【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led，尤其涉及一种algainp系外延层及其生长方法、发光芯片。
技术介绍
1、algainp四元系红光led芯片是近年来广泛发展的一种常见可见光led，algainp四元系红光led具有电流承受能力强、发光效率高以及耐高温等诸多优点，在照明、显示、指示灯中的应用具有不可替代的地位，并且被广泛的应用于照明的各个领域。
2、algainp四元系外延结构通常包括衬底层、缓冲层、n型限制层、量子阱层、p型限制层、p型过渡层、p型gap窗口层，p型gap窗口层作为出光层同时能够实现电流扩展，因为p型gap窗口层与p型限制层之间的晶格差异大，为了实现晶格匹配，对p型过渡层的设计要求高，增加了algainp四元系外延层及发光芯片的生产难度。
3、因此，如何降低algainp四元系外延结构的生产难度是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种algainp系外延层及其生长方法、发光芯片，降低algainp四元系外延结构的生产难度。
2、首先本申请提供一种algainp系外延层，包括：
3、n型限制层；
4、p型限制层；
5、介于n型限制层与p型限制层之间的有源层；
6、设于p型限制层远离有源层的一侧，且被配置为与p电极接触的p型欧姆接触层；以及
7、设于p型欧姆接触层远离有源层一侧的p型algainp出光层。
8、上述algai
9、可选地，p型欧姆接触层包括gaas。
10、上述algainp系外延层中，采用gaas层作为p型欧姆接触层，gaas能够实现与p电极之间的欧姆接触，减小与p电极之间的电阻，减小基于该algainp系外延层所制得的发光芯片的正向电压，增强其性能。
11、可选地，p型欧姆接触层的厚度为5～15nm，掺杂浓度为1～5e18atom/cm3。
12、上述algainp系外延层中，仅将p型欧姆接触层的厚度设置为5～15nm，这能够在保证满足p型欧姆接触层与p电极之间欧姆接触的同时避免p型gaas层太厚，吸光太多的问题，能够确保algainp系外延层的出光效率；同时，p型欧姆接触层被设计得比较薄，也能节约algainp系外延层的整体生长时间，减小algainp系外延层的厚度。
13、可选地，p型algainp出光层的厚度为1～3um，掺杂浓度为2～6e18atom/cm3。
14、上述algainp系外延层中，p型algainp出光层的厚度为1～3um，这相较于相关algainp四元系红光外延层中p型gap窗口层的厚度，有明显的减小，这样可以减少algainp系外延层的生长时间，提升生产效率，减小algainp系外延层的厚度，减小基于该algainp系外延层所形成的红光芯片的体积与高度。
15、可选地，p型algainp出光层中包括(alx4ga1-x4)0.5in0.5p，0.7≤x4≤0.85。
16、可选地，p型限制层与p型algainp出光层均直接同p型欧姆接触层接触。
17、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片，包括：
18、前述任一项的algainp系外延层；
19、与n型限制层电连接的n电极；以及
20、与p型欧姆接触层欧姆接触的p电极。
21、上述发光芯片所包含的algainp系外延层，在p型限制层远离有源层的一侧生长了p型欧姆接触层与p型algainp出光层，利用p型algainp出光层代替p型gap窗口层实现了出光以及电流扩展的作用，同时，利用p型欧姆接触层代替了p型gap窗口层来实现与p电极的欧姆接触，这样就可以不用再在p型限制层上生长p型gap窗口层以及p型过渡层，有利于降低algainp系外延层的生长难度，提升algainp系外延层与发光芯片的生产效率。
22、可选地，p型algainp出光层远离p型欧姆接触层的一面被粗化处理形成有粗化出光结构。
23、上述发光芯片中，p型algainp出光层远离p型欧姆接触层被粗化处理过，这样能够增加发光芯片中出光面的面积，同时减少光线全反射，提升发光芯片的外量子效率。
24、可选地，n电极的自由端与p电极的自由端均位于n型限制层远离有源层的一侧。
25、上述发光芯片中，n电极的自由端与p电极的自由端均位于n型限制层远离有源层的一侧，因此在利用algainp系外延层制备发光芯片时，可以直接从n型限制层所在的一侧对algainp系外延层进行刻蚀，实现电极设置，这样无需将algainp系外延层中的p型algainp出光层与其他永久衬底键合，无需进行algainp系外延层转移，这样可以约化键合工艺，简化发光芯片的制备流程，提升发光芯片的生产效率并降低生产成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种AlGaInP系外延层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的AlGaInP系外延层，其特征在于，所述P型欧姆接触层包括GaAs。
3.如权利要求2所述的AlGaInP系外延层，其特征在于，所述P型欧姆接触层的厚度为5～15nm，掺杂浓度为1～5E18atom/cm3。
4.如权利要求1所述的AlGaInP系外延层，其特征在于，所述P型AlGaInP出光层的厚度为1～3um，掺杂浓度为2～6E18atom/cm3。
5.如权利要求1所述的AlGaInP系外延层，其特征在于，所述P型AlGaInP出光层中包括(Alx4Ga1-x4)0.5In0.5P，0.7≤x4≤0.85。
6.如权利要求1-5任一项所述的AlGaInP系外延层，其特征在于，所述P型限制层与所述P型AlGaInP出光层均直接同所述P型欧姆接触层接触。
7.一种发光芯片，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的发光芯片，其特征在于，所述P型AlGaInP出光层远离所述P型欧姆接触层的一面被粗化处理形成有粗化出光结构。<...
【技术特征摘要】
1.一种algainp系外延层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的algainp系外延层，其特征在于，所述p型欧姆接触层包括gaas。
3.如权利要求2所述的algainp系外延层，其特征在于，所述p型欧姆接触层的厚度为5～15nm，掺杂浓度为1～5e18atom/cm3。
4.如权利要求1所述的algainp系外延层，其特征在于，所述p型algainp出光层的厚度为1～3um，掺杂浓度为2～6e18atom/cm3。
5.如权利要求1所述的algainp系外延层，其特征在于，所述p型algainp出光层中包括(alx4ga1-x4)0.5in0.5p，0.7≤x4≤0.85。
6.如权利要求1-...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙威威，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。