【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路技术，更具体地说，它涉及一种应用于gan级联si-mos的驱动与快速保护电路。
技术介绍
1、现有技术中，直接驱动型（direct drive）氮化镓（gan）电路的主体部分由一个耗尽型gan器件与一个增强型si-mos组成。正常工作时，其输出级信号直接控制gan栅极，si-mos处在常开的状态。对于传统的cascode输出级，则是输出级信号控制si-mos栅极，gan处在常开的状态。二者相比，直接驱动型组合的方式寄生参数较低，可以得到更高的效率、更快的开关速度和更低的导通损耗。
2、但在上电时vin会快速充电至外部高压，该瞬时高压可能会通过寄生电容耦合至si-mos漏级，造成器件损坏。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种解决上述技术问题的应用于gan级联si-mos的驱动与快速保护电路。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：
3、一种应用于gan级联si-mos的驱动与快速保护电路，包括gan器件、si-mosfet、mos管mnh1、mos管mnh2、mos管mnh3、mos管mnh4、mos管mp1、mos管mp2、mos管mn4、mos管mn5、mos管mn6、mos管mph1、电容c1、电容c2、电容c3、二极管z1、二极管z2、二极管z3、二极管z4、二极管z5、二极管z6、二极管z7、二极管d1、二极管d2、二极管3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d
4、mos管mnh1的栅极和漏极相连且栅极接供电电源，mos管mnh1的源极与mos管mn2的漏极相连，mos管mnh2的源极与mos管mp1的漏极、mos管mp2的漏极及电阻r2的一端、mos管mn5的漏极、二极管z7的输出端、mos管mnh4的源极、si-mosfet的栅极相连，
5、mos管mp1的源极接供电电源，mos管mp1的栅极和mos管mp2的栅极相连，电阻r2的另一端与mos管mp2的源极、mos管mn4的源极、电阻r3的一端、二极管z1的输入端、mos管mn5的源极、mos管mn6的源极、电阻r6的一端、电容c3的一端、二极管d8的输出端、si-mosfet的源极相连，二极管d8的输入端与二极管z7的输入的输入端相连，
6、gan器件的漏极上电，gan器件的源极与si-mosfet的漏极、mos管mnh3的源极和漏极、二极管z2的输出端、mos管mph1的源极、二极管z4的输出端、电容c2的一端、电阻r4的一端相连，
7、二极管z5、二极管z6、二极管d1、二极管d2、二极管3、二极管d4、二极管d5、二极管d6及二极管d7构成钳位电路，钳位电路的一端与gan器件的栅极相连，
8、钳位电路的另一端与电容c1、电阻r4的另一端、电容c2的另一端、二极管z4的输入端、mos管mph1的栅极相连，
9、mos管mph1的漏极与二极管d1的输入端、mos管mnh4的栅极、电阻r5的一端相连，二极管d1的输出端与二极管z3的输入端相连，二极管z3的输出端与二极管z2的输入端相连，mos管mnh3的漏极与mos管mnh4的漏极相连，
10、电容c1的另一端与电阻r1的一端相连，电阻r1的另一端与mos管mn4的的漏极、mos管mn5的漏极、电阻r3的另一端、二极管z1的输出端相连，
11、电阻r5的另一端与mos管mn6的漏极、电容c3的另一端、电阻r6的另一端相连。
12、进一步的，二极管z5的输出端与电容c1的一端、电阻r4的另一端相连，二极管z5的输入端与二极管d2的输入端相连，二极管d2的输出端与二极管d3的输入端相连，二极管d3的输出端与二极管d4的输入端相连，二极管d4的输出端与二极管d5的输入端相连，二极管d5的输出端与二极管d6的输入端相连，二极管d6的输出端与二极管d7的输入端相连，二极管d7的输出端与gan器件的栅极相连。
13、进一步的，mos管mnh1的栅极接供电电源为12v的芯片供电电源。
14、进一步的，mos管mp1的源极接供电电源为5v的芯片内部供电电源。
15、进一步的，二极管z1、二极管z2、二极管z3、二极管z4、二极管z5、二极管z6均为齐纳二极管。
16、通过采用上述技术方案，本专利技术的有益效果为：
17、该驱动与快速保护电路可对si-mos进行驱动，并在上电阶段保护gan与si-mos，迅速拉低可能出现的节点高压，不被瞬时高压击穿。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种应用于GaN级联Si-MOS的驱动与快速保护电路，其特征在于，包括GaN器件、Si-MOSFET、MOS管MNH1、MOS管MNH2、MOS管MNH3、MOS管MNH4、MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN4、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MPH1、电容C1、电容C2、电容C3、二极管Z1、二极管Z2、二极管Z3、二极管Z4、二极管Z5、二极管Z6、二极管Z7、二极管D1、二极管D2、二极管3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R4、电阻R5、电阻R6，
2.根据权利要求1所述的一种应用于GaN级联Si-MOS的驱动与快速保护电路，其特征在于，所述二极管Z5的输出端与电容C1的一端、电阻R4的另一端相连，二极管Z5的输入端与二极管D2的输入端相连，二极管D2的输出端与二极管D3的输入端相连，二极管D3的输出端与二极管D4的输入端相连，二极管D4的输出端与二极管D5的输入端相连，二极管D5的输出端与二极管D6的输入端相连，二极管D6的输出端与二极管D7的输入端相连，二极管D7
3.根据权利要求1所述的一种应用于GaN级联Si-MOS的驱动与快速保护电路，其特征在于，所述MOS管MNH1的栅极接供电电源为12V的芯片供电电源。
4.根据权利要求1所述的一种应用于GaN级联Si-MOS的驱动与快速保护电路，其特征在于，所述MOS管MP1的源极接供电电源为5V的芯片内部供电电源。
5.根据权利要求2所述的一种应用于GaN级联Si-MOS的驱动与快速保护电路，其特征在于，所述二极管Z1、二极管Z2、二极管Z3、二极管Z4、二极管Z5、二极管Z6、二极管Z7均为齐纳二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种应用于gan级联si-mos的驱动与快速保护电路，其特征在于，包括gan器件、si-mosfet、mos管mnh1、mos管mnh2、mos管mnh3、mos管mnh4、mos管mp1、mos管mp2、mos管mn4、mos管mn5、mos管mn6、mos管mph1、电容c1、电容c2、电容c3、二极管z1、二极管z2、二极管z3、二极管z4、二极管z5、二极管z6、二极管z7、二极管d1、二极管d2、二极管3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r4、电阻r5、电阻r6，
2.根据权利要求1所述的一种应用于gan级联si-mos的驱动与快速保护电路，其特征在于，所述二极管z5的输出端与电容c1的一端、电阻r4的另一端相连，二极管z5的输入端与二极管d2的输入端相连，二极管d2的输出...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂凯迪，钟政，
申请(专利权)人：浙江巨磁智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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