一种带多级联衰减电路的片状电阻制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带多级联衰减电路的片状电阻，在长方形基板上沿其长度方向自输入端向终端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻，在各所述衰减电阻之间以设于基板上的中心导带连接，所述基板的两侧部设有接地微带，在基板的两端部设有与所述中心导带连通的端面电极。经过实际验证，使用本实用新型专利技术多级联衰减电路片状电阻所装配的产品，经实际测试指标可以满足工作频率ＤＣ－１８ＧＨｚ，驻波比Ｖｓｅｒ≤１．１５，三阶交调值ＩＭ３≤－１３０ｄｂｃ＠２Ｘ＋４３ｄｂｍ。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电磁波功率电平吸收器件，具体地说是一种带多级联衰减电 路的片状电阻，属于用在通讯、科研、测试等微波领域的产品。技术背景目前，随着通信终端的用户的增多与科技的进步，对网络传递数据、信号功率兼 容、抗干扰的能力提出更高的要求，这就使得微波同轴器件的工作频段、功率容量、反射损 耗、三阶互调、机械稳定性等性能要求越来越高。而现阶段微波同轴器件三阶互调指标较 差、反射损耗较大、机械稳定性低等。如图2所示为普通单级电路负载，电阻7集中印刷于 载体6上，载体6为普通氧化铍方板，电阻7为采用厚膜印刷技术制作的石墨电阻，接地微 带4为与电阻7 —端相连接的接地线，中心导带3将电阻7与焊盘电极8a连接，接地微带 4、连接带5a、接地极5b三者连接实现接地。此种工作原理存在以下四大弊端一是由于当信号功率经外界引线与腔体直接传 输到电阻7上，即整机传输路线为同轴结构到微带线结构，最终才到电阻7，导致其工作频 带窄，反射损耗大；二是信号功率所有的能量一次性的被电阻7全部吸收，导致电阻7在短 时间内急剧升温，极易使电阻7产生打火，导致整机的报废，严重影响整个系统的使用寿命 与使用质量；三是电阻7与接地微带4和中心导带3相连接的部位为直角过度，未经过抛物 线渐变处理，导致信号功率在此处所产生的三阶交调杂物增多，进而对整机的三阶互调性 能产生较大的负面影响；四是无论外界的引线还是腔体与该电阻相连接器是都必须采用焊 接的方式进行，而焊点大小、形状、焊接时间的长短等都会对产品的性能、指标产生一定的 负面影响，导致整机的性能指标一致性极差
技术实现思路
为克服现有技术的缺陷，本技术的目的在于提供一种使用频段宽、反射损耗 小、三阶互调值低、性能稳定、体积小、承载功率大、使用方便、非焊接连接方式的带多级联 衰减电路的片状电阻，从而实现整机优越的性能。本技术解决技术问题采用如下技术方案一种带多级联衰减电路的片状电阻，在长方形基板上沿其长度方向自输入端向终 端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻，在各所述衰减电阻之间以设于基板上的中心导带 连接，所述基板的两侧部设有接地微带，在基板的两端部设有与所述中心导带连通的端面 电极。本技术的结构特点也在于所述各衰减电阻为采用氧化钌材质制作的衰减电阻，其中最靠近基板终端的衰减 电阻为能够对剩余信号功率完全吸收的匹配终端。所述接地微带、中心导带与各衰减电阻之间以弧形的互调角过渡连接。与已有技术相比，本技术的有益效果体现在本技术多级联衰减电路的片状电阻采用薄膜真空溅射技术制作，基板为具 有高品因子特性的高纯度氧化铍方板；基板上自输入端向终端，设置有衰减度依次增大的 采用真空溅射技术制作的氧化钌材质的衰减电阻，为双T型衰减网络，对输入信号功率实 现逐级衰减与分段吸收，避免集中吸收功率产生的局部热冲击。具有工作频段高、反射损 耗小、指标一致性好、可靠性高、承载功率大等优点；经过实际验证，使用本技术多级 联衰减电路片状电阻所装配的产品，经实际测试指标可以满足工作频率DC-18GHZ，驻波比 Vser ^ 1. 15，三阶交调值 IM3 ^ _130dbc@2X+43dbm。本技术是应用双T型衰减电路与悬置微带线思想，将多级联衰减电路电阻置 入到整机中，如图3所示负载内腔为一开槽的圆腔，弹簧夹为使用铍青铜材料成型后进行 时效处理的具有弹性的U型夹，使用时将该技术的多级联衰减电路电阻按照图示3所 示的方式装入到负载内腔中便可。附图说明图1为本技术片状电阻的结构示意图；图IA为图1的I部放大图；图IB为图 1的左/右视图；图2为现有单级电路电阻的结构示意图；图2A为图2的A向视图；图2B 为图2A的B向视图；图3为本技术片状电阻装配于负载内的结构示意图；图3A为图3 的A-A剖视图；图3B图3A的I部放大图。图中标号1基板，2、2a、2b、2c、2d、2e衰减方阻，2f互调角，3中心导带，3a端面电 极，4接地微带，5a连接带，5b接地极，6载体，7电阻，8a电极，9弹簧夹，10负载。以下通过具体实施方式，并结合附图对本技术作进一步说明。具体实施方式实施例本实施例带多级联衰减电路的片状电阻，在长方形基板1上沿其长度方 向自输入端向终端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻2、2a、2b、2C、2d、2e，其中最靠近基 板终端的衰减电阻2e为能够对剩余信号功率完全吸收的匹配终端。在各所述衰减电阻之 间以设于基板上的中心导带3连接，基板1的两侧部设有接地微带4，在基板的两端部设有 与所述中心导带连通的端面电极3a。结合图1A，接地微带4、中心导带3与各衰减电阻之间以弧形的互调角2f过渡连 接。本技术多级联衰减电路片状电阻的原理特点是基板上自输入端向终端设有衰减 度逐渐增大的采用真空溅射技术制作的氧钌材质的衰减方阻，为双T型衰减网络，其中衰 减方阻2、2a、2b、2c、2d用于实现信号功率的逐级衰减、分段吸收，将输入信号功率的能量 在每一个方阻2、2a、2b、2c、2d上进行平均分配、吸收，避免集中吸收功率产生的局部热冲 击，从而实现大功率化；当信号功率在传输过程中会发生一定的反射，反射后的信号功率在 反向传输个过程中又会被方阻2、2a、2b、2c、2d吸收，从而实现反射损耗小；且方阻2e为匹 配终端，能实现对剩余信号功率的完全吸收。具体实施中，相应的结构形式也包括在所述基板1的两端印刷有端面电极3a，一端实现与连接器中心导体的连接，另 一端用于接地，实现匹配负载作用。所述互调角2f为衰减方阻2、2a、2b、2c、2d、2e与中心导带3和接地微带4三者之间过渡连接所需，用于实现该多级联衰减电路电阻装配于负载后的整机的低互调指标。 使用中，将该多级联衰减电路电阻置入到负载中，如图3-3B所示负载10具有一 开槽的圆腔，弹簧夹9为使用铍青铜材料成型后进行时效处理的具有弹性的U型夹，使用时 将该多级联衰减电路电阻按照图示3、3A所示的方式装入到负载10内腔中便可，整体产品 的装配结构如图3所示。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种带多级联衰减电路的片状电阻，其特征是在长方形基板上沿其长度方向自输入端向终端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻，在各所述衰减电阻之间以设于基板上的中心导带连接，所述基板的两侧部设有接地微带，在基板的两端部设有与所述中心导带连通的端面电极。2.根据权利要求1所述的一种带多级...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐磊，张祝松，
申请(专利权)人：合肥佰特微波技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：34