【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体芯片及其制备方法。
技术介绍
1、半导体芯片在现代电子
有着重要的应用，相应地对半导体芯片的保护也越来越重要。
2、然而，半导体芯片在使用中经常会面临高温、高湿或者高压等环境，这会严重影响半导体芯片的稳定性和可靠性。例如，gan半导体芯片在使用过程中，水汽可以透过芯片表面的保护层进入有源区，一旦水分子进入栅条周围，会造成腐蚀，导致芯片性能退化，甚至管芯直接烧毁。因此，为防止潮气入侵、离子沾污等因素的影响，半导体芯片表面通常会淀积一层一定厚度的介质层。但是，由于厚介质层产生的应力也比较大，易产生裂纹，从而影响芯片的耐潮气性能。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体芯片及其制备方法，以提高半导体芯片的稳定性和可靠性。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：
3、待保护结构；
4、第一介质层，所述第一介质层包覆所述半导体芯片的待保护结构，所述第一介质层用于钝化所述待保护结构的表面；
5、第二介质层，所述第二介质层包覆所述第一介质层，所述第二介质层为柔性介质层；
6、第三介质层，沿所述半导体芯片的厚度方向，所述第三介质层设置于所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧，所述第三介质层的刚度大于所述第二介质层的刚度。
7、可选地，所述第三介质层包覆所述第二介质层。
8、可选地，所述第三介质层远离所述第二介质层的表面形
9、可选地，所述多个凹槽组成网格状结构。
10、可选地，所述多个凹槽的宽度均相同，且所述凹槽的宽度小于相邻两个凹槽之间的距离。
11、可选地，所述半导体芯片还包括第四介质层，所述第四介质层包覆所述第二介质层；
12、所述第三介质层覆盖于所述第四介质层远离所述第二介质层的表面；
13、所述第四介质层远离所述第二介质层的表面为粗糙表面。
14、可选地，所述第一介质层的厚度大于所述第二介质层的厚度，所述第三介质层的厚度大于所述第一介质层的厚度。
15、可选地，所述第二介质层的材料为有机聚合物。
16、可选地，所述第一介质层的材料与所述第三介质层的材料相同。
17、根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体芯片的制备方法，用于制备上述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片的制备方法包括：
18、形成包覆所述待保护结构的第一介质层；
19、形成包覆所述第一介质层的第二介质层；
20、于所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧形成第三介质层。
21、本专利技术实施例的技术方案，采用的半导体芯片包括：待保护结构；第一介质层，第一介质层包覆半导体芯片的待保护结构，第一介质层用于钝化待保护结构的表面；第二介质层，第二介质层包覆第一介质层，第二介质层为柔性介质层；第三介质层，沿半导体芯片的厚度方向，第三介质层设置于第二介质层远离第一介质层的一侧，第三介质层的刚度大于第二介质层的刚度。通过设置三层介质层，既能够使得待保护结构的化学稳定性较高，又能够从物理层面保护待保护结构，同时三层介质层内的应力也较弱，不易出现裂纹，从而可以进一步保护待保护结构。
22、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第三介质层包覆所述第二介质层。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述第三介质层远离所述第二介质层的表面形成有多个凹槽。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述多个凹槽组成网格状结构。
5.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述多个凹槽的宽度均相同，且所述凹槽的宽度小于相邻两个凹槽之间的距离。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还包括第四介质层，所述第四介质层包覆所述第二介质层；
7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一介质层的厚度大于所述第二介质层的厚度，所述第三介质层的厚度大于所述第一介质层的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第二介质层的材料为有机聚合物。
9.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一介质层的材料与所述第三介质层的材料相同。
10.
...【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第三介质层包覆所述第二介质层。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述第三介质层远离所述第二介质层的表面形成有多个凹槽。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述多个凹槽组成网格状结构。
5.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述多个凹槽的宽度均相同，且所述凹槽的宽度小于相邻两个凹槽之间的距离。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵树峰，
申请(专利权)人：苏州捷芯威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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