【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及放大器电路，具体涉及一种温度补偿电路。
技术介绍
1、现有技术中，常用放大器的温度补偿方法主要有以下几种：1、运放控制电压补偿法：通过对输出端的信号进行采样和处理反馈到输入端，形成闭环反馈。该方法存在响应时间长、温度漂移大等缺陷。2、热敏电阻分压补偿法：利用热敏电阻分压进行补偿。该方法补偿范围小，精度低，参考电压改变时输出电压变化较大。3、片外偏置电路补偿法：在放大器片外设置偏置电路，基于场效应管、二极管的温度特性，使得偏置电路在不同温度输出不一样的偏置电压，控制场效应管的静态工作点、偏置电压等。但该方法不利于系统小型化。为了抑制高低温度差异带来的影响，目前所采用的温度补偿电路，面对响应时间长、补偿范围小的情况，未提出有效的解决方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种温度补偿电路，以克服目前温度补偿电路响应时间长、补偿范围小的技术问题。
2、为实现以上目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、依据本专利技术第一方面，提供一种温度补偿电路，所述温度补偿电路设置在放大器芯片上，所述温度补偿电路包括：场效应管t1、场效应管t2、二极管d1、二极管d2、电阻r1和电阻r2；
4、所述电阻r2的一端、所述场效应管t1的漏极和所述场效应管t2的漏极分别与电源电路连接，所述电阻r2的另一端与所述二极管d2连接，所述二极管d2的另一端接地；所述电阻r2和所述二极管d2形成串联分压，控制所述场效应管t2的栅极；
5、
6、所述场效应管t1的源极连接所述电阻r1，所述电阻r1的另一端接地；所述场效应管t1和所述电阻r1形成串联分压，输出控制电压vg。
7、可选地，所述温度补偿电路还包括二极管d3；
8、所述二极管d3设置于所述二极管d1和接地端之间。
9、可选地，所述电源电路包括电压源vcc。
10、可选地，所述场效应管t1和所述场效应管t2均采用fet管芯。
11、可选地，所述电阻r1和所述电阻r2均采用温度漂移系数恒定的电阻。
12、可选地，所述电阻r1取值为400~600欧姆。
13、可选地，所述电阻r2取值为500~1000欧姆。
14、可选地，所述二极管d2的导通电压随着温度的升高而降低，以使所述场效应管t2的栅极电压随着温度的升高而降低。
15、可选地，所述二极管d1和/或所述二极管d3的导通电压随着温度的升高而降低，所述场效应管t2的栅极电压随着温度的升高而降低，所述场效应管t2的电阻随着温度的升高而升高，以控制所述场效应管t1的栅极电压随着温度的升高而降低。
16、可选地，所述场效应管t1的栅极电压随着温度的升高而升高，所述场效应管t1的电阻随着温度的升高而降低，以控制所述控制电压vg随着温度升高而升高。
17、本专利技术提供的上述一个或多个技术方案，可以具有如下优点或至少实现了如下技术效果：
18、本专利技术提出的一种温度补偿电路，包括：场效应管t1、场效应管t2、二极管d1、二极管d2、电阻r1和电阻r2；所述电阻r2的一端、所述场效应管t1的漏极和所述场效应管t2的漏极分别与电源电路连接，所述电阻r2的另一端与所述二极管d2连接，所述二极管d2的另一端接地；所述电阻r2和所述二极管d2形成串联分压，控制所述场效应管t2的；所述场效应管t2的源极连接所述二极管d1，所述二极管d1的另一端接地；所述场效应管t2和所述二极管d1形成串联分压，控制所述场效应管t1的栅极；所述场效应管t1的源极连接所述电阻r1，所述电阻r1的另一端接地；所述场效应管t1和所述电阻r1形成串联分压，输出控制电压vg。本申请的技术方案，针对响应时间长、补偿范围小的场景，对电路做了重新设计和优化，能够保证电路在较短的响应时间内输出补偿范围广的控制电压，控制放大器的栅极偏置，实现放大器电路温度补偿的功能。
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1.一种温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路设置在放大器芯片上，所述温度补偿电路包括：场效应管T1、场效应管T2、二极管D1、二极管D2、电阻R1和电阻R2；
2.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路还包括二极管D3；
3.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电源电路包括电压源VCC。
4.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述场效应管T1和所述场效应管T2均采用FET管芯。
5.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电阻R1和所述电阻R2均采用温度漂移系数恒定的电阻。
6.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电阻R1取值为400~600欧姆。
7.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电阻R2取值为500~1000欧姆。
8.根据权利要求1~7任一项所述的温度补偿电路，其特征在于，所述二极管D2的导通电压随着温度的升高而降低，以使所述场效应管T2的栅极电压随着温度的升高而降低。
9.根据权
10.根据权利要求9所述的温度补偿电路，其特征在于，所述场效应管T1的栅极电压随着温度的升高而升高，所述场效应管T1的电阻随着温度的升高而降低，以控制所述控制电压VG随着温度升高而升高。
...【技术特征摘要】
1.一种温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路设置在放大器芯片上，所述温度补偿电路包括：场效应管t1、场效应管t2、二极管d1、二极管d2、电阻r1和电阻r2；
2.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路还包括二极管d3；
3.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电源电路包括电压源vcc。
4.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述场效应管t1和所述场效应管t2均采用fet管芯。
5.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电阻r1和所述电阻r2均采用温度漂移系数恒定的电阻。
6.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电阻r1取值为400~600欧姆。
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭齐，刘伟，
申请(专利权)人：成都天成电科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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