本发明专利技术揭示了一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。所述连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，包括：提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液，并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜；其中，所述氨基酸添加剂选自碳链长度为5‑8的氨基酸，并且所述氨基酸的一个末端连接有羧基，另一个末端连接有氨基或羟基，且与羧基相邻的碳原子上连接有至少一个氨基。本发明专利技术通过在钙钛矿前驱体中加入氨基酸添加剂，以均匀晶粒作为发光层的钙钛矿的覆盖率得到了极大的改善，从而显着减少了钙钛矿薄膜的针孔，形成了连续的薄膜，提高了薄膜晶粒的结晶度，使晶粒更加均匀分布，提高了钙钛矿薄膜的质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电半导体，具体涉及一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。
技术介绍
1、溶液处理的金属卤化物钙钛矿已被证明是最有前途的nir led发射器件。目前高性能的近红外peled都以是自发形成的亚微米钙钛矿结构制备而成，实现了nir-peled的最高效率，其eqe为22.2％的记录值。但是几乎没有关于连续薄膜作为发光层的报道，这是由于溶液处理难以控制薄膜的形成，这严重影响了钙钛矿前体和衬底底层之间连续薄膜的形成，不连续的薄膜会导致器件电流的泄漏、薄膜缺陷增加，影响器件的性能。
2、此外，由于固溶过程的不可控因素，钙钛矿薄膜质量低，晶粒分布不均匀，覆盖率低，表面形貌差，这可能导致大量缺陷，从而影响发光效率，因为薄膜陷阱增加了非辐射重组载体。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种连续高质量钙钛矿薄膜、其制备方法及应用，以克服现有技术中存在的不足。
2、为实现前述专利技术目的，本专利技术实施例采用的技术方案包括：
3、本专利技术实施例提供了一种连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，包括：提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液，并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜；
4、其中，所述氨基酸添加剂选自碳链长度为5-8的氨基酸，并且所述氨基酸的一个末端连接有羧基，另一个末端连接有氨基或羟基，且与羧基相邻的碳原子上连接有至少一个氨基。
5、本专利技术实施例还提供了由前述方法制备的连续高质量钙钛矿薄膜。
>6、本专利技术实施例还提供了前述连续高质量钙钛矿薄膜在制备钙钛矿光电器件中的用途。7、本专利技术实施例还提供了一种钙钛矿发光二极管，包括依次设置的底底电极、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层和顶顶电极，所述钙钛矿发光层包括前述的连续高质量钙钛矿薄膜。
8、本专利技术实施例还提供了一种钙钛矿发光二极管的制备方法，包括制作底底电极、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层、顶顶电极的步骤，其中，所述制作钙钛矿发光层的步骤包括：
9、以电子传输层或空穴传输层作为基底，并采用前述的方法在所述基底上制作连续高质量钙钛矿薄膜。
10、与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
11、本专利技术通过在钙钛矿前驱体中加入氨基酸添加剂(末端各有一个氨基和羧基，羧基相邻碳链存在一个氨基，碳链长度5-8)，以均匀晶粒作为发光层的钙钛矿的覆盖率得到了极大的改善，从而显着减少了钙钛矿薄膜的针孔和表面形貌，形成了连续的薄膜，提高了薄膜晶粒的结晶度，使晶粒更加均匀分布，提高了钙钛矿薄膜的质量。
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【技术保护点】
1.一种连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于包括：提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液，并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜；
2.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述钙钛矿前驱体液包含摩尔比为0.5-0.9∶2∶1∶0.05的所述氨基酸、FAI、PbI2和CsI。
3.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述氨基酸包括谷氨酰胺、谷氨酸或赖氨酸中的任一种氨基酸。
4.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括：将所述钙钛矿前驱体液涂布在基底上，并在100-120℃退火10-16min，制得所述钙钛矿薄膜。
5.由权利要求1-4中任一项所述方法制备的连续高质量钙钛矿薄膜。
6.权利要求5所述连续高质量钙钛矿薄膜在制备钙钛矿光电器件中的用途。
7.一种钙钛矿发光二极管，包括依次设置的底电极、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层和顶电极，其特征在于：所述钙钛矿发光层包括权利要求5所述的连续高质量钙钛矿薄膜。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，还包括第一界面修饰层和第二界面修饰层，所述第一界面修饰层设置于电子传输层和钙钛矿发光层之间，所述第二界面修饰层设置于顶电极和空穴传输层之间。
9.根据权利要求7或8所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述钙钛矿发光二极管包括近红外钙钛矿LED。
10.一种钙钛矿发光二极管的制备方法，包括制作底底电极、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层、顶顶电极的步骤，其特征在于，所述制作钙钛矿发光层的步骤包括：
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【技术特征摘要】
1.一种连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于包括：提供包含有氨基酸添加剂的钙钛矿前驱体液，并将所述钙钛矿前驱体液制备形成钙钛矿薄膜；
2.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述钙钛矿前驱体液包含摩尔比为0.5-0.9∶2∶1∶0.05的所述氨基酸、fai、pbi2和csi。
3.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述氨基酸包括谷氨酰胺、谷氨酸或赖氨酸中的任一种氨基酸。
4.根据权利要求1所述的连续高质量钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括：将所述钙钛矿前驱体液涂布在基底上，并在100-120℃退火10-16min，制得所述钙钛矿薄膜。
5.由权利要求1-4中任一项所述方法制备的连续高质量钙钛矿薄膜。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉楠，唐兆兵，周扬州，向超宇，
申请(专利权)人：宁波杭州湾新材料研究院，
类型：发明
国别省市：
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