【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法，尤其是涉及一种包括延伸垫的半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,dram)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式闸极结构的dram单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的dram单元。一般来说，具备凹入式闸极结构的dram单元会包括一晶体管组件与一电荷存储器件，以接收来自位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术的缘故，现有具备凹入式闸极结构的dram单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器器件的效能及可靠度。
技术实现思路
1、本专利技术之一目的在于提供一种半导体器件，通过设置具有突出部的围堤结构，增加所述围堤结构的结构可靠性及稳定性，使得半导体器件可具有较为优化的组件并能达到优良的操作表现。
2、本专利技术之一目的在于提供一种半导体器件的制作方法，通过额外形成的阻挡图案定义出具有突出部的围堤结构。如此，半导体器件的制作方法有利于制作出组件可靠度较为优化的半导体器件并达到优良的操作表现。
3、为了实现上述目的，本专利技术的一个实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、延伸垫阵列以及围堤结构。所述延伸垫阵列设置在所述衬底上，包括多个延伸垫相互在第一方向与第二方向分
4、为了实现上述目的，本专利技术的一个实施例提供了另一种半导体器件，包括衬底、延伸垫阵列、围堤结构以及多个电容。所述延伸垫阵列设置在所述衬底上，包括多个延伸垫相互在第一方向与第二方向分隔排列。所述围堤结构设置在所述延伸垫阵列的外侧，包括多个突出部，各所述突出部具有v型凹部。所述电容分别设置在所述突出部的所述v型凹部上。
5、为了实现上述目的，本专利技术的一个实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤。提供衬底，在所述衬底上形成延伸垫阵列，包括多个延伸垫相互在第一方向与第二方向分隔排列。在所述延伸垫阵列的外侧形成围堤结构，包括多个第一突出部，以及与所述第一突出部相接触的多个第二突出部，其中，各所述第一突出部与各所述第二突出部相邻两侧面夹设一锐角，部分的所述延伸垫夹设于所述相邻两侧面之间。
6、整体来说，本专利技术的半导体器件是通过设置具有突出部的围堤结构，增加半导体器件的结构可靠性及稳定性，使得半导体器件能达到优良的操作表现。
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1.一种半导体器件，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第一突出部与各所述第二突出部还分别包括邻接所述相邻两侧面的第一侧面和第二侧面，各所述第一突出部的所述第一侧面的长度大于各所述第二突出部的所述第二侧面的长度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧面还包括一凹陷部。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述相邻两侧面中任一个的长度大于所述第二侧面的所述长度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第一突出部连接相邻的一个所述第二突出部，并与相邻的另一个所述第二突出部分隔。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，各所述第一突出部与所述另一个所述第二突出部分隔的距离小于所述相邻两侧面中任一个的长度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
8.一种半导体器件，其特征在于包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，各所述突出部包括相接触的第一突出部和第二突出部，所述
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出部分别包含在所述第一方向上延伸的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面的长度大于所述第二侧面的长度。
11.一种半导体器件的制作方法，其特征在于包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，各所述第一突出部与各所述第二突出部还分别包括邻接所述相邻两侧面的第一侧面和第二侧面，各所述第一突出部的所述第一侧面的长度大于各所述第二突出部的所述第二侧面的长度。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述延伸垫阵列及所述围堤结构还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，至少一所述第二掩模图案的一部分自所述阻挡图案暴露。
15.根据权利要求13所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，至少一所述第二掩模图案的一部分及至少一所述第一掩模图案的一部分同时自所述阻挡图案暴露。
16.根据权利要求13所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡图案包括锯齿状侧边。
17.根据权利要求13所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡图案包括在所述第一方向上分隔设置的多个次阻挡图案。
18.根据权利要求17所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，各个所述次阻挡图案完全覆盖至少一个所述第一掩模图案及至少一个所述第二掩模图案的侧面。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第一突出部与各所述第二突出部还分别包括邻接所述相邻两侧面的第一侧面和第二侧面，各所述第一突出部的所述第一侧面的长度大于各所述第二突出部的所述第二侧面的长度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧面还包括一凹陷部。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述相邻两侧面中任一个的长度大于所述第二侧面的所述长度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第一突出部连接相邻的一个所述第二突出部，并与相邻的另一个所述第二突出部分隔。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，各所述第一突出部与所述另一个所述第二突出部分隔的距离小于所述相邻两侧面中任一个的长度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
8.一种半导体器件，其特征在于包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，各所述突出部包括相接触的第一突出部和第二突出部，所述v型凹部位在所述第一突出部和所述第二突出部之间。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出部分别包含在所述第一方向上延伸的...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭博庚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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