【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种炉管设备的清洗方法及半导体工艺方法。
技术介绍
1、在集成电路制造工艺中，通常会采用含氯的气体对炉管设备的反应腔进行清洗，但清洗炉管设备之后，气体中的氯离子会残留在反应腔中，在采用炉管设备执行氧化工艺的过程中，反应腔内残留的氯离子会使得氧化速率提高，导致晶圆上形成的氧化层的厚度变厚，从而影响氧化层的均匀性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种炉管设备的清洗方法及半导体工艺方法，以去除反应腔内的氯离子。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种炉管设备的清洗方法，所述炉管设备包括反应腔，所述炉管设备的清洗方法包括：步骤s1：向所述反应腔内通入第一清洗气体以清洗所述反应腔，所述第一清洗气体为含氯气体；步骤s2：使所述反应腔内的压力处于第一预设压力并向所述反应腔内通入第二清洗气体；步骤s3：将所述反应腔内的压力降低至第二预设压力；步骤s4：将所述反应腔内的压力提高至第三预设压力并向所述反应腔内通入所述第二清洗气体，其中，所述第三预设压力小于所述第一预设压力；以及，步骤s5：重复执行所述步骤s3和步骤s4以清除所述反应腔内的所述第一清洗气体。
3、可选的，在所述的炉管设备的清洗方法中，所述第一清洗气体为氯化氢和/或二氯乙烯。
4、可选的，在所述的炉管设备的清洗方法中，所述第二清洗气体为氮气。
5、可选的，在所述的炉管设备的清洗方法中，重复执行所述步骤s4和所述步骤s5的次数为20次~30次。p>
6、可选的，在所述的炉管设备的清洗方法中，所述第一预设压力为750 torr ~760torr；所述第二预设压力为0.1 torr ~0.2 torr；所述第三预设压力为1 torr~2 torr。
7、基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种半导体工艺方法，包括：在炉管设备的反应腔内进行产品制程工艺；采用如上所述的炉管设备的清洗方法，对所述炉管设备的反应腔进行清洗；提供一控片晶圆和产品晶圆；将所述控片晶圆置于清洗后的所述反应腔内，并执行氧化工艺以在所述控片晶圆上形成测试氧化层；测量所述测试氧化层的厚度，并根据测量结果判断所述反应腔内的清洗洁净度是否达到目标要求，若是，则将所述产品晶圆置于所述反应腔内并对所述产品晶圆执行氧化工艺，以在所述产品晶圆上形成产品氧化层。
8、可选的，在所述的半导体工艺方法中，测量所述测试氧化层的厚度的方法包括：在所述测试氧化层表面预设多个测量点；获取所有所述测量点的厚度值，以得到所有测量点中最大的厚度值和最小的厚度值；获取所述最大的厚度值和所述最小的厚度值之间的差值，并根据所述差值判断所述反应腔内的清洗洁净度是否达到目标要求。
9、可选的，在所述的半导体工艺方法中，通过光学测量仪测量所述测试氧化层的厚度。
10、可选的，在所述的半导体工艺方法中，所述控片晶圆的材质与所述产品晶圆的材质相同。
11、可选的，在所述的半导体工艺方法中，所述测试氧化层的材质与所述产品氧化层的材质均为氧化硅。
12、在本专利技术提供的炉管设备的清洗方法中，通过步骤s1：向所述反应腔内通入第一清洗气体以清洗所述反应腔，第一清洗气体为含氯气体，以去除反应腔内的钠离子、钾离子和氢离子，避免对后续的工艺造成污染；步骤s2：使所述反应腔内的压力处于第一预设压力并向所述反应腔内通入第二清洗气体；步骤s3：将所述反应腔内的压力降低至第二预设压力；步骤s4：将所述反应腔内的压力提高至第三预设压力并向所述反应腔内通入所述第二清洗气体，其中，所述第三预设压力小于所述第一预设压力；以及，步骤s5：重复执行所述步骤s3和步骤s4以清除所述反应腔内的所述第一清洗气体。在去除反应腔内的第一清洗气体的过程中，无需升温或者降温、耗时短以及可以节省能耗，并且在利用第一清洗气体去除反应腔内的钠离子、钾离子和氢离子之后，能够清除反应腔内的第一清洗气体，从而清除反应腔内的含氯气体。
13、在半导体工艺方法中，先通过炉管设备的清洗方法对所述炉管设备的反应腔进行清洗，由此可以去除反应腔内的氯离子，避免反应腔内的氯离子影响后续的氧化工艺，提高产品晶圆上所形成的产品氧化层的均匀性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种炉管设备的清洗方法，所述炉管设备包括反应腔，其特征在于，所述炉管设备的清洗方法包括：
2.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗气体为氯化氢和/或二氯乙烯。
3.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗气体为氮气。
4.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，重复执行所述步骤S4和所述步骤S5的次数为20次~30次。
5.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，所述第一预设压力为750torr ~760 torr；所述第二预设压力为0.1 torr ~0.2 torr；所述第三预设压力为1 torr~2 torr。
6.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体工艺方法，其特征在于，测量所述测试氧化层的厚度的方法包括：
8.如权利要求7所述的半导体工艺方法，其特征在于，通过光学测量仪测量所述测试氧化层的厚度。
9.如权利要求6所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述控片晶圆的材质与所述产品
10.如权利要求9所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述测试氧化层的材质与所述产品氧化层的材质均为氧化硅。
...【技术特征摘要】
1.一种炉管设备的清洗方法，所述炉管设备包括反应腔，其特征在于，所述炉管设备的清洗方法包括：
2.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗气体为氯化氢和/或二氯乙烯。
3.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗气体为氮气。
4.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，重复执行所述步骤s4和所述步骤s5的次数为20次~30次。
5.如权利要求1所述的炉管设备的清洗方法，其特征在于，所述第一预设压力为750torr ~760 torr；所述第二预设压力为0.1 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐意，石朕，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。