【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置。
技术介绍
1、薄膜晶体管液晶显示器是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术，其中薄膜晶体管作为像素的开关，控制着液晶的旋转而呈现不同的色彩。薄膜晶体管的制作是各层薄膜的沉积，主要包括栅金属、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源漏金属、钝化层和像素电极，其中欧姆接触层使得有源层与金属电极之间形成良好的欧姆接触，降低有源层与金属层之间的接触电阻，提高电子的传输速率，此外，欧姆接触层也起到空穴阻挡层的作用。在沉积有源层材料和第二金属层材料之后，可以采用一道半透膜光罩来蚀刻得到有源层以节约光罩制程。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置，解决薄膜晶体管制作工艺步骤多，工艺时间长且成本高的问题。
2、为实现本申请的目的，本申请提供了如下的技术方案：
3、第一方面，本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供复合层结构，所述复合层结构包括层叠的基板、第一金属层、金属绝缘层、半导体层和第二金属层，所述复合层结构包括暴露区和遮挡区；所述第二金属层的表面在所述遮挡区还覆盖有光阻层；使用第一蚀刻液刻蚀所述暴露区，以使所述暴露区的所述第二金属层和所述半导体层被去除；去除部分所述光阻层以使部分所述遮挡区外露；使用第二蚀刻液蚀刻所述遮挡区，以使所述遮挡区的所述第二金属层和部分所述半导体层被去除；其中，所述第一蚀刻液和所述第二蚀刻液均为含氟蚀刻液。
4、一种实施方式中，所
5、一种实施方式中，所述氟化物在所述含氟蚀刻液中的质量占浓度为3000ppm～5000ppm。
6、一种实施方式中，所述含氟蚀刻液包括酸液，所述酸液包括铝酸或铜酸中的至少一种。
7、一种实施方式中，所述第一蚀刻液和所述第二蚀刻液相同。
8、一种实施方式中，去除部分所述光阻层以使部分所述遮挡区外露，包括：向所述光阻层通入氧气，经高温烧退部分所述光阻层以使部分所述遮挡区外露。
9、一种实施方式中，所述光阻层包括第一光阻部和第二光阻部，所述第二光阻部在所述薄膜晶体管厚度方向的正投影位于所述遮挡区，去除所述第二光阻部以使所述遮挡区外露。
10、一种实施方式中，所述半导体层包括层叠的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层背向基板的一侧，所述第二半导体层的材料为掺杂的非晶硅；使用第二蚀刻液蚀刻所述遮挡区，以使所述遮挡区的所述第二半导体层和部分所述第一半导体层被去除。
11、第二方面，本申请还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用第一方面各项实施方式中的任一项所述的薄膜晶体管的制作方法形成。
12、第三方面，本申请还提供一种显示装置，包括显示装置和驱动电路，所述驱动电路用于驱动所述显示装置显示；所述显示装置中的阵列基板包括多个第二方面所述的薄膜晶体管。
13、本申请通过使用第一蚀刻液和第二蚀刻液对所提供的复合结构进行两步湿法刻蚀，可以制作得到薄膜晶体管；该制作方法中，省去了4mask工艺中两次干法蚀刻制程，采用含氟蚀刻液用两次湿法蚀刻制程实现了第二金属层和半导体层的刻蚀，不但能够缩短薄膜晶体管的制程时间并提升产能，通过减少干法蚀刻的方式还能够节约薄膜晶体管的制造成本。
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1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述含氟蚀刻液包括氟化物，所述氟化物包括氢氟酸、氟化铵、四氟化碳、氟化钠中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氟化物在所述含氟蚀刻液中的质量浓度为3000ppm～5000ppm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述含氟蚀刻液包括酸液，所述酸液包括铝酸或铜酸中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻液和所述第二蚀刻液相同。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，去除部分所述光阻层以使部分所述遮挡区外露，包括：向所述光阻层通入氧气，经高温烧退部分所述光阻层以使部分所述遮挡区外露。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光阻层包括第一光阻部和第二光阻部，所述第二光阻部在所述薄膜晶体管厚度方向的正投影位于所述遮挡区，去除所述第二光阻部以使所述遮挡区外露。p>
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体层包括层叠的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层背向基板的一侧，所述第二半导体层的材料为掺杂的非晶硅；使用第二蚀刻液蚀刻所述遮挡区，以使所述遮挡区的所述第二半导体层和部分所述第一半导体层被去除。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求1-8中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法形成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括显示装置和驱动电路，所述驱动电路用于驱动所述显示装置显示；所述显示装置中的阵列基板包括多个如权利要求9所述的薄膜晶体管。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述含氟蚀刻液包括氟化物，所述氟化物包括氢氟酸、氟化铵、四氟化碳、氟化钠中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氟化物在所述含氟蚀刻液中的质量浓度为3000ppm～5000ppm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述含氟蚀刻液包括酸液，所述酸液包括铝酸或铜酸中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻液和所述第二蚀刻液相同。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，去除部分所述光阻层以使部分所述遮挡区外露，包括：向所述光阻层通入氧气，经高温烧退部分所述光阻层以使部分所述遮挡区外露。
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