【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种显影后冲洗装置。
技术介绍
1、栅极氧化物完整性(gate oxide integrity，goi)对互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)器件的漏电流和耐压性能具有至关重要的作用。在栅氧制造工艺中，晶圆中残留有电荷会影响后续薄栅的湿蚀刻速率，同时薄栅沉积完后部分电荷会进入到栅氧化层中，逃逸到栅氧化层中的电荷，在后续制程中难以去除，最终导致goi失效。因此，如何避免晶圆中电荷残留是一大难题。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种显影后冲洗装置，以解决晶圆中残留有电荷的问题。
2、本申请提供一种显影后冲洗装置，包括喷嘴和吸盘，所述喷嘴的数量至少有5个，至少5个所述喷嘴与一所述吸盘对应设置，每一所述吸盘用于放置一晶圆，所述喷嘴用于喷射去离子水，每一所述喷嘴流出的所述去离子水的水流量为30-200l/h，每一所述吸盘的转速为30-80r/min。
3、其中，每一所述喷嘴与所述晶圆之间的距离为5-65mm。
4、其中，每一所述喷嘴与所述晶圆之间的夹角为40-140°。
5、其中，每一所述喷嘴喷射去离子水的水流速为1.5-3l/min。
6、其中，每一所述喷嘴的直径为6.35-12.7mm。
7、其中，每一所述喷嘴流出的所述去离子水的水流量为70l/h，所述吸盘的转速为66.5r/min。
8、其中，每
9、其中，每一所述喷嘴流出的所述去离子水的水流量为90l/h，所述吸盘的转速为67.5r/min。
10、其中，自所述晶圆朝向所述吸盘的方向上，所述吸盘的正投影位于所述晶圆的正投影内。
11、其中，每一所述喷嘴流出的所述去离子水的水流量为60-100l/h，所述吸盘的转速为55-70r/min。
12、本申请提供一种显影后冲洗装置，包括喷嘴和吸盘，喷嘴的数量至少有5个，至少5个喷嘴与一吸盘对应设置，每一吸盘用于放置一晶圆，喷嘴用于喷射去离子水，每一喷嘴流出的去离子水的水流量为30-200l/h，每一吸盘的转速为30-80r/min。在本申请中，通过对喷嘴以及吸盘的改进，即通过将喷嘴喷射去离子水的水流量设置在30-200l/h，吸盘的转速设置在30-80r/min，以减小喷嘴的水流量和晶圆转速，来减小去离子水与晶圆表面的摩擦力，从而降低晶圆在显影的过程中，产生静电，从而提高了栅极氧化物完整性，同时将喷嘴的数量设置为至少5个与一吸盘对应设置，以保证光刻胶和显影液反应物去除干净，即采用此种方式可以减弱薄栅显影后冲洗的过程中的充电效应。
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1.一种显影后冲洗装置，其特征在于，包括喷嘴和吸盘，所述喷嘴的数量至少有5个，至少5个所述喷嘴与一所述吸盘对应设置，每一所述吸盘用于放置一晶圆，所述喷嘴用于喷射去离子水，每一所述喷嘴用于喷射出的所述去离子水的水流量为30-200L/h，每一所述吸盘用于将所述晶圆置于转速为30-80r/min中。
2.根据权利要求1所述的显影后冲洗装置，其特征在于，每一所述喷嘴与所述晶圆之间的距离为5-65mm。
3.根据权利要求1所述的显影后冲洗装置，其特征在于，每一所述喷嘴与所述晶圆之间的夹角为40-140°。
4.根据权利要求1所述的显影后冲洗装置，其特征在于，每一所述喷嘴的直径为6.35-12.7mm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显影后冲洗装置，其特征在于，自所述晶圆朝向所述吸盘的方向上，所述吸盘的正投影位于所述晶圆的正投影内。
【技术特征摘要】
1.一种显影后冲洗装置，其特征在于，包括喷嘴和吸盘，所述喷嘴的数量至少有5个，至少5个所述喷嘴与一所述吸盘对应设置，每一所述吸盘用于放置一晶圆，所述喷嘴用于喷射去离子水，每一所述喷嘴用于喷射出的所述去离子水的水流量为30-200l/h，每一所述吸盘用于将所述晶圆置于转速为30-80r/min中。
2.根据权利要求1所述的显影后冲洗装置，其特征在于，每一所述喷嘴与所述晶圆之间的距...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁斌，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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