【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制作工艺的制作方法，特别是涉及一种半导体制作工艺中的绝缘间隙壁(spacer)结构的形成方法。
技术介绍
1、绝缘间隙壁结构广泛用于集成电路的制造过程中。这些间隙壁主要用于隔离两个导电图案(或元件)的绝缘结构，亦或者是在半导体制作工艺(例如，离子注入制作工艺或蚀刻制作工艺)中作为遮蔽元件。例如，在制作具有轻掺杂漏极(lightly doped drain，ldd)和/或源极的金属-氧化物半导体晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor，mosfet)制作工艺中，可以将间隔壁配置于多晶硅栅极的侧壁，用于将栅极与漏极/源极隔离，并且可以作为形成漏极/源极区的离子注入制作工艺的遮蔽元件。
2、通过间隙壁的遮蔽(对准)，可以间接地定义元件的本征尺寸，是集成电路制造过程中非常关键的部分，对元件特性有很大的影响。随着元件关键尺寸逐渐缩小，必须能够以非常可控和可重复的方式精准定义这些间隙壁的(宽度)尺寸，以便能够满足严格的产量和可靠度的要求。
3、虽然现有技术已采用先进制作工艺控制(advanced process control，apc)和/或先进设备控制(advanced equipment control，aec)技术，通过收集巨量的制作工艺数据、大量的数学和统计手法降低制作工艺变异等等方式，提高设备运作效率并改善元件(间隙壁)的良率和可靠度。
4、然而，先进制作工艺控制和/或是先进设备控制技术通常必须由多个工程系统
5、因此，有需要提供一种先进的间隙壁形成方法，来解决现有技术所面临的问题。
技术实现思路
1、本说明书的一实施例揭露一种间隙壁形成方法，包括下述步骤：首先提供一种蚀刻阻挡结构，此蚀刻阻挡结构包括覆盖于基材上的含氮化硅覆盖层。接着，进行蚀刻制作工艺，移除一部分含氮化硅覆盖层；之后，进行一个湿式处理，以一种含硫化物处理剂接触含氮化硅覆盖层的余留部分。
2、根据上述实施例，本说明书是在提供一种间隙壁形成方法，其系在半导体基材上形成一个包含有含氮化硅覆盖层的蚀刻阻挡结构，先以至少一次蚀刻制作工艺移除一部分蚀刻阻挡结构，以形成间隙壁的具体轮廓，之后再以含硫化物处理剂来对接触含氮化硅覆盖层的余留部分进行湿式处理。通过湿式处理中的硫酸来部分移除间隙壁中含氮化硅覆盖层的余留部分，并根据硫酸移除率与氮化硅覆盖层的余留部分的宽度尺的函数关系(例如，通过降低含硫化物处理剂中硫化物的浓度，或者控制硫化物的浓度，进一步控制含硫化物处理剂对含氮化硅覆盖层的余留部分的蚀刻率)，来调变间隙壁的宽度尺寸。可以通过较简化的制造程序和较低的制作工艺成本，达成精准控制间隙壁的(宽度)尺寸的专利技术目的。
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1.一种间隙壁(spacer)的形成方法，包括：
2.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该蚀刻制作工艺包括干式蚀刻。
3.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该基材包括:
4.如权利要求3所述的间隙壁的形成方法，其中该含氮化硅覆盖层包括:
5.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该含硫化物处理剂包括硫酸卡罗酸(过氧硫酸)或两者的组合。
6.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该含硫化物处理剂包括硫酸(sulfuricacid(H2SO4))、过氧化氢(hydrogen peroxide(H2O2))和水。
7.如权利要求6所述的间隙壁的形成方法，其中该含硫化物处理剂具有实质介于50wt％至95wt％的硫酸浓度。
8.如权利要求7所述的间隙壁的形成方法，其中该含氮化硅覆盖层的余留部分的宽度尺寸，是该硫酸浓度的函数。
9.如权利要求7所述的间隙壁的形成方法，其中该湿式处理，是采用先进制作工艺控制(Advanced Process Control，APC)和/或先进设备控制
10.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该蚀刻阻挡结构包括浅沟隔离结构(Shallow Trench Isolation，STI)。
...【技术特征摘要】
1.一种间隙壁(spacer)的形成方法，包括：
2.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该蚀刻制作工艺包括干式蚀刻。
3.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该基材包括:
4.如权利要求3所述的间隙壁的形成方法，其中该含氮化硅覆盖层包括:
5.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该含硫化物处理剂包括硫酸卡罗酸(过氧硫酸)或两者的组合。
6.如权利要求1所述的间隙壁的形成方法，其中该含硫化物处理剂包括硫酸(sulfuricacid(h2so4))、过氧化氢(hydrogen peroxide(h2o2))和水。
7.如权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：华子豪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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