【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体而言涉及图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管。
技术介绍
1、图形化衬底，特别是纳米级图形化衬底(npss)，作为发光二极管的重要组成部分，其用于供外延层生长，因此图形化衬底的结构与外延层的晶体质量相关。传统的图形化衬底一般分为外凸型图形化衬底和凹坑型图形化衬底。
2、外凸型图形化衬底包括衬底基板和复合结构，该复合结构与衬底基板一体成型且凸出设置于衬底基板的表面。传统的外凸型图形化衬底在供外延层生长时，外延层中会形成较高密度的位错缺陷，如此导致发光二极管的内量子效应降低。
3、伴随着产业的发展，消费端对发光二极管的外量子效应的需求越来越高，发光二极管的外量子效应的提高需要依靠内量子效应的提高及光提取效率的提高而改善。因此，如何提高发光二极管的外量子效应仍是本领域技术人员急需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述技术问题，本申请提供图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管。
2、为实现上述目的，本申请采用的其中一个技术方案提供了一种图形化衬底，该图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，衬底基板设置有图形化凹槽，异质复合结构设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外；
3、其中，异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面形成第一坡面，第一坡面使自衬底基板设置有图形化凹槽的一侧表面向背离衬底基板的方向延伸。
4、为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种外延片，
5、其中，异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面形成第一坡面，第一坡面使自衬底基板设置有图形化凹槽的一侧表面向背离衬底基板的方向延伸。
6、为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种图形化衬底的制备方法，该制备方法包括：
7、在衬底基板上形成刻蚀保护层，刻蚀保护层设置有刻蚀定位孔；
8、通过刻蚀定位孔对衬底基板进行刻蚀，以形成图形化凹槽；
9、在图形化凹槽形成后进行第一步骤或第二步骤；
10、第一步骤包括：在保留刻蚀保护层的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成异质复合结构设置于图形化凹槽内的部分；去除刻蚀保护层，并在衬底基板上生长外延层；生长外延层包括控制外延层的厚度方向生长速率与横向生长速率之比，以在外延层与衬底基板之间形成异质复合结构延伸至凸出于图形化凹槽外的空气腔部分；
11、第二步骤包括：在保留刻蚀保护层的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外的异质复合结构；去除刻蚀保护层，并在衬底基板上形成覆盖异质复合结构的外延层。
12、为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种倒装发光二极管，该倒装发光二极管包括上述的外延片。
13、有益效果：区别于现有技术，本申请中，利用异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面不会供外延层的材料成核的特性，使外延层的横向生长沿着异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面进行，进而使外延层在第二异质部的顶部合并。如此分布于异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面上且关于衬底基板的厚度方向对置的两侧的外延层，在异质复合结构的顶部合并时，晶格会更接近，由此能够抑制外延层中位错缺陷的产生，从而能够提高对应的发光二极管的内量子效率，进而实现对应的发光二极管的外量子效应的提高。
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1.一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，所述衬底基板设置有图形化凹槽，所述异质复合结构设置于所述图形化凹槽内并延伸至凸出于所述图形化凹槽外；
2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面相对于水平面的坡角为第一坡角，所述第一坡角为10度～60度。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡角为15度～45度。
4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一异质部的折射率为1.2～1.6。
6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面绕所述衬底基板的厚度方向分布。
7.根据权利要求6所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面绕所述衬底基板的厚度方向关于所述衬底基板的厚度方向上延伸的对称轴对称分布。
8.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述异质复合结构的水平投影的面积为第一面积；多个所述异质复合结构分散分布于所述衬底基板，所述衬底基板的水平投影的面积
9.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述异质复合结构凸出于所述图形化凹槽外的立体形状为多边形椎体、圆椎体、椭圆椎体、圆台体或球缺体。
10.根据权利要求4所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5或Ti2O3，所述第二异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5或Ti2O3。
11.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括图形化衬底和外延层；所述图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，所述衬底基板设置有图形化凹槽，所述异质复合结构包括设置于所述图形化凹槽内并延伸至凸出于所述图形化凹槽外；所述外延层形成于所述衬底基板上且覆盖所述第二异质部；
12.根据权利要求11所述的外延片，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的外延片，其特征在于，所述第一异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5或Ti2O3，所述第二异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5、Ti2O3或空气。
14.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求11-13任意一项所述的外延片，所述制备方法包括：
15.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括权利要求11-13任意一项所述的外延片。
...【技术特征摘要】
1.一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，所述衬底基板设置有图形化凹槽，所述异质复合结构设置于所述图形化凹槽内并延伸至凸出于所述图形化凹槽外；
2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面相对于水平面的坡角为第一坡角，所述第一坡角为10度～60度。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡角为15度～45度。
4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一异质部的折射率为1.2～1.6。
6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面绕所述衬底基板的厚度方向分布。
7.根据权利要求6所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面绕所述衬底基板的厚度方向关于所述衬底基板的厚度方向上延伸的对称轴对称分布。
8.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述异质复合结构的水平投影的面积为第一面积；多个所述异质复合结构分散分布于所述衬底基板，所述衬底基板的水平投影的面积为第二面积；其中，所有所述异质复合结构的所述第一面积的总和为所述第二面积的60％～90％。
9.根据权利要求1所述的图形化衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：李彬彬，吴福仁，李瑞评，巫婷，林宏超，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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