本发明专利技术涉及一种低频放大器功率合成技术装置，由功率放大器组、电容组及隔离变压器组组成，所述的功率放大器组由ＡＭＰ２、ＡＭＰ３…ＡＭＰｎ功率放大器构成；所述的隔离变压器组由Ｔ１、Ｔ２…Ｔｎ隔离变压器构成；所述的电容组由Ｃ１、Ｃ２…Ｃｎ电容构成；该功率放大器组与隔离变压器组间通过电容组相连，该隔离变压器组与输出阻抗变换器Ｒｘ相连，该功率放大器组与放大器ＡＭＰ１相连。本发明专利技术优点是：将各功率放大器独立输出，如某一路放大器出现异常，自动将这一路关闭，并在这一路的输出短路，放大器仍能正常工作，维修时只需将这一路换下，这样可减少同类型放大器的重复设计，节省了成本，实现了功率放大器的模块化设计，便于生产。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及放大器功率合成领域，主要是一种增大功率放大器输出功率的低频放 大器功率合成技术装置。
技术介绍
电子技术在近几十年里发展突飞猛进，越来越多的数字技术取代了模拟电子技 术，曾有人说模拟电子技术会退出电子技术的舞台。近几年，人们对模拟电子技术的认识越 来越多了，很多地方都无法离开它，尤其在对交流信号的功率放大上。这几年，国内的低频 放大器技术也日趋成熟，目前有三极管射极或场效应管源极并联推挽输出(0CL功率放大 器)，采用BTL放大电路来增大输出功率，提高放大器的效率、采用D类放大电路形式等。具体介绍目前常见的增大放大器输出功率的方法及装置，如图1所示，三极管射 极或场效应管源极并联推挽输出(0CL功率放大器)为了提高放大器的带负载能力，同时 增大放大器的输出功率，很多功率放大器通常在输出级采用三极管射极或场效应管源极并 联推挽输出。由于放大器是工作在甲乙类状态下，效率理想下能达到78. 5%，可以按照实际 需要来选择晶体管并联的数量。如图2所示，采用BTL放大电路来增大输出功率它是将负载接在两个相同的OCL 电路的输出端，故负载是浮地的，其中四只晶体管构成一桥式结构。若VCC = -VEE，则负载 上的信号电压的峰值为2 (VCC-VCES)，是OCL电路2倍，输出功率是OCL电路的4倍，效率与 OCL电路相当。提高放大器的效率，采用D类放大电路形式D类放大电路是近几年出现的新的放 大电路的，就是人们通常所说的数字功率放大电路。由于这种放大器采用开关形式，且效率 最高能达到90%以上，所以大大缩小了功率放大器的散热器体积，实现了功率放大器的小 型化。场效应管的开关频率有限，所以这种功率放大器一般在音频领域用的比较多。上述三种增大放大器输出功率的方法，广泛应用于大中小型音响设备，及医疗设 备中，在民用领域得到了良好的发挥。但在有的设备上(声纳)，需要的输入的功率会很大 (Kff级)，如果单单选择上述三种功率放大器似乎变的有点不妥，对电路的设计要求及高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述存在的不足，而提供一种各功率放大器独立输出、增 大功率放大器输出功率的低频放大器功率合成技术装置。本专利技术的目的是通过如下技术方案来完成的，它主要由功率放大器组、电容组及 隔离变压器组组成，所述的功率放大器组由AMP2、AMP3…AMPn功率放大器构成；所述的隔 离变压器组由Tl、T2…Tn隔离变压器构成；所述的电容组由Cl、C2…Cn电容构成，该功率 放大器组与隔离变压器组间通过电容组相连，该隔离变压器组与输出阻抗变换器相连，该 功率放大器组与放大器AMPl相连。作为优选，所述的放大器AMPl为用于设定放大器总的输入阻抗的一比一跟随电作为优选，所述的AMP2、AMP3…AMPn功率放大器与C1、C2…Cn电容——对应相连， 通过Cl、C2…Cn电容并与T1、T2…Tn隔离变压器——对应相连。作为优选，所述的隔离变压器组内的Τ1、Τ2…Tn隔离变压器的次级根据相位串联 起来，把功率放大器组内的ΑΜΡ2、ΑΜΡ3…AMPn通过隔离变压器组将其输出的功率合成输出ο本专利技术的优点是将各功率放大器独立输出，如某一路放大器出现异常，这自动将 这一路关闭，并在这一路的输出短路(电容Cl Cn之前)，放大器仍能正常工作，维修时只 需将这一路换下，这样可减少同类型放大器的重复设计，节省了成本，实现了功率放大器的 模块化设计便于生产，对一些需要现场快速维护的地方十分有利。附图说明图1是现有技术OCL放大电路示意图。图2是现有技术BTL放大电路示意图。图3是本专利技术的电极放大结构示意图。具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术做详细的介绍如图3所示，本专利技术解决这种大功率的合成问题，主要由功率放大器组、电容组及 隔离变压器组组成，所述的功率放大器组由ΑΜΡ2、ΑΜΡ3…AMPn功率放大器构成；所述的隔 离变压器组由Tl、Τ2…Tn隔离变压器构成；所述的电容组由Cl、C2…Cn电容构成，该功率 放大器组与隔离变压器组间通过电容组相连，该隔离变压器组与输出阻抗变换器相连，该 功率放大器组与放大器AMPl相连，该放大器AMPl为用于设定放大器总的输入阻抗的一比 一跟随电路。所述的ΑΜΡ2、ΑΜΡ3…AMPn功率放大器与C1、C2…Cn电容——对应相连，通过Cl、 C2…Cn电容并与Tl、T2…Tn隔离变压器一一对应相连。所述的隔离变压器组内的T1、T2…Tn隔离变压器的次级根据相位串联起来，把功 率放大器组内的ΑΜΡ2、ΑΜΡ3…AMPn通过隔离变压器组将其输出的功率合成输出。本专利技术的原理是将几个功率放大器(ΑΜΡ2 AMPn)输出分别接隔离变压器(Tl Tn)，将隔离变压器Tl Tn的次级根据相位串联起来，这样就把几个相同的功率放大器通 过隔离变压器组将功率合成输出。其中放大器AMPl是1比1跟随电路，设定放大器总的输 入阻抗。输出根据实际要求，再进行阻抗变换器Rx阻抗匹配。 除上述实施例外，本专利技术还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形 成的技术方案，均落在本专利技术要求的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低频放大器功率合成技术装置，由功率放大器组、电容组及隔离变压器组组成，其特征在于：所述的功率放大器组由ＡＭＰ２、ＡＭＰ３…ＡＭＰｎ功率放大器构成；所述的隔离变压器组由Ｔ１、Ｔ２…Ｔｎ隔离变压器构成；所述的电容组由Ｃ１、Ｃ２…Ｃｎ电容构成；该功率放大器组与隔离变压器组间通过电容组相连，该隔离变压器组与输出阻抗变换器Ｒｘ相连，该功率放大器组与放大器ＡＭＰ１相连。
【技术特征摘要】
一种低频放大器功率合成技术装置，由功率放大器组、电容组及隔离变压器组组成，其特征在于所述的功率放大器组由AMP2、AMP3…AMPn功率放大器构成；所述的隔离变压器组由T1、T2…Tn隔离变压器构成；所述的电容组由C1、C2…Cn电容构成；该功率放大器组与隔离变压器组间通过电容组相连，该隔离变压器组与输出阻抗变换器Rx相连，该功率放大器组与放大器AMP1相连。2.根据权利要求1所述的低频放大器功率合成技术装置，其特征在于所述的放大器 AMPl为用于设定放大器总...
【专利技术属性】
技术研发人员：王耀，丁昂，陈敏杰，张延松，黄荣，胡耀辉，
申请(专利权)人：王耀，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]
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