【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示设备技术，尤其涉及一种显示装置的制备方法及显示装置。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro led)显示技术是将发光二极管结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在100微米以下的超小型发光二极管，然后将超小型发光二极管转移至电路基板上，再进行电极制备、封装等工艺形成显示装置。
2、为了简化电极布局和电路基板的布线，通常会采用共电极方案，即同一行(列)或几行(列)的发光二极管的阳极或阴极连接在一起，并连接一个共用电极焊盘。每一发光二极管的另一电极分别设置一个对应的电极焊盘。
3、通常共用电极焊盘设置于像素区域外围，其他电极焊盘设置于像素区域内。为避免micro led显示装置中共用电极焊盘与其他电极焊盘之间短路，通常在共用电极焊盘与像素区域之间会留有一圈空旷区域不做图案及电极，该空旷区域环绕包裹像素区域且的宽度远大于像素间距宽度，导致该空旷区域的强度较低，在激光剥离衬底时该空旷区域容易发生断裂，造成显示装置失效。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种显示装置的制备方法及显示装置，其能够加强第一电极焊盘与发光区之间的空旷区域的强度，避免该空旷区域在剥离过程中发生断裂，提高显示装置的良率。
2、第一方面，本专利技术提供了一种显示装置的制备方法，包括：
3、制备发光二极管阵列基板，所述发光二极管阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上的第一半导体层、设置于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧的发光二极管阵列，所述发光二极
4、在所述发光二极管阵列基板上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘设置于所述非发光区内，且位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极焊盘设置于每一所述发光二极管远离所述第一半导体层的一侧；
5、在所述第一电极焊盘与所述发光区之间形成加强结构；
6、提供控制基板，并键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板；
7、剥离所述衬底，得到显示装置。
8、可选的，制备发光二极管阵列基板，包括：
9、在衬底上形成第一半导体层；
10、在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧形成发光层；
11、在所述发光层远离所述第一半导体层的一侧形成第二半导体层；
12、去除非发光区内的发光层和第二半导体层，以及去除发光区内的部分发光层和第二半导体层，在发光区内形成若干隔离槽，所述隔离槽将发光层和第二半导体层分割为多个彼此间隔的发光二极管，形成发光二极管阵列。
13、可选的，在所述发光二极管阵列基板上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：
14、在所述发光二极管阵列基板上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述非发光区，以及所述发光区内相邻的两个所述发光二极管之间的间隙、所述发光二极管的侧壁以及所述发光二极管远离所述第一半导体层的侧面；
15、对所述非发光区的钝化层和所述发光二极管远离所述第一半导体层的侧面的钝化层进行开窗，分别形成第一开窗和第二开窗；
16、在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘穿过所述第一开窗与所述第一半导体层电连接，所述第二电极焊盘穿过所述第二开窗与所述发光二极管远离所述第一半导体层的侧面电连接。
17、可选的，在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：
18、在所述第一开窗内形成第一电流扩展层，以及在所述第二开窗内形成第二电流扩展层；
19、在所述第一电流扩展层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘，在所述第二电流扩展层远离所述发光二极管的一侧形成第二电极焊盘。
20、可选的，在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘之后，还包括：
21、对所述第二电极焊盘进行研磨，使所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘远离所述第一半导体层的侧面处于同一平面。
22、可选的，在所述发光二极管阵列基板上形成钝化层之前，还包括：
23、对所述发光二极管的侧壁进行侧蚀，去除所述发光二极管侧壁的缺陷。
24、可选的，对所述发光二极管的侧壁进行侧蚀，包括：
25、将所述发光二极管阵列基板置于预设温度的naoh溶液中浸泡预设时长；
26、对浸泡后的所述发光二极管阵列基板进行清洗，并干燥。
27、可选的，键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板，包括：
28、在所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘上形成焊接层；
29、对所述加强结构或焊接层进行研磨，使所述加强结构和所述焊接层远离所述第一半导体层的侧面处于同一平面。
30、可选的，所述加强结构设置有至少一个缺口，键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板后，由所述缺口在键合后的复合体的侧壁形成注胶口，在键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板之后，还包括：
31、自所述注胶口向所述发光二极管之间的间隙中注入黑色胶体；
32、对所述黑色胶体进行固化。
33、第二方面，本专利技术还提供了另一种显示装置的制备方法，包括：
34、制备发光二极管阵列基板，所述发光二极管阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上的第一半导体层、设置于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧的发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括多个阵列排布的发光二极管，所述发光二极管阵列所在的区域为发光区，所述发光区以外的区域为非发光区，所述非发光区围绕所述发光区；
35、在所述发光二极管阵列基板上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘设置于所述非发光区内，且位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极焊盘设置于每一所述发光二极管远离所述第一半导体层的一侧；
36、提供控制基板，并键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板；
37、自键合后的复合体的侧壁注胶，在所述第一电极焊盘与所述发光区之间形成加强结构；
38、剥离所述衬底，得到显示装置。
39、第三方面，本专利技术还提供了一种显示装置，包括发光二极管阵列基板和控制基板；
40、所述发光二极管阵列基板包括第一半导体层、设置于所述第一半导体层上的发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括多个阵列排布的发光二极管，所述发光二极管阵列所在的区域为发光区，所述发光区以外的区域为非发光区，所述非发光区围绕所述发光区；
41、所述发光二极管阵列基板上设置有第一电极焊盘和第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘设置于所述非发光区内，且位于所述第一半导体层上设置有发光二极管的一侧，所述第二电极焊盘设置于每一所述发光二极管远离所述第一半导体层的一侧；
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1.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，制备发光二极管阵列基板，包括：
3.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述发光二极管阵列基板上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：
4.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：
5.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘之后，还包括：
6.根据权利要求3-5任一所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述发光二极管阵列基板上形成钝化层之前，还包括：
7.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，对所述发光二极管的侧壁进行侧蚀，包括：
8.根据权利要求1-5任一所述的显示装置的制备方法，其特征在于，键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板，包括：
9.根据权利要求1-5任一所述的显示装置
10.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
11.一种显示装置，其特征在于，包括发光二极管阵列基板和控制基板；
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述发光二极管阵列基板上还设置有钝化层，所述钝化层覆盖所述非发光区，以及所述发光区内相邻的两个所述发光二极管之间的间隙、所述发光二极管的侧壁以及所述发光二极管远离所述第一半导体层的侧面，且所述钝化层在所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘对应的位置分别设置有第一开窗和第二开窗，所述第一电极焊盘穿过所述第一开窗与所述第一半导体层电接触，所述第二电极焊盘穿过所述第二开窗与所述发光二极管电接触。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第一开窗内设置有第一电流扩展层，所述第二开窗内设置有第二电流扩展层，所述第一电极焊盘设置于所述第一电流扩展层远离所述第一半导体层的一侧，所述第二电极焊盘设置于所述第二电流扩展层远离所述发光二极管的一侧。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘远离所述第一半导体层的侧面处于同一平面。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述发光二极管之间的间隙中填充有黑色胶体。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，制备发光二极管阵列基板，包括：
3.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述发光二极管阵列基板上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：
4.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：
5.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘之后，还包括：
6.根据权利要求3-5任一所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述发光二极管阵列基板上形成钝化层之前，还包括：
7.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，对所述发光二极管的侧壁进行侧蚀，包括：
8.根据权利要求1-5任一所述的显示装置的制备方法，其特征在于，键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板，包括：
9.根据权利要求1-5任一所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述加强结构设置有至少一个缺口，键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板后，由所述缺口在键合后的复合体的侧壁形成注胶口，在键合所述控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：周鑫，郭佳琦，赵龙，章金惠，陈黎敏，朱丽娜，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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