【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种漏极结构及制作方法。
技术介绍
1、第三代半导体材料氮化镓(gan)因其具有较宽的禁带宽度和较高的电子饱和速度，成为高压和高频应用的理想候选材料。氮化镓半导体具有超高的临界击穿电场，可实现更高的功率密度，十分适合制作高电子迁移率晶体管(hemt)，具有耐高电压、高频、高速、低导通电阻等优势。
2、如图1所示，显示为一种hemt器件的示意图，衬底01上形成有gan沟道层02和algan势垒层03，源极金属层05位于介质层04中与algan势垒层03连接，栅极金属层06位于介质层04中与algan势垒层03连接，其中，栅极金属层06位于介质层04上方的部分可以看作栅场板。如图2所示，显示为图1所示的hemt器件的电势分布图，在势垒层耗尽区中，漏极端电场07集中在源极金属层05靠近栅极金属层06的一端，使得漏极端电场07比较集中，进而造成器件表面电场集中，影响器件性能。
3、因此，如何提供一种漏极结构及制作方法，以分散表面电场，提升器件性能，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种漏极结构及制作方法，用于解决现有技术中漏极端电场集中，影响器件性能的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种漏极结构，包括：
3、衬底，所述衬底上设置有自下而上层叠的沟道层和势垒层；
4、n型掺杂欧姆接触层，由所述势垒层的上表面向
5、介质层，位于所述势垒层上方，所述介质层中设置有开口，所述开口显露所述n型掺杂欧姆接触层，所述开口的尺寸大于所述n型掺杂欧姆接触层的尺寸；
6、漏极金属层，位于所述介质层上方且延伸至所述开口中，所述漏极金属层的下表面与所述n型掺杂欧姆接触层及所述势垒层相接触。
7、可选地，所述漏极金属层与所述n型掺杂欧姆接触层呈欧姆接触，所述漏极金属层与所述势垒层呈肖特基接触。
8、可选地，所述沟道层包括gan层，所述势垒层包括inalgan层、algan层、inaln层、ingan层和aln层中的一种或多种。
9、可选地，所述介质层包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一种或多种。
10、可选地，所述漏极金属层的材质包括ti、al、ni、au、pt和tin中的一种或多种。
11、可选地，所述衬底和所述沟道层之间设置有自下而上层叠的成核层和缓冲层。
12、本专利技术还提供一种漏极结构的制作方法，其可以用于制作上述任一方案所述的漏极结构，包括以下步骤：
13、提供衬底，于所述衬底上形成自下而上层叠的沟道层和势垒层；
14、形成n型掺杂欧姆接触层，所述n型掺杂欧姆接触层由所述势垒层的上表面向下延伸至所述沟道层中；
15、于所述势垒层上形成介质层，并于所述介质层中形成垂向贯穿所述介质层的开口，所述开口显露所述n型掺杂欧姆接触层，所述开口的尺寸大于所述n型掺杂欧姆接触层的尺寸；
16、于所述介质层上形成漏极金属层，所述漏极金属层延伸至所述开口中，所述漏极金属层的下表面与所述n型掺杂欧姆接触层及所述势垒层相接触。
17、可选地，形成所述n型掺杂欧姆接触层的步骤包括：
18、于所述势垒层中注入si元素，注入深度贯穿所述势垒层并延伸至所述沟道层中；
19、进行退火，形成所述n型掺杂欧姆接触层。
20、可选地，于所述介质层中形成所述开口的方法包括干法刻蚀法或湿法刻蚀法。
21、可选地，形成所述沟道层和所述势垒层的方法包括外延法。
22、如上所述，本专利技术的漏极结构及制作方法中，n型掺杂欧姆接触层由势垒层的上表面向下延伸至沟道层中，介质层中的开口尺寸大于n型掺杂欧姆接触层的尺寸且显露n型掺杂欧姆接触层，漏极金属层位于介质层上方且延伸至开口中，漏极金属层的下表面与n型掺杂欧姆接触层及势垒层相接触，一方面漏极金属层与n型掺杂欧姆接触层呈欧姆接触降低接触电阻，同时漏极金属层与势垒层及介质层接触，能够分散漏极端的表面电场，提高器件性能。
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1.一种漏极结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述漏极金属层与所述N型掺杂欧姆接触层呈欧姆接触，所述漏极金属层与所述势垒层呈肖特基接触。
3.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述沟道层包括GaN层，所述势垒层包括InAlGaN层、AlGaN层、InAlN层、InGaN层和AlN层中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述介质层包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述漏极金属层的材质包括Ti、Al、Ni、Au、Pt和TiN中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述衬底和所述沟道层之间设置有自下而上层叠的成核层和缓冲层。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述的漏极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的漏极结构的制作方法，其特征在于，形成所述N型掺杂欧姆接触层的步骤包括：
9.根据权利要求7所述的漏极结
10.根据权利要求7所述的漏极结构的制作方法，其特征在于：形成所述沟道层和所述势垒层的方法包括外延法。
...【技术特征摘要】
1.一种漏极结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述漏极金属层与所述n型掺杂欧姆接触层呈欧姆接触，所述漏极金属层与所述势垒层呈肖特基接触。
3.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述沟道层包括gan层，所述势垒层包括inalgan层、algan层、inaln层、ingan层和aln层中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述介质层包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的漏极结构，其特征在于：所述漏极金属层的材质包括ti、al、ni、au、p...
【专利技术属性】
技术研发人员：张安邦，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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