所述基板包括：硅层；氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜设置在硅层靠近所述碳纳米管层的表面上。
11、在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种制作前面所述的碳纳米管tft的方法。根据本专利技术的实施例，制作前面所述的碳纳米管tft的方法包括：制作基板；在所述基板的一侧形成碳纳米管层；形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述碳纳米管层接触连接；在所述碳纳米管层远离所述基板的一侧形成有机钝化层；在所述有机钝化层远离所述有机钝化层的表面上形成无机钝化层。由此，在上述制作方法中，通过设置双层钝化层(有机钝化层和无机钝化层)，碳纳米管tft的迟滞问题得到有效地改善，同时碳纳米管tft器件的开态电流和开关比也没有受到无机钝化层的影响；而且，无机钝化层具有极佳的隔绝水和氧气的特性，故而无机钝化层的设置可以进一步阻止空气中的水汽和氧气吸附在碳纳米管tft器件表面，有效改善碳纳米管tft的迟滞问题，同时又由于在碳纳米管层的表面保留了一小部分的水汽和氧气等分子，有效抑制了碳纳米管tft出现n(n大于等于等2)支电流的现象，因此碳纳米管tft器件不会出现双极性，进而保障碳纳米管tft器件的良好控制能力；还有，无机钝化层设置在有机钝化层的外侧，既可以使得碳纳米管层与钝化层之间良好的接触性，又可以更好的阻隔空气中的水汽和氧气。
12、在本专利技术的有一方面，本专利技术提供了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括前面所述的碳纳米管tft。
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1.一种碳纳米管TFT，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳纳米管TFT，其特征在于，所述源极和所述漏极位于所述基板和所述有机钝化层之间，且所述有机钝化层覆盖所述碳纳米管层的表面以及所述源极和所述漏极的表面，
3.根据权利要求1所述的碳纳米管TFT，其特征在于，所述有机钝化层的厚度为10纳米～2微米。
4.根据权利要求3所述的碳纳米管TFT，其特征在于，所述有机钝化层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、特氟龙、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚丙烯酰胺和羧甲基纤维素钠中的至少之一。
5.根据权利要求4所述的碳纳米管TFT，其特征在于，所述有机钝化层的材料为所述聚甲基丙烯酸甲酯，厚度为150～250纳米，或者，所述有机钝化层的材料为所述特氟龙，厚度为50～150纳米。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管TFT，其特征在于，所述无机钝化层的厚度为1纳米～2微米。
7.根据权利要求6所述的碳纳米管TFT，其特征在于，所述无机钝化层的氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钇和氧化铪中的至少之一。
8.根据权利
9.根据权利要求1～7中任一项所述的碳纳米管TFT，其特征在于，所述基板包括：
10.一种制作权利要求1～9中任一项所述的碳纳米管TFT的方法，其特征在于，包括：
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～9中任一项所述的碳纳米管TFT。
...【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管tft，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳纳米管tft，其特征在于，所述源极和所述漏极位于所述基板和所述有机钝化层之间，且所述有机钝化层覆盖所述碳纳米管层的表面以及所述源极和所述漏极的表面，
3.根据权利要求1所述的碳纳米管tft，其特征在于，所述有机钝化层的厚度为10纳米～2微米。
4.根据权利要求3所述的碳纳米管tft，其特征在于，所述有机钝化层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、特氟龙、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚丙烯酰胺和羧甲基纤维素钠中的至少之一。
5.根据权利要求4所述的碳纳米管tft，其特征在于，所述有机钝化层的材料为所述聚甲基丙烯酸甲酯，厚度为150～250纳米，或者，所述有机钝化层的材料为...
【专利技术属性】
技术研发人员：段正，郭康，顾鹏飞，陈宏，张笑，李多辉，宋梦亚，张栋梁，孙永旗，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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