【技术实现步骤摘要】
专利技术构思的方面涉及图像传感器。更具体地，专利技术构思的方面涉及包括光电转换区域的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可以是被配置为将光学图像转换为电信号的装置。常用的图像传感器可包括电荷耦合器件(ccd)型图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器(cis)。图像传感器可包括以二维(2d)矩阵形式布置的多个像素，并且每个像素可从光能输出图像信号。每个像素可累积与通过光电转换区域入射的光量对应的光电荷，并基于累积的光电荷输出像素信号。近年来，为了增加图像传感器的满阱容量(fwc)，在图像传感器中包括更多数量的传输门。
技术实现思路
1、专利技术构思的各方面提供了一种具有改善的噪声特性的图像传感器。
2、根据专利技术构思的一个方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底；至少一个传输门，在基底的顶表面上；浮动扩散区域，位于基底中并且在第一方向上与所述至少一个传输门分开设置，第一方向平行于基底的顶表面；本征半导体区域，位于基底中并且在第一方向上设置在所述至少一个传输门与浮动扩散区域之间；以及光电转换区域，位于基底中并且在第二方向上与浮动扩散区域分开设置，第二方向垂直于第一方向，其中，本征半导体区域是未掺杂区域。
3、根据专利技术构思的另一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底；浮动扩散区域，位于基底中；多个光电转换区域，位于基底中并且设置在浮动扩散区域周围；多个传输门，至少一个传输门位于所述多个光电转换区域的每个中并且在第一
4、根据专利技术构思的另一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底；两个传输门，在基底的顶表面上；浮动扩散区域，位于基底中并且在第一方向上与传输门分开设置，第一方向平行于基底的顶表面；本征半导体区域，位于基底中并且在第一方向上设置在每个传输门与浮动扩散区域之间；杂质半导体区域，与浮动扩散区域和本征半导体区域接触，杂质半导体区掺杂有导电杂质；以及光电转换区域，位于基底中并且在第二方向上与浮动扩散区域分开设置，其中，第二方向垂直于第一方向，其中，本征半导体区域是未掺杂区域，并且在第二方向上延伸到光电转换区域的顶表面。
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域在第二方向上延伸到光电转换区域的顶表面。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域的部分区域在第一方向上延伸并且在第二方向上与整个浮动扩散区域叠置，所述部分区域在第二方向上位于比浮动扩散区域低的高度处。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域的部分区域在第一方向上延伸并且在第二方向上与浮动扩散区域的一部分叠置，所述部分区域在第二方向上位于比浮动扩散区域低的高度处。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域在第二方向上不与浮动扩散区域叠置。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述至少一个传输门包括：在基底的顶表面上的横向部、从横向部的底表面延伸到基底中的垂直部、以及覆盖横向部和垂直部的栅极绝缘层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，本征半导体区域与栅极绝缘层接触。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：杂质半导体区域，与本征半导体区域和浮动扩散区
9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：多个传输门，在基底的顶表面上，
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，本征半导体区域在第一方向上设置在浮动扩散区域与所述多个传输门中的每个之间。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，本征半导体区域与栅极绝缘层接触。
12.根据权利要求1至权利要求11中的任意一项所述的图像传感器，其中，传输门是平面传输门。
13.一种图像传感器，包括：
14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，本征半导体区域在与第一方向垂直的第二方向上延伸到所述多个光电转换区域中的每个的顶表面。
15.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述多个传输门中的每个包括：基底的顶表面上的横向部、从横向部的底表面延伸到基底中的垂直部、以及覆盖横向部和垂直部的栅极绝缘层。
16.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，本征半导体区域的部分区域在第一方向上延伸并且在第二方向上与整个浮动扩散区域叠置，所述部分区域在第二方向上位于比浮动扩散区域低的高度处，其中，第二方向垂直于第一方向。
17.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，本征半导体区域的部分区域在第一方向上延伸并且在第二方向上与浮动扩散区域的一部分叠置，所述部分区域在第二方向上位于比浮动扩散区域低的高度处，其中，第二方向垂直于第一方向。
18.根据权利要求13至17中的任意一项所述的图像传感器，其中，至少两个传输门位于所述多个光电转换区域中的每个中，并且所述至少两个传输门中的每个包括：在基底的顶表面上的横向部、从横向部的底表面延伸到基底中的垂直部、以及覆盖横向部和垂直部的栅极绝缘层。
19.一种图像传感器，包括：
20.根据权利要求19所述的图像传感器，其中，每个传输门包括：在基底的顶表面上的横向部、从横向部的底表面延伸到基底中的垂直部、以及覆盖横向部和垂直部的栅极绝缘层，并且本征半导体区域与栅极绝缘层接触。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域在第二方向上延伸到光电转换区域的顶表面。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域的部分区域在第一方向上延伸并且在第二方向上与整个浮动扩散区域叠置，所述部分区域在第二方向上位于比浮动扩散区域低的高度处。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域的部分区域在第一方向上延伸并且在第二方向上与浮动扩散区域的一部分叠置，所述部分区域在第二方向上位于比浮动扩散区域低的高度处。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，本征半导体区域在第二方向上不与浮动扩散区域叠置。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述至少一个传输门包括：在基底的顶表面上的横向部、从横向部的底表面延伸到基底中的垂直部、以及覆盖横向部和垂直部的栅极绝缘层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，本征半导体区域与栅极绝缘层接触。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：杂质半导体区域，与本征半导体区域和浮动扩散区域接触。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：多个传输门，在基底的顶表面上，
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，本征半导体区域在第一方向上设置在浮动扩散区域与所述多个传输门中的每个之间。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，本征半导体区域与栅极绝缘层接触。
12.根据权利要求1至权利要求11中的任意一项所述的图...
【专利技术属性】
技术研发人员：文祥赫，朴主恩，金显喆，尹浈斌，李承俊，郑泰燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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