【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液及硅片清洗工艺。
技术介绍
1、近年来，随着科技水平的迅速发展，半导体行业的发展更是成为电子领域的刚需之一。
2、在半导体领域中，硅片按照规格要求，需要在其背面长一层poly-si，在lpcvd前或lpcvd的过程中，容易有颗粒降落到硅片背面，导致颗粒和多晶一起长在了硅片的背面，形成lp污染(多晶膜不良，这种不良会在客户端做外延的时候，发生自参杂)，产品为不良，直接废弃，最终使得lpcvd良率低下，生产成本也随之升高。
3、因此，如何能够提升良率且降低成本，成为了半导体生产领域的技术难题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液及硅片清洗工艺，至少用以解决有颗粒降落到硅片背面，导致产品良率降低且成本升高的问题。本申请的目的在于：提供了一种新的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液及硅片清洗工艺。通过增加了使用氢氧化钾去除poly-si这条返工工艺。通过碱腐蚀法，将硅片表面的不良多晶层(化学气象沉积法长的多晶硅膜)，进行有效去除，之后在被去除多晶层的硅片表面，重新长一层多晶层，通过这种返工方法使原不良品变成良品，提升良率，降低成本。
2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了以下几个方面：
3、第一方面，本申请的一些实施例还提供了一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，所述碱腐蚀洗液为氢氧化钾溶液。
4、进一步的，所述氢氧化钾溶液的纯水的体积为60l，
5、进一步的，所述氢氧化钾药液中氢氧化钾浓度为0.134％。
6、第二方面，本申请的一些实施例还提供了一种硅片清洗工艺，包括碱腐蚀清洗；所述碱腐蚀清洗包括第一步清洗；所述第一步清洗所用的碱腐蚀洗液为如权利要求1-3中的任一项所述的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液。
7、进一步的，所述第一步清洗温度为90℃，清洗时间为40秒。
8、进一步的，所述碱腐蚀清洗还包括第二步清洗和第三步清洗；所述第二步清洗和第三步清洗采用纯水清洗。
9、进一步的，所述第二步清洗的温度为30℃，清洗时间为40秒；
10、第三步清洗的温度为40℃，清洗时间为40秒。
11、进一步的，在所述碱腐蚀清洗之前，还包括碱腐蚀前洗净和碱腐蚀后洗净。
12、进一步的，所述碱腐蚀前洗净采用氨水双氧水混合溶剂，其中，所述氨水双氧水混合溶剂中氨水和双氧水的比例为1：2；所述碱腐蚀后洗净采用纯水清洗。
13、进一步的，对碱腐蚀后洗净的硅片进行lpcvd前洗净；对洗净后的硅片进行lpcvd。
14、相较于现有技术，本申请实施例提供的方案中，通过增加了使用氢氧化钾去除poly-si这条返工工艺。通过碱腐蚀法，将硅片表面的不良多晶层进行有效去除，之后在被去除多晶层的硅片表面，重新长一层多晶层，通过这种返工方法使原不良品变成良品，提升良率，降低成本。
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1.一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，其特征在于，所述碱腐蚀洗液为氢氧化钾溶液。
2.根据权利要求1所述的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，其特征在于，所述氢氧化钾溶液的纯水的体积为60L，氢氧化钾药液的体积为80L。
3.根据权利要求1所述的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，其特征在于，所述氢氧化钾药液中氢氧化钾浓度为0.134％。
4.一种硅片清洗工艺，其特征在于，包括碱腐蚀清洗；所述碱腐蚀清洗包括第一步清洗；所述第一步清洗所用的碱腐蚀洗液为如权利要求1-3中的任一项所述的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液。
5.根据权利要求4所述的硅片清洗工艺，其特征在于，所述第一步清洗温度为90℃，清洗时间为40秒。
6.根据权利要求4所述的硅片清洗工艺，其特征在于，所述碱腐蚀清洗还包括第二步清洗和第三步清洗；所述第二步清洗和第三步清洗采用纯水清洗。
7.根据权利要求6所述的硅片清洗工艺，其特征在于，所述第二步清洗的温度为30℃，清洗时间为40秒；
8.根据权利要求4所述的硅片清洗工艺，其特征在于，在所述碱腐蚀清洗之前
9.根据权利要求8所述的硅片清洗工艺，其特征在于，所述碱腐蚀前洗净采用氨水双氧水混合溶剂，其中，所述氨水双氧水混合溶剂中氨水和双氧水的比例为1：2；所述碱腐蚀后洗净采用纯水清洗。
10.根据权利要求9所述的硅片清洗工艺，其特征在于，对碱腐蚀后洗净的硅片进行LPCVD前洗净；对洗净后的硅片进行LPCVD。
...【技术特征摘要】
1.一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，其特征在于，所述碱腐蚀洗液为氢氧化钾溶液。
2.根据权利要求1所述的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，其特征在于，所述氢氧化钾溶液的纯水的体积为60l，氢氧化钾药液的体积为80l。
3.根据权利要求1所述的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，其特征在于，所述氢氧化钾药液中氢氧化钾浓度为0.134％。
4.一种硅片清洗工艺，其特征在于，包括碱腐蚀清洗；所述碱腐蚀清洗包括第一步清洗；所述第一步清洗所用的碱腐蚀洗液为如权利要求1-3中的任一项所述的去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液。
5.根据权利要求4所述的硅片清洗工艺，其特征在于，所述第一步清洗温度为90℃，清洗时间为40秒。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：张恒杰，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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