【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，更具体的说是涉及一种自加热纳米压印工艺。
技术介绍
1、纳米压印光刻被宣传为一种简单、低成本、高分辨率的工艺。这是一种1×光刻法，其中将模具压入材料中以形成图案。纳米压印适用于大学实验室研究、设备原型设计、制造和许多其他应用。
2、纳米压印技术可以不受光刻机线宽的限制，只要提供一个相应的模板就可以完成高精度光刻。当前纳米压印技术已经逐渐开始应用于pss等
然而纳米压印也存在其一定局限性，其中之一就是传统的纳米压印技术是在压印光刻胶过程中由设备进行加热固化光刻胶柱，其会导致热损耗大、加热精度低、散热慢，导致压印膜较易硬化且光刻胶柱不稳定等问题。
3、因此，研究出一种热损耗小、散热快，且加热可控的自加热纳米压印工艺是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种热损耗小、散热快，且加热可控的自加热纳米压印工艺。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种自加热纳米压印工艺，包括如下压印步骤：
4、s1，选择所需的图形化基板；
5、s2，在选好的图形化基板上成型带有导电薄膜的压印胶；
6、s3，待步骤s2中带有导电薄膜的压印胶固化后，将其整体从图形化基板上进行剥离，得到图形化电极结构；
7、s4，在衬底上旋涂光刻胶，然后将图形化电极结构带有图形的一侧覆盖到光刻胶上，并施加压力，进行压印形成胶柱，然后打开电源为
8、采用上述技术方案的有益效果是，本专利技术的图形化电极结构内部有导电薄膜，将导电薄膜通电后，可以对胶柱进行加热，使其固化，此种加热方式的热损耗小、散热快，并且可通过调整到导电薄膜的电阻、通入的电压来控制加热的温度和速度。
9、优选的，步骤s2中的压印胶选用硅胶或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。
10、优选的，步骤s2中的导电薄膜选用金属纳米线或导电聚合物或碳基材料。
11、优选的，步骤s2中先在图形化基板上喷涂一层透明导电薄膜，然后在已经镀膜的图形化基板上覆盖一层液态压印胶，得到带有导电薄膜的压印胶。压印胶要包裹住导电薄膜，并将导电薄膜一起从图形化基板上剥离掉。
12、优选的，步骤s3中得到图形化电极结构后，在图像化电极结构上引出正负电极，然后与电源连接。
13、优选的，步骤s2中先在图形化基板上镀上第一层液态压印胶；待第一层液态压印胶固化后在其上表面进行等离子清洗，清洗完后在第一层液态压印胶上表面喷涂一层透明导电薄膜；然后在导电薄膜的上表面镀上第二层液态压印胶，得到带有导电薄膜的压印胶。
14、优选的，在第一层液态压印胶上喷涂透明导电薄膜后，先在导电薄膜上引出正负电极，然后再镀第二层液态压印胶。先将正负电极引出，再镀第二层液态压印胶，方便将导电薄膜与电源连接。
15、优选的，步骤s2中先在图形化基板上镀上第一层液态压印胶；待第一层液态压印胶固化后在其上表面覆盖一层复合自支撑透明导电薄膜，然后在复合自支撑透明导电薄膜的上表面镀上第二层液态压印胶，得到带有导电薄膜的压印胶。
16、优选的，在平面衬底上镀一层银纳米线基透明导电薄膜，然后再在其表面镀一层液态pva，并固化，然后将其从平面衬底上剥离，得到复合自支撑透明导电薄膜。
17、优选的，得到复合自支撑透明导电薄膜后，先引出正负电极，然后在复合自支撑透明导电薄膜上镀第二层液态压印胶。
18、经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开提供了一种自加热纳米压印工艺，其有益效果为：
19、(1)本专利技术中的图形化电极结构内有导电薄膜，可以进行自加热纳米压印，不再使用纳米压印机自身加热的方式，可以提升纳米压印膜寿命和光刻胶柱的稳定性；
20、(2)通过导电薄膜自加热进行纳米压印的工艺，具有热损耗小、散热快、成本低的特点，并且可通过调整膜电阻、通入电压来控制温度及加热速度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，包括如下压印步骤：
2.根据权利要求1所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中的压印胶(6)选用硅胶或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。
3.根据权利要求2所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中的导电薄膜(5)选用金属纳米线或导电聚合物或碳基材料。
4.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中先在图形化基板(1)上喷涂一层透明导电薄膜(5)，然后在已经镀膜的图形化基板(1)上覆盖一层液态压印胶，得到带有导电薄膜的压印胶。
5.根据权利要求4所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S3中得到图形化电极结构后，在图像化电极结构上引出正负电极，然后与电源连接。
6.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中先在图形化基板(1)上镀上第一层液态压印胶(7)；待第一层液态压印胶(7)固化后在其上表面进行等离子清洗，清洗完后在第一层液态压印胶(7)上表面喷涂一层透明导电薄膜(5)；然后在导电薄膜(5)的上表面镀上第二
7.根据权利要求6所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，在第一层液态压印胶(7)上喷涂透明导电薄膜后，先在导电薄膜(5)上引出正负电极，然后再镀第二层液态压印胶(8)。
8.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中先在图形化基板(1)上镀上第一层液态压印胶(7)；待第一层液态压印胶(7)固化后在其上表面覆盖一层复合自支撑透明导电薄膜(9)，然后在复合自支撑透明导电薄膜(9)的上表面镀上第二层液态压印胶(8)，得到带有导电薄膜的压印胶。
9.根据权利要求8所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，在平面衬底上镀一层银纳米线基透明导电薄膜，然后再在其表面镀一层液态PVA，并固化，然后将其从平面衬底上剥离，得到复合自支撑透明导电薄膜(9)。
10.根据权利要求9所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，得到复合自支撑透明导电薄膜(9)后，先引出正负电极，然后在复合自支撑透明导电薄膜(9)上镀第二层液态压印胶(8)。
...【技术特征摘要】
1.一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，包括如下压印步骤：
2.根据权利要求1所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中的压印胶(6)选用硅胶或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。
3.根据权利要求2所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中的导电薄膜(5)选用金属纳米线或导电聚合物或碳基材料。
4.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中先在图形化基板(1)上喷涂一层透明导电薄膜(5)，然后在已经镀膜的图形化基板(1)上覆盖一层液态压印胶，得到带有导电薄膜的压印胶。
5.根据权利要求4所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s3中得到图形化电极结构后，在图像化电极结构上引出正负电极，然后与电源连接。
6.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中先在图形化基板(1)上镀上第一层液态压印胶(7)；待第一层液态压印胶(7)固化后在其上表面进行等离子清洗，清洗完后在第一层液态压印胶(7)上表面喷涂一层透明导电薄膜(5)；然后在导电薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨志伟，宋立军，
申请(专利权)人：吉林工业职业技术学院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。