【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。led已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。
2、在mini rgb倒装芯片的应用领域中，厂商对于该类芯片的需求更高，因该类芯片的尺寸较小，其抗静电能力通常较弱且发光亮度不高，无法满足目前的使用需求。因此，如何提升mini led的抗静电性能和发光性能已然成为本领域亟待解决的问题之一。
3、需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术
技术实现思路
1、本专利技术提供一种发光二极管，其包括半导体叠层和绝缘结构。
2、半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有台面，台面是第一半导体层的未被发光层覆盖的上表面。绝缘结构覆盖半导体叠层，并具有第一开口和第二开口，第一开口位于台面上，第二开口位于第二半导体层上。其中，半导体叠层于台面处具有一凹坑，第一半导体层于凹坑处具有一第一倾斜侧壁，绝缘结构于台面处具有一第二倾斜侧壁，第一
3、本专利技术还提供一种发光装置，其采用上述任一实施例提供的发光二极管。
4、本专利技术一实施例提供的一种发光二极管及发光装置，通过在第一半导体层的台面处形成凹坑，并且控制第一倾斜侧壁的第一夹角小于等于第二倾斜侧壁的第二夹角，来保障发光二极管的抗静电性能和发光性能，提升器件的可靠性。
5、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本专利技术而了解。
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1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一夹角的范围为10～45°。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二夹角的范围为45～70°。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凹坑由所述第一半导体层的上表面向所述第一半导体层的下表面凹陷。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凹坑的深度范围为1000～4000埃米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体叠层具有一第三倾斜侧壁，所述第三倾斜侧壁的上下两端分别连接所述第二半导体层的上表面和所述发光层的下表面，所述第三倾斜侧壁与与水平面之间的夹角为第三夹角，所述第三夹角小于所述第二夹角。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第三夹角的范围为30～50°。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第三夹角大于所述第一夹角。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第二焊盘电极和所述第二半导体层之间。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凹坑的纵向截面呈倒梯形。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为倒装结构的发光二极管。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的边长小于100μm。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一开口和所述凹坑是通过两次刻蚀步骤而分别形成。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二夹角的角度减去所述第一夹角的角度为第四夹角，所述第四夹角的角度范围为0～60°。
16.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置采用如权利要求1～15中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一夹角的范围为10～45°。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二夹角的范围为45～70°。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凹坑由所述第一半导体层的上表面向所述第一半导体层的下表面凹陷。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凹坑的深度范围为1000～4000埃米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体叠层具有一第三倾斜侧壁，所述第三倾斜侧壁的上下两端分别连接所述第二半导体层的上表面和所述发光层的下表面，所述第三倾斜侧壁与与水平面之间的夹角为第三夹角，所述第三夹角小于所述第二夹角。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第三夹角的范围为30～50°。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第三夹角大于所述第一夹角。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾江斌，吴光耀，赵凯，卢超，王庆，洪灵愿，王诗颖，蔡吉明，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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