【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及表面发射装置和用于制造表面发射装置的方法。
技术介绍
1、非专利文献1和专利文献1公开了作为表面发射装置的垂直腔表面发射激光器(vcsel)。在表面发射装置中，alas/gaas分布的布拉格反射器“dbr”基板被粘贴到inp有源层的上侧和下侧，并且利用dbr基板形成反射器。
2、根据以这种方式配置的表面发射装置，因为dbr基板具有优异的散热性，所以可以获得优异的特性。
3、引用列表
4、专利文献
5、非专利文献1：andrei caliman.et al.“8mw fundamental mode output ofwafer fused vcsels emitting in the 1550-nm band.”,optics express,vol.19,no.18,pp.16996-17001,29august 2011。
6、专利文献1：日本未经审查专利申请公开第2008-283053号。
技术实现思路
1、表面发射装置采用嵌入隧道结(btj)结构。在嵌入隧道结结构中，控制电流，并且控制光学限制。
2、顺便提及，为了降低掩埋隧道结结构中的电压，半导体材料和掺杂浓度受到限制，并且难以自由地控制光学限制。因此，期望表面发射装置实现电流控制和光学限制控制两者。
3、根据本公开的第一模式的表面发射装置包括：半导体层，该半导体层包括第一晶体材料；反射层，形成在该半导体层上、包括晶格常数或晶体结
4、根据本公开的第二模式的表面发射装置包括依次层叠的第一反射层、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第二反射层，其中，第一半导体层、第二半导体层或第一半导体层和第二半导体层二者包括第一晶体材料，第一反射层、第二反射层或第一反射层和第二反射层两者包括晶格常数或晶体结构不同于第一晶体材料的第二晶体材料并且具有台面形状，该表面发射装置进一步包括光收缩区域，该光收缩区域在第一反射层、第二反射层或第一反射层和第二反射层两者的一部分中控制光学限制。
5、根据本公开的第三模式的一种用于制造表面发射装置的方法包括：用第一晶体材料形成半导体层；用晶格常数或晶体结构不同于第一晶体材的第二晶体材料在半导体层上形成反射层；将反射层形成为台面形状；以及在反射层的一部分中形成控制光学限制的光收缩区域。
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1.一种表面发射装置，包括：
2.根据权利要求1所述的表面发射装置，其中，所述光收缩区域包括从所述台面形状的侧表面向内氧化的区域。
3.根据权利要求1所述的表面发射装置，其中，所述半导体层包括作为所述第一晶体材料的InP。
4.根据权利要求1所述的表面发射装置，其中，所述反射层包括作为所述第二晶体材料的GaAs和AlGaAs，所述GaAs和所述AlGaAs彼此层叠。
5.根据权利要求4所述的表面发射装置，其中，通过氧化插入在所述GaAs与所述AlGaAs之间的AlAs的一部分来形成所述光收缩区域。
6.一种表面发射装置，包括：
7.根据权利要求6所述的表面发射装置，进一步包括：
8.根据权利要求6所述的表面发射装置，进一步包括：
9.根据权利要求6所述的表面发射装置，进一步包括：
10.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，所述光收缩区域包括从所述台面形状的侧表面向内氧化的区域。
11.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，所述第一半导体层或所述第二半导体层
12.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，所述第一反射层或所述第二反射层包括作为所述第二晶体材料的GaAs和AlGaAs，所述GaAs和所述AlGaAs彼此层叠。
13.根据权利要求12所述的表面发射装置，其中，通过氧化插入在所述GaAs与所述AlGaAs之间的AlAs的一部分来形成所述光收缩区域。
14.根据权利要求7所述的表面发射装置，其中，所述隧道结层包括电流收缩区域或掩埋隧道结层，所述电流收缩区域包括在所述隧道结层周围注入的杂质。
15.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，所述第一反射层、所述第二反射层或所述第一反射层和所述第二反射层两者的一部分形成为所述台面形状。
16.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，
17.根据权利要求12所述的表面发射装置，其中，所述光收缩区域形成在与所述发光层间隔所述第一反射层或所述第二反射层一个周期或更长的位置处。
18.一种用于制造表面发射装置的方法，包括：
19.根据权利要求18所述的用于制造表面发射装置的方法，其中，通过从所述反射层的所述台面形状的侧表面向内氧化所述反射层的一部分来形成所述光收缩区域。
20.根据权利要求18所述的用于制造表面发射装置的方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种表面发射装置，包括：
2.根据权利要求1所述的表面发射装置，其中，所述光收缩区域包括从所述台面形状的侧表面向内氧化的区域。
3.根据权利要求1所述的表面发射装置，其中，所述半导体层包括作为所述第一晶体材料的inp。
4.根据权利要求1所述的表面发射装置，其中，所述反射层包括作为所述第二晶体材料的gaas和algaas，所述gaas和所述algaas彼此层叠。
5.根据权利要求4所述的表面发射装置，其中，通过氧化插入在所述gaas与所述algaas之间的alas的一部分来形成所述光收缩区域。
6.一种表面发射装置，包括：
7.根据权利要求6所述的表面发射装置，进一步包括：
8.根据权利要求6所述的表面发射装置，进一步包括：
9.根据权利要求6所述的表面发射装置，进一步包括：
10.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，所述光收缩区域包括从所述台面形状的侧表面向内氧化的区域。
11.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，所述第一半导体层或所述第二半导体层包括作为所述第一晶体材料的inp。
12.根据权利要求6所述的表面发射装置，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：横关弥树博，中岛博，笠原大尔，塩见治典，渡边知雅，田中雅之，
申请(专利权)人：索尼集团公司，
类型：发明
国别省市：
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