【技术实现步骤摘要】
本披露一般涉及半导体。更具体地，本披露涉及一种半导体器件模型的仿真方法、用于半导体器件模型仿真的设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体器件模型的参数提取流程中，目标参数仿真任务的仿真速度尤其重要，它决定了最终半导体器件模型的参数提取效率。对于具有二级电学参数的半导体器件模型而言，通过仿真工具对二级电学参数的目标电路文件进行仿真时，通常仿真速度和仿真效率都较低。这里的二级电学参数是指需要依赖于一级电学参数的计算结果来进行计算的参数。
2、有鉴于此，亟需提供一种适用于带有二级电学参数的半导体器件模型的仿真方案，以便提高带有二级电学参数的半导体器件模型的仿真速度。
技术实现思路
1、为了至少解决如上所提到的一个或多个技术问题，本披露在多个方面中提出了一种半导体器件模型的仿真方法、用于半导体器件模型仿真的设备及计算机可读存储介质方案。
2、在第一方面中，本披露提供一种半导体器件模型的仿真方法，包括：使用第一仿真进程组对半导体器件模型的一级电学参数进行第一仿真，以得到第一仿真结果；使用第二仿真进程组对所述半导体器件模型的二级电学参数进行第二仿真，以得到第二仿真结果，其中所述二级电学参数是基于所述一级电学参数的所述第一仿真结果进行计算的参数，所述第一仿真进程组和所述第二仿真进程组均包括至少一个仿真进程。
3、在一些实施例中，使用第一仿真进程组对半导体器件模型的一级电学参数进行第一仿真包括：将与所述一级电学参数有关的一级仿真任务组装成一级网表；使用
4、在另一些实施例中，使用第二仿真进程组对所述半导体器件模型的二级电学参数进行第二仿真包括：将与所述二级电学参数有关的二级仿真任务组装成二级网表；使用所述第二仿真进程组对所述二级网表进行第二仿真。
5、在又一些实施例中，所述一级网表的数目小于或者等于所述第一仿真进程组中仿真进程的数量，并且一个一级网表调用所述第一仿真进程组中相应的一个仿真进程执行仿真。
6、在一些实施例中，所述二级网表的数目小于或者等于所述第二仿真进程组中仿真进程的数量，并且一个二级网表调用所述第二仿真进程组中相应的一个仿真进程执行仿真。
7、在另一些实施例中，所述第一仿真进程组中仿真进程的数量小于或等于用于执行所述第一仿真的设备中处理器的数量；所述第二仿真进程组中仿真进程的数量小于或等于用于执行所述第二仿真的设备中处理器的数量。
8、在又一些实施例中，所述仿真方法进一步包括：响应于所述第一仿真结果和/或所述第二仿真结果未达到仿真目标，交替重复的执行所述第一仿真和所述第二仿真，直至所述第一仿真结果和所述第二仿真结果达到仿真目标。
9、在一些实施例中，所述半导体器件模型包括mosfet、bjt、jfet、soi、finfet、gaa、ganfet、sic fet、igbt、gaasfet中的至少一种半导体器件的模型。
10、在另一些实施例中，所述一级电学参数包括阈值电压，所述二级电学参数包括跨导、mosfet漏源电导和亚阈值摆幅中的至少一种；和/或所述一级电学参数包括达到固定电流值时的mosfet栅极施加的电压值，所述二级电学参数包括跨导、mosfet漏源电导和亚阈值摆幅中的至少一种。
11、在又一些实施例中，所述仿真方法进一步包括：根据所述处理器的数量，确定所述第一仿真进程组和/或所述第二仿真进程组中仿真进程的数量；启动所述第一仿真进程组和/或所述第二仿真进程组，循环监听各仿真进程中是否存在仿真信号；以及响应于监听到仿真进程中存在所述仿真信号，执行相应的仿真。
12、在第二方面中，本披露提供一种用于半导体器件模型仿真的设备，包括：处理器，其用于执行程序指令；以及存储器，其存储有所述程序指令，当所述程序指令由所述处理器加载并执行时，使得所述处理器执行根据本披露在第一方面中任一所述的仿真方法。
13、在第三方面中，本披露提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可读指令，该计算机可读指令被一个或多个处理器执行时，实现如本披露在第一方面中任意一项所述的仿真方法。
14、通过如上所提供的半导体器件模型的仿真方法、设备和计算机可读存储介质，本披露实施例通过使用两个仿真进程组分别执行半导体器件模型的一级电学参数和二级电学参数的仿真，能够有利于提高半导体器件模型的仿真速度和仿真效率。
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1.一种半导体器件模型的仿真方法，包括：
2.根据权利要求1所述的仿真方法，其中使用第一仿真进程组对半导体器件模型的一级电学参数进行第一仿真包括：
3.根据权利要求1或2所述的仿真方法，其中使用第二仿真进程组对所述半导体器件模型的二级电学参数进行第二仿真包括：
4.根据权利要求2所述的仿真方法，其中
5.根据权利要求3所述的仿真方法，其中
6.根据权利要求1所述的仿真方法，其中
7.根据权利要求1所述的仿真方法，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的仿真方法，其中
9.根据权利要求1所述的仿真方法，其中
10.根据权利要求6所述的仿真方法，进一步包括：
11.一种用于半导体器件模型仿真的设备，包括：
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可读指令，该计算机可读指令被一个或多个处理器执行时，实现如权利要求1-10中任意一项所述的仿真方法。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件模型的仿真方法，包括：
2.根据权利要求1所述的仿真方法，其中使用第一仿真进程组对半导体器件模型的一级电学参数进行第一仿真包括：
3.根据权利要求1或2所述的仿真方法，其中使用第二仿真进程组对所述半导体器件模型的二级电学参数进行第二仿真包括：
4.根据权利要求2所述的仿真方法，其中
5.根据权利要求3所述的仿真方法，其中
6.根据权利要求1所述的仿真方法，其中
【专利技术属性】
技术研发人员：孙忠，
申请(专利权)人：上海概伦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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