【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工，特别是涉及一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备。
技术介绍
1、随着半导体制程要求的提升，沉积工艺在高性能独立器件与集成电路制造领域的重要性与日俱增。例如在经过外延工艺处理后，生产出的外延片需测量电阻率大小，而在进行电阻率测量前需在外延片表面沉积一层氧化层，根据国家标准gb14146-2021，生成氧化层的方法根据n型片与p型片进行区分，其中n型片采用双氧水水浴法，而p型片进行烘焙或利用臭氧进行处理。而目前采用上述二种方法的设备结构过于复杂，成本较高，不易实施。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备来方便的将半导体衬底放入反应腔或从反应腔取出。
2、一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，包括真空腔体，其用于提供半导体衬体的薄膜沉积加工空间；所述薄膜沉积设备还包括覆盖于所述真空腔体底部处的托板、位于所述真空腔体内的托架、用于带动所述托架旋转的旋转驱动装置、固定安装在所述托板上的连接框架、以及用于带动所述连接框架竖向移动的垂直驱动装置；
3、其中，所述托架延伸布设在所述托板中心位置处。
4、在其中一个实施例中，所述真空腔体底部开设有开口，其用于提供半导体衬体的拿放通道。
5、进一步地，所述薄膜沉积设备还包括支架，其用于支撑固定所述真空腔体。
6、在其中一个实施例中，所述托板包括密封盘和固定安装在所述密封盘盘底处的金属支撑板。
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8、进一步地，所述密封盘和金属支撑板之间贯通开设有配位腔，其提供所述托架架杆的装设定位。
9、在其中一个实施例中，所述托架上开设有多个托槽，其用于承托半导体衬体；多个托槽沿所述真空腔体的纵长轴线平行布设。
10、在其中一个实施例中，所述旋转驱动装置采用旋转电机，其输出端固定连接在所述托架架杆端部处；所述旋转电机的输出端与托板相垂直。
11、在其中一个实施例中，所述连接框架位于所述旋转驱动装置的下方，且旋转电机通过机架固定安装在所述连接框架上。
12、进一步地，所述垂直驱动装置采用直线电机，其输出端垂直固定安装在所述连接框架底部处。
13、与现有技术相比，本技术的有益效果是：具备旋转功能以带动托架围绕真空腔体的纵长轴线旋转，从而带动承载在托架上的半导体衬底在真空腔体内旋转以利于薄膜的生长，还具备升降调节功能以带动托板垂直移动，从而可方便的将半导体衬底放入反应腔或从反应腔取出，结构简单、易于实施。
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1.一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，包括真空腔体(1)，其用于提供半导体衬体的薄膜沉积加工空间；
2.根据权利要求1所述的一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，其特征在于，所述真空腔体(1)底部开设有开口，其用于提供半导体衬体的拿放通道。
3.根据权利要求2所述的一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括支架，其用于支撑固定所述真空腔体(1)。
4.根据权利要求1所述的一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，其特征在于，所述旋转驱动装置(5)采用旋转电机，其输出端固定连接在所述托架(3)架杆端部处；
5.根据权利要求1所述的一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，其特征在于，所述连接框架(6)位于所述旋转驱动装置(5)的下方，且旋转电机通过机架固定安装在所述连接框架(6)上。
6.根据权利要求5所述的一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，其特征在于，所述垂直驱动装置(7)采用直线电机，其输出端垂直固定安装在所述连接框架(6)底部处。
【技术特征摘要】
1.一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，包括真空腔体(1)，其用于提供半导体衬体的薄膜沉积加工空间；
2.根据权利要求1所述的一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，其特征在于，所述真空腔体(1)底部开设有开口，其用于提供半导体衬体的拿放通道。
3.根据权利要求2所述的一种具备升降与旋转功能的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括支架，其用于支撑固定所述真空腔体(1)。
4.根据权利要求1所述的一种具备升降与旋转功能的...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑国，杨正平，
申请(专利权)人：上海衍梓智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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