【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ldo电路领域，尤其涉及一种超宽工作电压范围的低压差nmos型ldo。
技术介绍
1、随着消费类电子产品的普及以及5g通信的发展，电源管理芯片在其系统中的作用日益显著。相比较于开关电源，ldo(低压差线性稳压器)具有低功耗、低压差、较好的纹波和电源抑制比等特性，适合应用于对纹波和噪声等比较敏感的应用场景，如adc(模数转换器)、dac(数模转换器)等。
2、根据功率管类型的不同，ldo可以分为nmosldo和pmos ldo。相比于pmosldo，nmosldo需要额外的电源轨进行供电，但是nmosldo具有更好的瞬态响应和调整率，同时由于其具有更低的导通电阻，能实现更高的效率。
3、在nmosldo中，通常需要采用额外的电荷泵电路。目前大多是采用单个电荷泵电路给内部所有模块进行供电，该结构不利于拓宽输入电压范围，否则若输入电压过高，则内部模块需大量使用高压器件，提高了芯片的器件成本。
技术实现思路
1、有鉴于此，为了解决现有nmos型ldo电路中采用单个电荷泵电路进行供电导致的工作电压范围窄的技术问题，本专利技术提出一种超宽工作电压范围的低压差nmos型ldo，包括第一检测模块、第一电荷泵、第二检测模块、第二电荷泵、基准电压源、误差放大器、功率管栅极驱动电路、功率管、外部反馈结构，其中：
2、所述第一检测模块与所述第一电荷泵连接，所述第一检测模块用于检测输入电压并控制所述第一电荷泵工作；
3、所述第二检测模块与所述第二
4、所述基准电压源、所述误差放大器、所述功率管栅极驱动电路和所述功率管依次连接，所述误差放大器还与所述外部反馈结构连接。
5、所述第一电荷泵为所述基准电压源和所述误差放大器供电；
6、所述第二电荷泵为所述功率管栅极驱动电路供电。
7、所述第一电荷泵响应于所述第一检测模块的控制信号，对所述输入电压进行抬升；
8、所述第二电荷泵响应于所述第二检测模块的控制信号，对所述第一电荷泵的输出电压进行抬升。
9、所述基准电压源为所述误差放大器提供参考电压；
10、所述误差放大器将所述外部反馈结构的反馈电压与所述参考电压进行比较处理，并输出误差放大信号；所述功率管栅极驱动电路根据所述输出误差放大信号输出驱动信号，控制所述功率管的栅极，调节ldo的输出。
11、在一些实施例中，所述第一电荷泵采用多级级联结构。
12、通过该优选步骤，能够实现多级增压，满足不同场景的需要。
13、在一些实施例中，所述第一电荷泵的单级结构包括第一电容、第二电容、第一mos管、第二mos管、第三mos管和第四mos管，其中：
14、所述第一电容的第一端、所述第一mos管的漏极、所述第二mos管的漏极、所述第三mos管的栅极和所述第四mos管的栅极相连；
15、所述第二电容的第一端、所述第一mos管的栅极、所述第二mos管的栅极、所述第三mos管的漏极和所述第四mos管的漏极相连；
16、所述第一mos管的源极与所述第三mos管的源极连接，所述第二mos管的源极与所述第四mos管的源极连接。
17、基于上述方案，本专利技术提供了一种超宽工作电压范围的低压差nmos型ldo，采用两个电荷泵分开给内部电路供电，可在拓宽输入电压范围的同时兼容更低的输入电压，减少高压器件的使用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，其特征在于，包括第一检测模块、第一电荷泵、第二检测模块、第二电荷泵、基准电压源、误差放大器、功率管栅极驱动电路、功率管、外部反馈结构，其中：
2.根据权利要求1所述一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，其特征在于，所述第一电荷泵采用多级级联结构。
3.根据权利要求2所述一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，其特征在于，所述第一电荷泵的单级结构包括第一电容、第二电容、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管，其中：
4.根据权利要求1所述一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，其特征在于：
5.根据权利要求1所述一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，其特征在于：
6.根据权利要求1所述一种超宽工作电压范围的低压差NMOS型LDO，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种超宽工作电压范围的低压差nmos型ldo，其特征在于，包括第一检测模块、第一电荷泵、第二检测模块、第二电荷泵、基准电压源、误差放大器、功率管栅极驱动电路、功率管、外部反馈结构，其中：
2.根据权利要求1所述一种超宽工作电压范围的低压差nmos型ldo，其特征在于，所述第一电荷泵采用多级级联结构。
3.根据权利要求2所述一种超宽工作电压范围的低压差nmos型ldo，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝磊，曾浩生，吴桐，陈伟冲，
申请(专利权)人：广州拓尔微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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