【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在功率半导体结构元件与两个电路载体之间的电子布置结构，该电子布置结构突出之处尤其在于良好的热机械性能和有利的生产。此外，本专利技术涉及一种用于构造按照本专利技术的电子布置结构的方法。
技术介绍
1、由本申请人的de 10 2015 205 704 a1已知一种带有权利要求1的前序部分的特征的电子布置结构。已知的电子布置结构具有形式为dbc(直接键合铜(direct-bonded-copper))的电路载体，该电路载体通过钎焊连接部来与构造为晶体管的功率半导体结构元件的下侧连接。功率半导体结构元件的上侧与电路载体的电接触通过键合引线连接部来实现。
技术实现思路
1、带有权利要求1的特征的包括功率半导体结构元件和电路载体的、在功率半导体结构元件与电路载体之间的按照本专利技术的电子布置结构具有的优点是，该电子布置结构能够在同时良好的热机械性能的情况下实现布置在两个电路载体之间的功率半导体结构元件的特别紧凑的布置方式。
2、在带有权利要求1的特征的按照本专利技术的电子布置结构中通过下述方式来实现所述优点，即：功率半导体结构元件在背离电路载体的侧面上在至少一个接触区域的区域中与另外的电路载体电接触，在至少一个接触区域和/或联接区域上布置有以增材式工艺所产生的连接层，并且借助于钎焊连接部将连接层与联接区域和/或接触区域连接起来。
3、在从属权利要求中阐述了按照本专利技术的电子布置结构的有利的改进方案。
4、为了尤其在垂直于功率半导体结构元件
5、优选此外还规定了，连接层由金属的原材料的多个层构成，并且所述层中的至少一些层在平行于功率半导体结构元件的表面延伸的方向上具有缺口或空隙。所述缺口或空隙尤其用于实现在所提到的两个垂直于功率半导体结构元件的表面延伸的方向上的不同的弹性模量并且必要时实现改善的冷却或改善的散热。对连接层的制造在实践中尤其通过下述方式来实现，即：通过施加金属粉末来逐渐地产生连接层的层，所述层在施加之后选择性地通过激光束(或光子束)熔化。所熔化的材料紧接着在构成连接层的一部分的情况下硬化，而未熔化的材料则在之后的处理流程中被从连接层的区域中移除。优选金属粉末由铜和/或铝和/或铜合金和/或铝合金构成或者包含铜和/或铝和/或铜合金和/或铝合金。替代地或附加地，金属粉末包含包括碳的复合材料。以特别有利的方式，增材式构建能够实现将所提及的材料混合成粉末混合物，以便于是通过熔化过程来产生不同的合金。补充地阐释的是，除了所提及的增材式工艺外，当然也能够使用其他由现有技术本身已知的增材式加工工艺，以便制造连接层。
6、在优选的改进方案中规定了，连接层在垂直于功率半导体结构元件的表面延伸的平面中尤其由于连接层的具有人字型图案的构造方式而具有比在平行于功率半导体结构元件的平面延伸的平面中更小的弹性模量。这种人字型图案能够实现连接层的所提及的不同的与方向相关的弹性。然而，连接层的其他的几何形状也是可行的，以便实现不同的(与方向相关的)弹性。
7、为了优化连接层的连接而能够规定，将连接层的至少一个构造在接触区域或接触区域上的第一层构造成全面状的层。
8、用于改进钎焊连接部的另一种优选的设计方案规定了，连接层的至少一个在面向联接区域的侧面上的另外的层具有缺口或空隙。
9、本专利技术的另一种设计方案规定了，电路载体和另外的电路载体在功率半导体结构元件外的区域中必要时在中间放置接触元件的情况下与彼此电接触，并且在接触的区域中布置有至少一个以增材式工艺所产生的连接层。
10、到目前为止所说明的电子布置结构尤其规定了，功率半导体结构元件是晶体管，并且电路载体和另外的电路载体分别是基板。
11、此外，本专利技术也包括一种用于构造电子布置结构、尤其到目前为止所说明的按照本专利技术的电子布置结构的方法，其中，按照本专利技术的方法具有至少下述步骤：首先，以增材式工艺在功率半导体结构元件的接触区域之上和/或之中、并且/或者在电路载体的和/或另外的电路载体的联接区域上构建连接层。紧接着，在中间放置功率半导体结构元件的情况下使电路载体和另外的电路载体接触。最后，在连接层与联接区域或接触区域之间构造钎焊连接部。
12、所述方法的一种优选的改进方案规定了，通过分配将钎料施加在连接层上。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.在功率半导体结构元件(10)与电路载体(14)之间的电子布置结构(100)，其中，所述功率半导体结构元件(10)在对置的侧面上分别具有至少一个接触区域(22、24、26)，并且其中，面向所述电路载体(14)的至少一个接触区域(22、24)与所述电路载体(14)的联接区域(28、30)电接触，
2.根据权利要求1所述的电子布置结构，
3.根据权利要求1或2所述的电子布置结构，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子布置结构，
5.根据权利要求3或4所述的电子布置结构，
6.根据权利要求3至5中任一项所述的电子布置结构，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子布置结构，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子布置结构，
9.用于构造尤其根据权利要求1至8中任一项所构造的电子布置结构(100)的方法，该方法包括至少下述步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.在功率半导体结构元件(10)与电路载体(14)之间的电子布置结构(100)，其中，所述功率半导体结构元件(10)在对置的侧面上分别具有至少一个接触区域(22、24、26)，并且其中，面向所述电路载体(14)的至少一个接触区域(22、24)与所述电路载体(14)的联接区域(28、30)电接触，
2.根据权利要求1所述的电子布置结构，
3.根据权利要求1或2所述的电子布置结构，
4.根据权利要求1至3...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·基德罗斯基，H·韦安德，J·梅克巴赫，L·勒伯尔，A·S·费舍尔，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。