【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示装置，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、随着社会的进步，人们生活品质日益提高，对高品质显示技术的需要也不断提升。在显示行业，薄膜晶体管(thin film transistor，tft)技术由于具有高电流、低漏电以及高稳定性等优点，被视为拥有广泛的应用前景。为了提高显示效果，需要进一步提升薄膜晶体管的性能。相关技术中，背沟道刻蚀型(back channel etched，bce)薄膜晶体管还存在由于背沟道刻蚀损伤导致薄膜晶体管出现负偏等特性异常的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
2、作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种薄膜晶体管，包括：
3、衬底；
4、第一金属层，位于衬底的一侧，第一金属层包括栅极；
5、第一绝缘层，位于第一金属层的背离衬底的一侧；
6、有源层，位于第一绝缘层的背离衬底的一侧，有源层包括层叠设置的第一半导体子层和第二半导体子层，第二半导体子层位于第一半导体子层背离衬底的一侧，第一半导体子层材料的载流子迁移率大于第二半导体子层材料的载流子迁移率，有源层包括沟道以及位于沟道两侧的第一区域和第二区域；
7、第二金属层，位于有源层的背离衬底的一侧，第二金属层包括第一极和第二极，第一极和第二极分别与第一区域和第二区域耦接。
8
9、在一些可能的实现方式中，第二半导体子层的材料包括铟镓锌氧化物。
10、在一些可能的实现方式中，
11、位于沟道的第二半导体子层的厚度为100埃米-400埃米，第二半导体子层的厚度为第二半导体子层在垂直于衬底方向的尺寸；或者，
12、位于沟道的第二半导体子层的厚度为200埃米-600埃米，第二半导体子层的厚度为第二半导体子层在垂直于衬底方向的尺寸。
13、作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种显示基板，显示基板包括显示区和边框区，包括：
14、像素薄膜晶体管，像素薄膜晶体管为本公开任一实施例的薄膜晶体管，像素薄膜晶体管位于显示区；
15、光敏薄膜晶体管，光敏薄膜晶体管为本公开任一实施例的薄膜晶体管，光敏薄膜晶体管位于边框区。
16、在一些可能的实现方式中，光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为h1，像素薄膜晶体管沟道的第二半导体子层的厚度为h2，h1>h2，第二半导体子层的厚度为第二半导体子层在垂直于衬底方向的尺寸。
17、在一些可能的实现方式中，光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为200埃米-600埃米；和/或，像素薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为100埃米-400埃米，第二半导体子层的厚度为第二半导体子层在垂直于衬底方向的尺寸。
18、在一些可能的实现方式中，光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为h1，像素薄膜晶体管沟道的第二半导体子层的厚度为h2，像素薄膜晶体管的沟道的第一半导体子层的厚度和光敏薄膜晶体管的沟道的第一半导体子层的厚度均为h3，第二半导体子层的厚度为第二半导体子层在垂直于衬底方向的尺寸，第一半导体子层的厚度为第一半导体子层在垂直于衬底方向的尺寸；
19、其中，h1/(h1+h3)的比值范围为50％-85％；和/或，h2/(h2+h3)的比值范围为20％-80％。
20、在一些可能的实现方式中，光敏薄膜晶体管沟道宽度大于10微米。
21、在一些可能的实现方式中，光敏薄膜晶体管的第一极包括多个第一插指部，光敏薄膜晶体管的第二极包括多个第二插指部，第一插指部和第二插指部之间同层绝缘设置且彼此嵌套排列。
22、在一些可能的实现方式中，显示基板还包括：
23、第二绝缘层，位于光敏薄膜晶体管和像素薄膜晶体管的背离衬底的一侧；
24、有机平坦层，位于第二绝缘层的背离衬底的一侧；
25、第一电极层，位于有机平坦层的背离衬底的一侧；
26、第三绝缘层，位于第一电极层的背离衬底的一侧；
27、第二电极层，位于第三绝缘层的背离衬底的一侧，第二电极层与像素薄膜晶体管的第一极连接。
28、作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，显示基板包括显示区和边框区，包括：
29、在衬底的一侧形成第一金属层，第一金属层包括光敏薄膜晶体管的栅极和像素薄膜晶体管的栅极，光敏薄膜晶体管位于边框区，像素薄膜晶体管位于显示区；
30、在第一金属层的背离衬底的一侧形成第一绝缘层；
31、在第一绝缘层的背离衬底的一侧形成有源层和第二金属层，有源层包括层叠设置的第一半导体子层和第二半导体子层，第二半导体子层位于第一半导体子层背离衬底的一侧，第一半导体子层材料的载流子迁移率大于第二半导体子层材料的载流子迁移率，有源层包括光敏薄膜晶体管的有源层和像素薄膜晶体管的有源层；
32、第二金属层位于有源层的背离衬底的一侧，第二金属层包括光敏薄膜晶体管的第一极和第二极以及像素薄膜晶体管的第一极和第二极。
33、在一些可能的实现方式中，在第一绝缘层的背离衬底的一侧形成有源层和第二金属层，包括：
34、在第一绝缘层的背离衬底的一侧形成光敏薄膜晶体管的第一半导体子层和像素薄膜晶体管的第一半导体子层；
35、形成光敏薄膜晶体管的第二半导体子膜和像素薄膜晶体管的第二半导体子膜，光敏薄膜晶体管的第二半导体子膜与对应的第一半导体子层叠层设置，像素薄膜晶体管的第二半导体子膜与对应的第一半导体子层叠层设置；
36、在第二半导体子膜的背离衬底的一侧形成第二金属薄膜，对第二金属薄膜进行第一次刻蚀，形成贯穿第二金属薄膜的第一过孔，第一过孔在衬底上的正投影与光敏薄膜晶体管的沟道在衬底上的正投影重合；
37、对光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子膜进行等离子体表面处理，形成光敏薄膜晶体管的第二半导体子层；
38、在第二金属薄膜的背离衬底的一侧形成光刻胶层，在光刻胶层形成第二过孔，第二过孔在衬底上的正投影与像素薄膜晶体管的沟道在衬底上的正投影重合；
39、采用刻蚀工艺对第二过孔位置的第二金属薄膜和像素薄膜晶体管的第二半导体子膜进行刻蚀，剩余的第二半导体子膜形成像素薄膜晶体管的第二半导体子层，第二金属薄膜形成光敏薄膜晶体管的第一极和第二极以及像素薄膜晶体管的第一极和第二极。
40、在一些可能的实现方式中，等离子体表面处理的处理气体为氢气或氨气，处理功率800-2000w/m2，处理时间2-10s。
41、作为本公开实施例的第四方面，本公开实施例提供一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体子层的材料包括氧化物半导体，所述第二半导体子层的材料包括氧化物半导体。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体子层的材料包括铟镓锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
5.一种显示基板，所述显示基板包括显示区和边框区，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为h1，所述像素薄膜晶体管沟道的第二半导体子层的厚度为h2，h1>h2，所述第二半导体子层的厚度为所述第二半导体子层在垂直于所述衬底方向的尺寸。
7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为200埃米-600埃米；和/或，所述像素薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为100埃米-400埃米，所述第二半导体子层的厚度为所述第二半导体子层在垂直于所述衬底方向的尺寸。
8.根据
9.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光敏薄膜晶体管沟道宽度大于10微米。
10.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光敏薄膜晶体管的第一极包括多个第一插指部，所述光敏薄膜晶体管的第二极包括多个第二插指部，所述第一插指部和所述第二插指部之间同层绝缘设置且彼此嵌套排列。
11.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
12.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区和边框区，包括：
13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述第一绝缘层的背离所述衬底的一侧形成有源层和第二金属层，包括：
14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法，其特征在于，等离子体表面处理的处理气体为氢气或氨气，处理功率800-2000W/m2，处理时间2-10s。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，或者，包括权利要求5-11任一项所述的显示基板。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体子层的材料包括氧化物半导体，所述第二半导体子层的材料包括氧化物半导体。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体子层的材料包括铟镓锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
5.一种显示基板，所述显示基板包括显示区和边框区，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为h1，所述像素薄膜晶体管沟道的第二半导体子层的厚度为h2，h1>h2，所述第二半导体子层的厚度为所述第二半导体子层在垂直于所述衬底方向的尺寸。
7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为200埃米-600埃米；和/或，所述像素薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为100埃米-400埃米，所述第二半导体子层的厚度为所述第二半导体子层在垂直于所述衬底方向的尺寸。
8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述光敏薄膜晶体管的沟道的第二半导体子层的厚度为h1，所述像素薄膜晶体管沟道的第二半导体子层的厚度为h2，所述像素薄膜晶体管的沟道...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄睿，王利忠，张劲潮，童彬彬，周天民，邸云萍，杨维，黄杰，李正亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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