【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及图像感测器，尤其涉及在主动层和封装层之间没有透明电极的图像感测器。
技术介绍
1、图像感测器(例如，电荷耦合元件(charge-coupled device,ccd)图像感测器、互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,cmos)图像感测器等)已经广泛使用于各种图像拍摄设备，例如：数字静止图像相机、数字摄影机和类似的设备。图像感测器中的光感测部分可形成在多个像素中的每个像素处，并且可以根据在光感测部分中所接收的光量产生信号电荷。此外，可以传送和放大在光感测部分中产生的信号电荷，进而获得图像信号。
2、近来，为了增加每单位面积的像素数以提供更高解析度的图像，趋势是减小图像感测器(以cmos图像感测器为代表)的像素尺寸。然而，在像素尺寸不断减小的同时，图像感测器的设计和制造仍面临各种挑战。举例来说，像素之间的电信号串扰(cross-talk)在像素尺寸较小的情况下将是一个严重的问题，这可能会对图像感测器的性能产生不利的影响。还需要新的制造技术来进一步减小像素尺寸，而不会导致像素之间的电信号严重串扰。因此，需要通过改善图像感测器的设计和制造来解决这些以及相关的问题。
技术实现思路
1、根据本公开的一些实施例，提供一种图像感测器。图像感测器包含基板及多个隔离结构，隔离结构设置于基板之上。隔离结构是不导电的并界定多个像素区域。图像感测器也包含多个电极，电极设置于基板之上并与隔离结构直接接触。图像感测器
2、在一些实施例中，每个电极的一部分安装于隔离结构的个中。
3、在一些实施例中，图像感测器还包含缓冲层，缓冲层设置于隔离结构之上。
4、在一些实施例中，主动层的顶表面与缓冲层的最顶表面共平面，或主动层的顶表面低于缓冲层的最顶表面。
5、在一些实施例中，缓冲层为电子传输层或空穴传输层。
6、在一些实施例中，电极包含多个阳极电极和多个阴极电极，阳极电极接地，而阴极电极与读出电路电性连接。
7、在一些实施例中，阳极电极和阴极电极垂直于基板。
8、在一些实施例中，在俯视图中，每个像素区域对应于四个电极。
9、在一些实施例中，在俯视图中，每个像素区域被两个阳极电极和两个阴极电极所围绕。
10、在一些实施例中，在俯视图中，每个像素区域被三个阳极电极和一个阴极电极所围绕，或者被一个阳极电极和三个阴极电极所围绕。
11、在一些实施例中，阳极电极和阴极电极形成多个电极对，每个电极对的电极间距大于或等于100nm。
12、在一些实施例中，在剖面图中，相邻的两个隔离结构之间的距离界定隔离空间，隔离空间大于或等于100nm。
13、在一些实施例中，隔离空间大于或等于电极间距。
14、在一些实施例中，每个电极的高度介于10nm至1000nm。
15、在一些实施例中，每个电极的宽度介于10nm至500nm。
16、在一些实施例中，每个电极的高宽比小于3。
17、在一些实施例中，隔离结构高于电极。
18、在一些实施例中，每个隔离结构的高度介于20nm至1500nm。
19、在一些实施例中，每个隔离结构的宽度介于10nm至200nm。
20、在一些实施例中，图像感测器还包含聚光结构，聚光结构设置于彩色滤光层的上方，且每个聚光结构对应于一个像素区域。
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1.一种图像感测器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像感测器，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的图像感测器，还包括：
4.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述电极包括多个阳极电极和多个阴极电极，多个所述阳极电极接地，多个所述阴极电极与一读出电路电性连接，且多个所述阳极电极和多个所述阴极电极垂直于该基板。
5.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述电极包括多个阳极电极和多个阴极电极，多个所述阳极电极接地，多个所述阴极电极与一读出电路电性连接，且在一俯视图中，多个所述像素区域的每个对应于多个所述电极的四个，且多个所述像素区域的每个被多个所述阳极电极的两个和多个所述阴极电极的两个所围绕。
6.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述电极包括多个阳极电极和多个阴极电极，多个所述阳极电极接地，多个所述阴极电极与一读出电路电性连接，且在一俯视图中，多个所述像素区域的每个被多个所述阳极电极的三个和多个所述阴极电极的一个所围绕，或者被多个所述阳极电极的一个和多个所述阴极电极的三个所围绕。
7
8.如权利要求7所述的图像感测器，其中在一剖面图中，多个所述隔离结构中相邻的两个之间的距离界定一隔离空间，该隔离空间大于或等于100nm，且该隔离空间大于或等于该电极间距。
9.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述电极的每个的高度介于10nm至1000nm，多个所述电极的每个的宽度介于10nm至500nm，多个所述电极的每个的一高宽比小于3，且多个所述隔离结构高于多个所述电极。
10.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述隔离结构的每个的高度介于20nm至1500nm，且多个所述隔离结构的每个的宽度介于10nm至200nm多个所述隔离结构的每个的宽度介于10nm至200nm。
...【技术特征摘要】
1.一种图像感测器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像感测器，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的图像感测器，还包括：
4.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述电极包括多个阳极电极和多个阴极电极，多个所述阳极电极接地，多个所述阴极电极与一读出电路电性连接，且多个所述阳极电极和多个所述阴极电极垂直于该基板。
5.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述电极包括多个阳极电极和多个阴极电极，多个所述阳极电极接地，多个所述阴极电极与一读出电路电性连接，且在一俯视图中，多个所述像素区域的每个对应于多个所述电极的四个，且多个所述像素区域的每个被多个所述阳极电极的两个和多个所述阴极电极的两个所围绕。
6.如权利要求1所述的图像感测器，其中多个所述电极包括多个阳极电极和多个阴极电极，多个所述阳极电极接地，多个所述阴极电极与一读出电路电性连接，且在一俯视图中，多个所述像素区域的每个被多个所述阳极电极的三个和多个所述阴极电极的一个所围绕，或者被多个所述阳极...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡维隆，吴庆强，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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