【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片衬底输送装置，具体为一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统及方法。
技术介绍
1、生成外延层是晶圆生产制造过程中的一个步骤，具体为在硅片衬底的表面形成一层外延层，而外延层最常见的方式是通过常压外沿沉积法，由于需要再硅片衬底的表面形成一层外层，故而硅片衬底的平整度则非常的重要，现有的外沿沉积装置通常为一个工艺室，工艺室内温度达到600度，硅片衬底需要送入到工艺室内进行沉积处理，而硅片衬底直接进入，其一部分先接触高温，其余部分还在工艺室的外侧，如此不断地进入到工艺室内，温度差异容易导致硅片衬底发生翘曲；
2、专利文献：cn114188258a公开了一种改善外延片平坦度的硅片衬底传送装置和方法，该传送装置布置在外延沉积设备的工艺腔室中，该传送装置包括：加热模块，所述加热模块经配置为在硅片从所述工艺腔室的外部抵达所述工艺腔室内的加工位置的过程中，以不同的加热功率向所述所述硅片辐射热量；运送模块，所述运送模块经配置为在所述硅片进入所述工艺腔室之后，根据所述硅片的位置以不同的运动速度将所述硅片运送至所述加工位置。通过运送模块调节衬底硅片在各个位置的速率，并且通过加热模块在硅片进入工艺腔室的过程中调节各阶段加热灯组功率配比，降低衬底由于温差为外延片的品质带来的影响；
3、如上述专利文献提供的现有技术的对于硅片衬底舒总进入工艺腔室的方式，现有技术中为了解决传统传送方式容易出现硅片衬底翘曲的问题通过对工艺腔室内的加热模块进行配置，保证其温度能够适应硅片的进入，温度高度进行匹配性的控制，但是无论是温度如何进行
4、因此，有必要提供一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统及方法解决上述技术问题。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统及方法。
3、(二)技术方案
4、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，包括底座，所述底座的顶部转动安装有工艺室，硅片衬底在工艺室内进行工艺化处理，所述工艺室的周向外壁上对称联通有两个预热室，所述预热室的两端敞口内壁均滑动安装有封口组件，所述封口组件在硅片衬底装载进入预热室内将预热室封闭进行预热，所述预热室相对的两个竖向侧壁上均开设有进风口，所述预热室的外壁上对应进风口的位置固定有同步散热机构，所述同步散热机构包括用于输气的与预热室外壁固定的进风管，所述进风管靠近进风口的一端以及远离进风口的一端分别安装有封闭组件和进风组件，所述封闭组件用于联通进风口和进风管以及封闭进风口，所述进风组件用于在工艺室转动的同时向预热室内通风，所述底座的内壁安装有用于驱动工艺室转动的转动组件，所述工艺室和预热室的内壁均安装有用于承载和传送硅片衬底的导轨组件，所述封口组件上还安装有用于推动硅片衬底在工艺室和预热室之间移动的传送组件。
5、优选的，所述封口组件由滑动安装在所述预热室内壁上的封口板以及伸出端与封口板顶面固定的第一电动推杆组成，远离所述工艺室一侧的一个第一电动推杆固定在预热室的顶面上，且该第一电动推杆的伸出端通过第一滑孔与预热室的顶部侧壁滑动连接，靠近所述工艺室一侧的一个第一电动推杆固定在所述工艺室的顶面上，且该第一电动推杆的伸出端通过第二滑孔分别与工艺室的顶部侧壁以及预热室的顶部侧壁滑动连接。
6、优选的，所述预热室包括固定在其内壁上的两个第一加热模块，所述工艺室包括分别固定在其上端和下端内壁上的第二加热模块。
7、优选的，所述进风管由弯管体以及固定在弯管体靠近预热室一端外壁上的连接框组成，所述连接框与预热室的外壁固定，所述弯管体的两端分别垂直于预热室的外壁以及底座的顶面。
8、优选的，所述封闭组件包括滑动连接在连接框内壁与预热室外壁之间的活动板，所述活动板的下端开设有通孔，所述活动板的上端固定有连接条，所述连接条远离活动板的一端与预热室上靠近活动板的一个封口板的外壁固定。
9、优选的，所述进风组件包括固定在弯管体远离连接框一端内壁上的支撑板，所述支撑板的中部通过轴承转动连接有转轴，所述转轴的上端固定有叶轮，所述转轴的下端连接增速器的输出端，所述增速器固定支撑板上，所述增速器的输入端固定有齿轮，所述底座的顶部固定有齿圈，所述齿轮与齿圈啮合连接。
10、优选的，所述转动组件包括通过轴承转动连接在所述底座中部的转杆，所述转杆的上端与工艺室底面的中部固定，所述转杆的下端固定有蜗轮，所述底座的内壁通过轴承转动连接有蜗杆，所述蜗杆与蜗轮啮合连接，所述底座的内壁还固定有一个电机，所述蜗杆的一端与电机的输出端固定。
11、优选的，所述导轨组件包括对称分别对称固定在所述预热室底部内壁以及工艺室底部内壁上的滑轨，且预热室内侧的导轨正对工艺室内侧的滑轨，所述预热室内侧的两个滑轨外壁滑动安装有承载架，所述承载架的顶部形成有放置硅片衬底的环形凹槽。
12、优选的，所述传送组件包括固定在远离工艺室一侧的一个封口板下端的第二电动推杆，所述第二电动推杆的伸出端通过第三滑孔与封口板滑动连接，所述第二电动推杆的伸出端贯穿第三滑孔延伸至预热室的内侧并固定有第一铝镍钴磁铁，所述承载架靠近第一铝镍钴磁铁的一侧固定有第二铝镍钴磁铁，且第一铝镍钴磁铁正对第二铝镍钴磁铁。
13、本专利技术还提供一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统的传送方法，为上述的降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统的使用方法，具体包括如下步骤：
14、s1、在上料端将硅片衬底装载到承载架上的环形凹槽内侧，并将承载架装入到预热室内的滑轨上，并将承载架推入预热室最内侧，完成硅片衬底上料工作；
15、s2、打开第一加热模块对预热室内的硅片衬底进行预热；
16、s3、预热结束打开靠近工艺室的一个封口板，并将承载架推入到工艺室内，同时驱动转动组件使得工艺室转动180度，转动过程中以及转动结束均持续在工艺室内侧进行外延层沉积工作，沉积的过程中是通过第二加热模块进行加热的；
17、s4、沉积结束驱动传送组件将承载架拉出到预热室内，并将靠近工艺室的一个封口板下降隔断预热室和工艺室，并使得远离工艺室的一个封口板上升打开预热室；
18、s5、驱动转动组件工作使得工艺室再次转动180度使得成品硅片衬底转动至上下料端处，过程中通过进风组件对成品硅片衬底进行散热处理，到达上下料端处下料成品；
19、s6、在步骤s3中工艺室在转动停止后，在靠近上下料端的一个预热室继续重复上述步骤，两个预热室交替的重复上述步骤。
20、(三)有益效果
21、本专利技术提供了一种降低硅片翘曲度的硅本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于，包括底座，所述底座的顶部转动安装有工艺室，硅片衬底在所述工艺室内进行工艺化处理，所述工艺室的周向外壁上对称联通有两个预热室，所述预热室的两端敞口内壁均滑动安装有封口组件，所述封口组件在硅片衬底装载进入预热室内将预热室封闭进行预热，所述预热室相对的两个竖向侧壁上均开设有进风口，所述预热室的外壁上对应进风口的位置固定有同步散热机构，所述同步散热机构包括用于输气的与预热室外壁固定的进风管，所述进风管靠近进风口的一端以及远离进风口的一端分别安装有封闭组件和进风组件，所述封闭组件用于联通进风口和进风管以及封闭进风口，所述进风组件用于在工艺室转动的同时向预热室内通风，所述底座的内壁安装有用于驱动工艺室转动的转动组件，所述工艺室和预热室的内壁均安装有用于承载和传送硅片衬底的导轨组件，所述封口组件上还安装有用于推动硅片衬底在工艺室和预热室之间移动的传送组件。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述封口组件由滑动安装在所述预热室内壁上的封口板以及伸出端与封口板顶面固定的第一电动推杆组成，远离所
3.根据权利要求1所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述预热室包括固定在其内壁上的两个第一加热模块，所述工艺室包括分别固定在其上端和下端内壁上的第二加热模块。
4.根据权利要求2所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述进风管由弯管体以及固定在弯管体靠近预热室一端外壁上的连接框组成，所述连接框与预热室的外壁固定，所述弯管体的两端分别垂直于预热室的外壁以及底座的顶面。
5.根据权利要求4所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述封闭组件包括滑动连接在连接框内壁与预热室外壁之间的活动板，所述活动板的下端开设有通孔，所述活动板的上端固定有连接条，所述连接条远离活动板的一端与预热室上靠近活动板的一个封口板的外壁固定。
6.根据权利要求4所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述进风组件包括固定在弯管体远离连接框一端内壁上的支撑板，所述支撑板的中部通过轴承转动连接有转轴，所述转轴的上端固定有叶轮，所述转轴的下端连接增速器的输出端，所述增速器固定支撑板上，所述增速器的输入端固定有齿轮，所述底座的顶部固定有齿圈，所述齿轮与齿圈啮合连接。
7.根据权利要求1所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述转动组件包括通过轴承转动连接在所述底座中部的转杆，所述转杆的上端与工艺室底面的中部固定，所述转杆的下端固定有蜗轮，所述底座的内壁通过轴承转动连接有蜗杆，所述蜗杆与蜗轮啮合连接，所述底座的内壁还固定有一个电机，所述蜗杆的一端与电机的输出端固定。
8.根据权利要求1所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述导轨组件包括对称分别对称固定在所述预热室底部内壁以及工艺室底部内壁上的滑轨，且预热室内侧的导轨正对工艺室内侧的滑轨，所述预热室内侧的两个滑轨外壁滑动安装有承载架，所述承载架的顶部形成有放置硅片衬底的环形凹槽。
9.根据权利要求8所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述传送组件包括固定在远离工艺室一侧的一个封口板下端的第二电动推杆，所述第二电动推杆的伸出端通过第三滑孔与封口板滑动连接，所述第二电动推杆的伸出端贯穿第三滑孔延伸至预热室的内侧并固定有第一铝镍钴磁铁，所述承载架靠近第一铝镍钴磁铁的一侧固定有第二铝镍钴磁铁，且第一铝镍钴磁铁正对第二铝镍钴磁铁。
10.一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统的传送方法，其特征在于，为上述权利要求1至9任意一项所述的降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统的使用方法，具体包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于，包括底座，所述底座的顶部转动安装有工艺室，硅片衬底在所述工艺室内进行工艺化处理，所述工艺室的周向外壁上对称联通有两个预热室，所述预热室的两端敞口内壁均滑动安装有封口组件，所述封口组件在硅片衬底装载进入预热室内将预热室封闭进行预热，所述预热室相对的两个竖向侧壁上均开设有进风口，所述预热室的外壁上对应进风口的位置固定有同步散热机构，所述同步散热机构包括用于输气的与预热室外壁固定的进风管，所述进风管靠近进风口的一端以及远离进风口的一端分别安装有封闭组件和进风组件，所述封闭组件用于联通进风口和进风管以及封闭进风口，所述进风组件用于在工艺室转动的同时向预热室内通风，所述底座的内壁安装有用于驱动工艺室转动的转动组件，所述工艺室和预热室的内壁均安装有用于承载和传送硅片衬底的导轨组件，所述封口组件上还安装有用于推动硅片衬底在工艺室和预热室之间移动的传送组件。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述封口组件由滑动安装在所述预热室内壁上的封口板以及伸出端与封口板顶面固定的第一电动推杆组成，远离所述工艺室一侧的一个第一电动推杆固定在预热室的顶面上，且该第一电动推杆的伸出端通过第一滑孔与预热室的顶部侧壁滑动连接，靠近所述工艺室一侧的一个第一电动推杆固定在所述工艺室的顶面上，且该第一电动推杆的伸出端通过第二滑孔分别与工艺室的顶部侧壁以及预热室的顶部侧壁滑动连接。
3.根据权利要求1所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述预热室包括固定在其内壁上的两个第一加热模块，所述工艺室包括分别固定在其上端和下端内壁上的第二加热模块。
4.根据权利要求2所述的一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统，其特征在于：所述进风管由弯管体以及固定在弯管体靠近预热室一端外壁上的连接框组成，所述连接框与预热室的外壁固定，所述弯管体的两端分别垂直于预热室的外壁以及底座的顶面。
5.根据权利要求4所述的一种降低硅片翘曲度的硅片...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐新华，
申请(专利权)人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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