System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种半导体激光器轻量化光束整形方法技术_技高网

一种半导体激光器轻量化光束整形方法技术

技术编号:40995550 阅读:9 留言:0更新日期:2024-04-18 21:36
本发明专利技术涉及半导体激光器技术领域,公开了一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其中,方法包括以下步骤;步骤一、确定激光器参数和要求的光斑尺寸:15bar,单bar200W,总功率3000W半导体叠阵激光器;步骤二、对芯片出光进行快轴准直,使用直径为1mm,长度15mm,表面镀有808nm高反膜,材质为熔融石英的圆柱面镜,放置在芯片正上方,距离芯片0.1mm,可将快轴发散角由32°压缩至6°,且光损较小,光损为3%。相较于传统的使用导光晶体进行光束整形的方法,本方法在尺寸和重量方面具有显著优势,尤其适用于那些激光器本身较重的设备。通过采用本方法,脱毛手具的体积和重量得以减小,同时光斑均匀度得到提高,综合使用成本降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器,具体为一种半导体激光器轻量化光束整形方法


技术介绍

1、半导体激光器是一种利用半导体材料发射激光的装置。它通常由一块半导体材料制成,其中包含有源和泵浦两个区域,当外加电流或光能激发半导体材料时,源区域产生光子并发射出激光,从而形成激光器的输出。

2、半导体激光器具有体积小、效率高、响应速度快、功耗低等优点,因此在通信、医疗、材料加工、光存储领域得到广泛应用。而且它们被广泛用于光纤通信系统中作为光源,以及在激光打印机、激光雷达、激光医疗设备方面也有重要应用。

3、半导体激光器脱毛相对于其他方式脱毛,优点在于无痛、不留瘢痕、高效、操作便捷,并且可以达到永久脱毛的效果。因此,激光脱毛广受消费者喜爱,脱毛产品也越来越丰富,同时,对脱毛产品要求也日益增高,不仅是光斑均匀度方面,还涉及重量、体积、脉宽等。为了追求无感脱毛,大功率窄脉宽激光器应运而生,但是重量又随之增加,尤其是加上导光晶体之后,手具更加笨重。

4、因此,迫切需要一种能够实现半导体激光器轻量化光束整形的方法,该方法应当能适用于轻量化、便携式的激光器系统。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种半导体激光器轻量化光束整形方法,解决了大功率窄脉管激光器应运而生,导致重量随之增加,手具更加笨重的问题。

2、为实现以上目的,本专利技术通过以下技术方案予以实现:一种半导体激光器轻量化光束整形方法,包括以下步骤;

3、步骤一、确定激光器参数和要求的光斑尺寸:15bar,单bar200w,总功率3000w半导体叠阵激光器;

4、步骤二、对芯片出光进行快轴准直,使用直径为1mm,长度15mm,表面镀有808nm高反膜,材质为熔融石英的圆柱面镜,放置在芯片正上方,距离芯片0.1mm,可将快轴发散角由32°压缩至6°,且光损较小,光损为3%;

5、步骤三、利用柱面镜的光学特性,使光束经过柱面镜后重新叠加,改变光路尺寸,借助zemax非序列模式,使用双锥透镜进行仿真,材料设置为jgs1熔融石英,快轴方向(y方向)尺寸大于模组尺寸,发散角为6°,设置为h=34mm,慢轴方向(x方向)大于模组尺寸,慢轴发散角为4°,设置为l=14mm,曲率半径为60mm,入光面和出光面半径相同,柱面镜厚度d=6mm,柱面镜距离芯片出光面2.1mm,快轴方向在靶面尺寸为20mm;

6、步骤四、在柱面镜之后,沿激光束传播的z方向放置两块外壳,外壳内侧放置镀有808nm波段全反射膜的反射镜,两反射镜之间距离为12mm平行z轴放置,使用介质膜可以达到很高的反射率,光损在1%,全反射镜尺寸为z方向25mm,y方向36mm,x方向为1mm;

7、步骤五、蓝宝石窗口片紧贴全反射镜内侧放置,距离芯片出光面32mm;

8、步骤六、在zemax非序列模式下建立上述模型,仿真得到光斑灰度图和行截面、列截面能量密度分布。

9、优选的,所述步骤一中激光器模组面积为31mm×10mm,在距离芯片出光面34mm处,得到12mm×20mm矩形均匀光斑。

10、优选的,所述步骤四中光束通过12mm×22mm蓝宝石窗口片出射,在靶面形成12mm×20mm光斑,使用matlab计算各采样点强度值,计算rms得光斑均匀度为88%。

11、优选的,所述步骤四中光束经过圆柱面镜之后,从abcd面入射进柱面镜,从efgh面出射。

12、优选的,所述步骤五中蓝宝石窗口片为12mm×22mm镀808nm增透膜的蓝宝石窗口片。

13、一种半导体激光器轻量化光束整形装置,包括蓝宝石窗口片,所述蓝宝石窗口片前后两侧均设置有全反射镜,两个所述全反射镜左侧设置有柱面镜,所述柱面镜左侧设置有多个圆柱面镜,所述圆柱面镜内部固定连接有激光器发光芯片,两个所述全反射镜右侧设置有靶面,所述靶面左侧紧贴蓝宝石窗口片右侧。

14、优选的,所述圆柱面镜为15根直径1mm,长度15mm,对封装好的bar条模组进行快轴发散角压缩,使用六维调节治具将圆柱面镜放置在bar条芯片正上方0.08mm处,所述圆柱面镜两端在模组两侧的陶瓷支架上用uv胶固定,将快轴发散角由32°压缩至6°。

15、优选的,所述圆柱面镜采用熔融石英材质,该材质对红外波段吸收较小,光损小,所述圆柱面镜表面镀808nm增透膜,使得透过率在99%以上。

16、优选的,所述柱面镜采用jgs1石英材质,该材质在808nm波段透过率很高,且两个光学面abcd和efgh镀808波段增透膜,使得透过率在99%以上,所述柱面镜的中心与激光器bar条模组中心同心,所述柱面镜在圆柱面镜后1mm处放置。

17、优选的,两个所述全反射镜的侧板之间相互平行,并平行于激光器模组面的法线,所述激光器模组、圆柱面镜阵列、柱面镜、蓝宝石窗口片同心放置,保证光路同心,所述全反射镜与总系统的光轴平行。

18、工作原理:首先使用圆柱面镜将芯片出光快轴发散角由32°压缩至6°,然后入射进一块快轴方向存在曲率的柱面镜,经过此柱面镜可以压缩快轴方向光斑尺寸,光束通过柱面镜之后,快轴方向光束向中心处以某一起始角传播,慢轴方向存在沿着柱面镜外边缘伸出的两块全反射镜,用于反射边缘光束,然后,光束通过一块12mm×22mm蓝宝石窗口片,最终,在靶面会得到12mm×20mm矩形均匀光斑。

19、本专利技术提供了一种半导体激光器轻量化光束整形方法。具备以下有益效果:

20、本专利技术相较于传统的使用导光晶体进行光束整形的方法,本方法在尺寸和重量方面具有显著优势,尤其适用于那些激光器本身较重的设备。通过采用本方法,脱毛手具的体积和重量得以减小,同时光斑均匀度得到提高,综合使用成本降低。

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【技术保护点】

1.一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,包括以下步骤;

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤一中激光器模组面积为31mm×10mm,在距离芯片出光面34mm处,得到12mm×20mm矩形均匀光斑。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤四中光束通过12mm×22mm蓝宝石窗口片(6)出射,在靶面(5)形成12mm×20mm光斑,使用MATLAB计算各采样点强度值,计算RMS得光斑均匀度为88%。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤四中光束经过圆柱面镜(1)之后,从ABCD面入射进柱面镜(3),从EFGH面出射。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤五中蓝宝石窗口片(6)为12mm×22mm镀808nm增透膜的蓝宝石窗口片。

6.一种半导体激光器轻量化光束整形装置,依据权利要求1-5中任意一项所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,包括蓝宝石窗口片(6),其特征在于,所述蓝宝石窗口片(6)前后两侧均设置有全反射镜(4),两个所述全反射镜(4)左侧设置有柱面镜(3),所述柱面镜(3)左侧设置有多个圆柱面镜(1),所述圆柱面镜(1)内部固定连接有激光器发光芯片(2),两个所述全反射镜(4)右侧设置有靶面(5),所述靶面(5)左侧紧贴蓝宝石窗口片(6)右侧。

7.根据权利要求6所述的一种半导体激光器轻量化光束整形装置,其特征在于,所述圆柱面镜(1)为15根直径1mm,长度15mm,对封装好的bar条模组进行快轴发散角压缩,使用六维调节治具将圆柱面镜(1)放置在bar条芯片正上方0.08mm处,所述圆柱面镜(1)两端在模组两侧的陶瓷支架上用UV胶固定,将快轴发散角由32°压缩至6°。

8.根据权利要求6所述的一种半导体激光器轻量化光束整形装置,其特征在于,所述圆柱面镜(1)采用熔融石英材质,该材质对红外波段吸收较小,光损小,所述圆柱面镜(1)表面镀808nm增透膜,使得透过率在99%以上。

9.根据权利要求6所述的一种半导体激光器轻量化光束整形装置,其特征在于,所述柱面镜(3)采用JGS1石英材质,该材质在808nm波段透过率很高,且两个光学面ABCD和EFGH镀808波段增透膜,使得透过率在99%以上,所述柱面镜(3)的中心与激光器bar条模组中心同心,所述柱面镜(3)在圆柱面镜(1)后1mm处放置。

10.根据权利要求6所述的一种半导体激光器轻量化光束整形装置,其特征在于,两个所述全反射镜(4)的侧板之间相互平行,并平行于激光器模组面的法线,所述激光器模组、圆柱面镜(1)阵列、柱面镜(3)、蓝宝石窗口片(6)同心放置,保证光路同心,所述全反射镜(4)与总系统的光轴平行。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,包括以下步骤;

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤一中激光器模组面积为31mm×10mm,在距离芯片出光面34mm处,得到12mm×20mm矩形均匀光斑。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤四中光束通过12mm×22mm蓝宝石窗口片(6)出射,在靶面(5)形成12mm×20mm光斑,使用matlab计算各采样点强度值,计算rms得光斑均匀度为88%。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤四中光束经过圆柱面镜(1)之后,从abcd面入射进柱面镜(3),从efgh面出射。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,其特征在于,所述步骤五中蓝宝石窗口片(6)为12mm×22mm镀808nm增透膜的蓝宝石窗口片。

6.一种半导体激光器轻量化光束整形装置,依据权利要求1-5中任意一项所述的一种半导体激光器轻量化光束整形方法,包括蓝宝石窗口片(6),其特征在于,所述蓝宝石窗口片(6)前后两侧均设置有全反射镜(4),两个所述全反射镜(4)左侧设置有柱面镜(3),所述柱面镜(3)左侧设置有多个圆柱面镜(1),所述圆柱面镜(1)内部固定连接有激光器发光芯片(2),两个所述全反射镜(4)右...

【专利技术属性】
技术研发人员:张佳晨
申请(专利权)人:西安欧益光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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