【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，集成电路内半导体元件的密度随之增加，相邻的半导体元件之间的间距也随之缩小，相邻的半导体元件通过侧墙结构隔离。例如动态随机存储器(dynamic randomaccess memory，dram)，其通常包括存储电容器以及电性连接存储电容器的存储晶体管，存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及存储晶体管可通过一节点接触部电性连接存储电容器。目前，为了保证位线和接触结构之间具有较好的隔离性能，则通常需要确保位线和节点接触部之间的侧墙结构的完整性，避免侧墙结构受到损伤，影响侧墙结构的稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，以改善侧墙结构的稳定性。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底上形成有若干条位线，所述位线的侧壁形成有侧墙结构，所述侧墙结构包括氧化层；
4、形成第一牺牲层填充于相邻所述位线之间，且第一牺牲层的顶部低于所述位线的顶部；
5、形成第二牺牲层位于所述第一牺牲层上，所述第二牺牲层暴露出所述氧化层；
6、以所述第二牺牲层为掩膜，刻蚀去除部分高度的所述氧化层以在所述侧墙结构中形成空隙；
7、形成隔离层填充所述空隙且位于剩余的所述氧化层上；
8、去除所述第一牺牲层和部分所述第二牺牲层。
9、可选的，
10、可选的，形成所述第一牺牲层的步骤包括：
11、形成所述第一牺牲层填充于相邻所述位线之间，且所述第一牺牲层覆盖所述位线的顶部；
12、执行研磨工艺，使得所述第一牺牲层的顶部与所述第二侧墙层的顶部齐平；
13、执行干法刻蚀工艺，刻蚀所述第一牺牲层使得所述第一牺牲层的顶部低于所述位线的顶部。
14、可选的，形成所述第二牺牲层的步骤包括：
15、形成所述第二牺牲层位于所述第一牺牲层上，且所述第二牺牲层的顶部高于所述第二侧墙层的顶部；
16、执行干法刻蚀工艺，刻蚀所述第二牺牲层使得所述第二牺牲层的顶部与所述位线的顶部齐平且暴露出所述氧化层。
17、可选的，所述空隙的两侧分别为所述第一侧墙层和所述第二侧墙层，所述空隙的底部为剩余的所述氧化层。
18、可选的，执行湿法刻蚀工艺刻蚀去除部分高度的所述氧化层。
19、可选的，所述位线包括由下至上依次堆叠的多晶硅层、金属层和封盖层，剩余的所述氧化层的顶部高于所述金属层的顶部。
20、可选的，形成所述第二牺牲层之前，还包括对所述第一牺牲层执行图案化工艺以形成独立的通孔；形成所述第二牺牲层时，所述第二牺牲层填充所述通孔。
21、可选的，形成所述隔离层填充所述空隙时，且所述隔离层还位于所述第二牺牲层和所述位线上。
22、可选的，去除所述第一牺牲层和部分所述第二牺牲层的步骤包括：
23、执行干法刻蚀工艺，刻蚀去除所述第一牺牲层上的第二牺牲层和隔离层以及所述位线上的隔离层，保留位于所述通孔内的第二牺牲层以形成独立的隔离柱；
24、执行湿法刻蚀工艺，刻蚀去除所述第一牺牲层。
25、可选的，所述位线的顶层为封盖层，在刻蚀去除所述隔离层时，刻蚀去除所述封盖层的部分厚度。
26、可选的，去除所述第一牺牲层后，形成位于相邻所述隔离柱之间的连接孔，且形成接触结构填充所述连接孔。
27、在本专利技术提供的半导体器件的制备方法中，包括：提供衬底，衬底上形成有若干条位线，位线的侧壁形成有侧墙结构，侧墙结构包括氧化层；形成第一牺牲层填充于相邻位线之间，且第一牺牲层的顶部低于位线的顶部；形成第二牺牲层位于第一牺牲层上，第二牺牲层暴露出氧化层；以第二牺牲层为掩膜，刻蚀去除部分高度的氧化层以在侧墙结构中形成空隙；形成隔离层填充空隙且位于剩余的氧化层上；去除第一牺牲层和部分第二牺牲层。本专利技术通过先刻蚀去除部分高度的氧化层以在侧墙结构中形成空隙，然后形成隔离层填充空隙，隔离层能够保护氧化层，避免因氧化层暴露而导致侧墙结构受到破坏，从而改善侧墙结构的稳定性。
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1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙结构还包括第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述位线的侧壁，所述氧化层覆盖所述第一侧墙层，所述第二侧墙层覆盖所述氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一牺牲层的步骤包括：
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二牺牲层的步骤包括：
5.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述空隙的两侧分别为所述第一侧墙层和所述第二侧墙层，所述空隙的底部为剩余的所述氧化层。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，执行湿法刻蚀工艺刻蚀去除部分高度的所述氧化层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述位线包括由下至上依次堆叠的多晶硅层、金属层和封盖层，剩余的所述氧化层的顶部高于所述金属层的顶部。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二牺牲层之前，还包
9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述隔离层填充所述空隙时，且所述隔离层还位于所述第二牺牲层和所述位线上。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层和部分所述第二牺牲层的步骤包括：
11.如权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述位线的顶层为封盖层，在刻蚀去除所述隔离层时，刻蚀去除所述封盖层的部分厚度。
12.如权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层后，形成位于相邻所述隔离柱之间的连接孔，且形成接触结构填充所述连接孔。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙结构还包括第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述位线的侧壁，所述氧化层覆盖所述第一侧墙层，所述第二侧墙层覆盖所述氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一牺牲层的步骤包括：
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二牺牲层的步骤包括：
5.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述空隙的两侧分别为所述第一侧墙层和所述第二侧墙层，所述空隙的底部为剩余的所述氧化层。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，执行湿法刻蚀工艺刻蚀去除部分高度的所述氧化层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述位线包括由下至上依次堆叠的多晶硅层、金...
【专利技术属性】
技术研发人员：许艺蓉，张钦福，冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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