【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体产品的制作方法及制作系统。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，光刻工艺是在半导体器件上留下图案的重要工艺。当晶圆的表面不平整时，会导致光刻曝光时晶圆的局部区域的焦点偏移，使得曝光图像出现局部散焦的异常现象。在生产制程中，当晶圆表面不平整且返工无效后，仍会进行后续工艺。晶圆进入后续工艺的过程中，散焦的异常图像会成为缺陷的洒出点，扩大异常图像的影响范围，导致产品良率降低。
2、目前，晶圆进入后续工艺的路径方向是随机的，导致产品良率损失不可控。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开提供了一种半导体产品的制作方法及制作系统。
3、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体产品的制作方法，所述半导体产品的制作方法包括：
4、获取晶圆上的异常位置；
5、获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离；
6、根据所述目标参考距离，控制所述晶圆旋转至目标位置，所述晶圆由所述目标位置沿所述目标参考距离定义的路径进入至预设制程环境中。
7、本公开的一些实施例中，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离，包括：
8、获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间的多个参考距离；
9、选择所述多个参考距离中满足预设条件的所述参考距离作为目标参考距离
10、本公开的一些实施例中，选择所述多个参考距离中满足预设条件的所述参考距离作为目标参考距离，包括：
11、选择所述多个参考距离中数值最小的所述参考距离作为所述目标参考距离。
12、本公开的一些实施例中，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间的多个参考距离，包括：
13、获得所述异常位置沿所述晶圆的切割道的延伸方向与所述晶圆的边缘之间的多个参考距离。
14、本公开的一些实施例中，所述切割道沿第一预设方向和第二预设方向延伸，所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直；所述第一预设方向包括第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向相反；所述第二预设方向包括第三方向和第四方向，所述第三方向与所述第四方向相反；
15、当所述异常位置的数量为多个时，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间的多个参考距离，包括：
16、获得每个所述异常位置分别沿所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向和所述第四方向与所述晶圆的边缘之间的第一距离、第二距离、第三距离和第四距离；
17、对多个所述异常位置的第一距离求和获得第一参考距离，对多个所述异常位置的第二距离求和获得第二参考距离，对多个所述异常位置的第三距离求和获得第三参考距离，对多个所述异常位置的第四距离求和获得第四参考距离。
18、本公开的一些实施例中，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离，包括：
19、以所述异常位置为圆心的圆与所述晶圆内切，切点与所述异常位置之间的距离值作为所述目标参考距离。
20、本公开的一些实施例中，获取晶圆上的异常位置，包括：
21、获取所述晶圆的平坦度数据；
22、基于所述平坦度数据，获取所述晶圆上异常位置。
23、本公开的一些实施例中，所述半导体产品的制作方法，还包括：
24、获取所述晶圆上的标记信息；
25、根据所述标记信息，将所述晶圆旋转至预设位置。
26、本公开的一些实施例中，根据所述目标参考距离，控制所述晶圆旋转至目标位置，包括：
27、获取所述晶圆进入至所述预设制程环境中的预设路径；
28、基于所述目标参考距离和所述预设路径，确定旋转角度；
29、控制所述晶圆由所述预设位置旋转至所述目标位置，以使所述目标参考距离定义的路径与所述预设路径平行。
30、本公开的一些实施例中，所述预设制程环境包括湿法清洗制程。
31、本公开的一些实施例中，所述半导体产品的制作方法，还包括：
32、所述晶圆由所述目标位置沿所述目标参考距离定义的路径，由所述晶圆的边缘浸入至所述湿法清洗制程的清洗机台中后，依旧沿所述目标参考距离定义的路径由所述晶圆的边缘从所述清洗机台中脱离。
33、根据本公开的第二方面，提供了一种半导体产品的制作系统，所述半导体产品的制作系统包括控制设备，所述控制设备包括：
34、获取模块，用于获取晶圆上的异常位置；
35、处理模块，用于获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离；
36、控制模块，用于根据所述目标参考距离，控制所述晶圆旋转至目标位置，并控制所述晶圆由所述目标位置沿所述目标参考距离定义的路径进入至预设制程环境中。
37、本公开的一些实施例中，所述半导体产品的制作系统还包括硅片分拣机，所述硅片分拣机与所述控制设备电连接，所述硅片分拣机用于带动所述晶圆旋转至所述目标位置和/或旋转至预设位置。
38、本公开的一些实施例中，所述半导体产品的制作系统还包括光刻机，所述光刻机与所述控制设备电连接，所述光刻机发送所述晶圆的平坦度数据至所述控制设备。
39、本公开的一些实施例中，所述半导体产品的制作系统还包括清洗机台，所述清洗机台用于执行湿法清洗制程。
40、本公开提供的半导体产品的制作方法及制作系统中，通过控制晶圆上的异常位置和晶圆的边缘的距离值满足预设条件，确定晶圆由目标位置进入预设制程环境的路径，使得晶圆在进入预设制程环境的过程中，降低异常位置对晶圆的其它裸片产生影响的范围，降低晶圆上的裸片的良率损失。
41、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体产品的制作方法，其特征在于，所述半导体产品的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，选择所述多个参考距离中满足预设条件的所述参考距离作为目标参考距离，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间的多个参考距离，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述切割道沿第一预设方向和第二预设方向延伸，所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直；所述第一预设方向包括第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向相反；所述第二预设方向包括第三方向和第四方向，所述第三方向与所述第四方向相反；
6.根据权利要求1所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离，包括：
7.根据权利要求1所述的半
8.根据权利要求1所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述半导体产品的制作方法，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，根据所述目标参考距离，控制所述晶圆旋转至目标位置，包括：
10.根据权利要求1所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述预设制程环境包括湿法清洗制程。
11.根据权利要求10所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述半导体产品的制作方法，还包括：
12.一种半导体产品的制作系统，其特征在于，所述半导体产品的制作系统包括控制设备，所述控制设备包括：
13.根据权利要求12所述的半导体产品的制作系统，其特征在于，所述半导体产品的制作系统还包括硅片分拣机，所述硅片分拣机与所述控制设备电连接，所述硅片分拣机用于带动所述晶圆旋转至所述目标位置和/或旋转至预设位置。
14.根据权利要求12所述的半导体产品的制作系统，其特征在于，所述半导体产品的制作系统还包括光刻机，所述光刻机与所述控制设备电连接，所述光刻机发送所述晶圆的平坦度数据至所述控制设备。
15.根据权利要求12所述的半导体产品的制作系统，其特征在于，所述半导体产品的制作系统还包括清洗机台，所述清洗机台用于执行湿法清洗制程。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体产品的制作方法，其特征在于，所述半导体产品的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，选择所述多个参考距离中满足预设条件的所述参考距离作为目标参考距离，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间的多个参考距离，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述切割道沿第一预设方向和第二预设方向延伸，所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直；所述第一预设方向包括第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向相反；所述第二预设方向包括第三方向和第四方向，所述第三方向与所述第四方向相反；
6.根据权利要求1所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，获得所述异常位置与所述晶圆的边缘之间满足预设条件的距离值，作为目标参考距离，包括：
7.根据权利要求1所述的半导体产品的制作方法，其特征在于，获取晶圆上的异常位置，包括：
8.根据权利要求1所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨凡毅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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