【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池片电镀蚀刻，具体是一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法。
技术介绍
1、在太阳能电池片生产工艺中，需要在铜种子层上覆盖掩膜层经过曝光显影后电镀，电镀完毕后去除掩膜层，此时电池片裸露种子层铜和电镀层铜，为了实现电池片特有的栅线结构，需要去除种子层铜，种子层铜厚度一般为100至150nm。
2、太阳能电池片传统蚀刻方法，通常将药液经过泵浦作用到管路喷嘴，再喷出至太阳能电池片表面，利用氧化还原反应，将电池上的cu0氧化成cu2+溶解在蚀刻液中，达到蚀刻去除电镀种子层的目的，利用此原理，蚀刻太阳能电池片电镀铜的种子层，保留铜栅线，形成太阳能电池的电极。蚀刻精度只能通过调解泵浦压力无法实现准确控制，容易造成蚀刻过量，破坏正常的电镀铜层，同时蚀刻药液使用量较大，蚀刻液中cu2+浓度达到一定数值时(约45g//l，蚀刻药液中铜离子含量达到一定数值时，将会达到饱和)，蚀刻效率变得很低，需要定期(约一周)更换，更换用时4至5h，给排放造成较大的污染，同时也是资源浪费。
3、现有技术的不足之处在于：现有技术中的太阳能电池片蚀刻方法，对蚀刻的精度控制比较困难，容易造成蚀刻过度或蚀刻不净等问题，同时需要定期更换蚀刻液，会造成排放量较大，定期更换药液也给生产造成一定时间的生产停滞，且采用药水蚀刻，会对栅线的侧壁造成攻击，为了确保导电性，需要把栅线做的更宽，这就使得遮光面积变大，电池片的转换效率随之降低。因此，本领域技术人员提供了一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。>
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，具体包括以下步骤：
3、s01：去胶处理：对电镀后的电池片进行去胶处理；
4、s02：反电解处理：对上述去胶后的电池片放入电镀铜的槽液中，通入适当电流，通电后电池片作为阳极，通过电荷移动，将电池片上的铜，转变成铜离子，氧化去除电池片上pvd铜种子层；
5、s03：铜离子回收：在槽液中铜离子浓度达到一定量，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上。
6、作为本专利技术进一步的方案：所述s02反电解处理中电池片上的铜被氧化成二价铜离子，从而和槽液中的硫酸根离子结合，变成硫酸铜。
7、作为本专利技术再进一步的方案：所述s02反电解处理中适当电流为电流大小依据电池片的总面积设定，按照1asd的电流密度。
8、作为本专利技术再进一步的方案：所述s02反电解处理中槽液包括硫酸100g/l。
9、作为本专利技术再进一步的方案：所述s03铜离子回收中铜离子浓度达到一定量为，铜离子浓度达到45g//l时。
10、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
11、1、本专利技术通过对电镀后的电池片进行去胶处理后在进行反电解处理，达到对太阳能电池片种子层被溶解的目的，同时在槽液中铜离子浓度达到一定量时(铜含量达到40g/l)，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，利用电镀的原理，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上，实现药液的低消耗量、低排放量，为原有技术排放量的1/10，达到节约能源和排放减少污染的效果，本专利技术不仅实现高精度蚀刻，而且能长期循环使用，提升工作效率，减少药液排放。
12、2、本专利技术采用反电解的方法去除pvd铜种子层，是利用金属铜在得到电子的时候，发生氧化反应，0价的铜变成﹢2价铜，从而达到去除pvd铜种子层的目的，而且在去除铜种子层的同时主要作用在表面层，不会对电池片栅线的侧壁造成伤害，从而保证了栅线的导电性，本专利技术能够在提高电池片发电效率的同时，将电池片的栅线做的更细。
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1.一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述S02反电解处理中电池片上的铜被氧化成二价铜离子，从而和槽液中的硫酸根离子结合，变成硫酸铜。
3.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述S02反电解处理中适当电流为电流大小依据电池片的总面积设定，按照1ASD的电流密度。
4.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述S02反电解处理中槽液包括硫酸100g/L。
5.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述S03铜离子回收中铜离子浓度达到一定量为，铜离子浓度达到45g//L时。
【技术特征摘要】
1.一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述s02反电解处理中电池片上的铜被氧化成二价铜离子，从而和槽液中的硫酸根离子结合，变成硫酸铜。
3.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述s02反电解处理中...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴延斌，杨欣，冯良波，
申请(专利权)人：苏州皓申智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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