【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光刻，具体而言，涉及一种光刻方法。
技术介绍
1、目前，在制作具有三维腔式结构的微电铸结构的过程中，需要经历反复光刻和电镀金属，然后通过释放掉光刻胶，完成三维腔式结构的搭建，但是在现有技术中，由于在以光刻胶作为衬底的多次光刻体系的光刻工艺中，比如uv-liga技术，通常容易出现气泡，显影不良，光刻胶非曝光区域流膜严重，侧壁陡直度差等缺陷，往往光刻胶堆垛到第三层时，层边会出现严重的缺陷，导致无法通过多层光刻胶完成复杂的三维腔式结构的搭建。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供了一种光刻方法，基于本申请提供的技术方案能通过多层光刻胶完成复杂的三维腔式结构的搭建。
2、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
3、根据本申请的实施例提供了一种光刻方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有第一金属结构层，所述第一金属结构层上设置有第二金属结构层；执行循环过程直至在所述第二金属结构层上堆垛设定数量的金属结构层，所述循环过程包括以下步骤：在所述衬底上涂光刻胶，得到光刻胶层；对涂光刻胶后的衬底进行前烘，在前烘中，重复多次控制所述衬底在第一温度下受热第一时长；对前烘后的衬底进行烘箱烘烤；对烘箱烘烤后的衬底进行曝光，以在所述光刻胶层中形成待去除光刻胶；对曝光后的衬底进行后烘，在后烘中，重复多次控制所述衬底在第二温度下受热第二时长；对后烘后的衬底进行显影，以去除所述待去除光刻胶；对显影后的衬底进行硬烘，以修复显影后的衬
4、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述设定数量大于等于1且小于等于8。
5、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述提供一衬底，包括：提供一晶圆；依次执行第一涂胶步骤，第一前烘步骤，第一曝光步骤，第一后烘步骤，第一显影步骤，第一硬烘步骤和第一电镀步骤，以在所述晶圆上形成所述第一金属结构层；其中，在第一前烘步骤中，控制晶圆在第一设定温度下受热第一设定时长，在第一曝光步骤中，控制晶圆在设定曝光能量和设定曝光间距的条件下进行曝光，在第一后烘步骤中，控制晶圆在第二设定温度下受热第二设定时长，在第一显影步骤中，控制晶圆显影设定显影时长；依次执行第二涂胶步骤，第二前烘步骤，烘箱烘烤步骤，第二曝光步骤，第二后烘步骤，第二显影步骤，第二硬烘步骤和第二电镀步骤，以在所述第一金属结构层上形成所述第二金属结构层，得到所述衬底，其中，在烘箱烘烤步骤中，控制晶圆在第三设定温度下烘烤第三设定时长。
6、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述光刻胶层的厚度为20～100um；所述第一设定温度为60～150℃；所述第一设定时长为20～600s；所述设定曝光能量为100～3000mj/cm2；所述设定曝光间距为20～300um；所述第二设定温度为60～150℃；所述第二设定时长为20～600s；所述设定显影时长为20～600s；所述第三设定温度为20～150℃；所述第三设定时长为5～300min。
7、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：如果当前循环过程为第一次循环过程，则在前烘中，重复两次控制所述衬底在第一温度下受热第一时长；如果当前循环过程不为第一次循环过程，则在前烘中，重复两次以上控制所述衬底在第一温度下受热第一时长；其中，第一次循环过程中的第一温度小于所述第一设定温度，第一次循环过程中的第一时长小于所述第一设定时长，非第一次循环过程中的第一温度小于第一次循环过程中的第一温度，非第一次循环过程中的第一时长小于第一次循环过程中的第一时长。
8、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：如果当前循环过程为第一次循环过程，则在对前烘后的衬底进行烘箱烘烤的过程中，控制衬底在所述第三设定温度下烘烤第三时长，所述第三时长大于所述第三设定时长；如果当前循环过程不为第一次循环过程，则在对前烘后的衬底进行烘箱烘烤的过程中，控制衬底在第三温度下烘烤第四时长，所述第三温度小于所述第三设定温度，所述第四时长大于所述第三时长。
9、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：如果当前循环过程为第一次循环过程，则在对烘箱烘烤后的衬底进行曝光的过程中，控制衬底在所述设定曝光能量和设定曝光间距的条件下曝光；如果所述当前循环过程不为第一次循环过程，则在对烘箱烘烤后的衬底进行曝光的过程中，控制衬底在第一曝光能量和第一曝光间距的条件下曝光，所述第一曝光能量大于所述设定曝光能量，所述第一曝光间距大于所述设定曝光间距。
10、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：如果当前循环过程为第一次循环过程，则在后烘中，重复两次控制所述衬底在第二温度下受热第二时长；如果当前循环过程不为第一次循环过程，则在后烘中，重复两次或两次以上控制所述衬底在第二温度下受热第二时长；其中，所述第二温度等于所述第二设定温度，所述第二时长等于所述第二设定时长。
11、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：如果当前循环过程为第一次循环过程，则在对后烘后的衬底进行显影的过程中，控制衬底显影第一显影时长，所述第一显影时长大于所述设定显影时长；如果当前循环过程不为第一次循环过程，则在对后烘后的衬底进行显影的过程中，控制衬底显影第二显影时长，或重复两次控制衬底显影第二显影时长，所述第二显影时长大于所述第一显影时长。
12、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：如果当前循环过程为第一次循环过程，则在对显影后的衬底进行硬烘的过程中，重复两次控制衬底在第四温度下受热第五时长，所述第四温度小于当前循环过程中的第一温度，所述第五时长小于当前循环过程中的第一时长；如果当前循环过程不为第一次循环过程，则在对显影后的衬底进行硬烘的过程中，重复两次以上控制衬底在第五温度下受热第六时长，所述第五温度小于当前循环过程中的第一温度，所述第六时长小于当前循环过程中的第一时长。
13、本申请的技术方案，在光刻过程中，首先提供一衬底，所述衬底上设置有第一金属结构层，所述第一金属结构层上设置有第二金属结构层；其次，执行循环过程直至在所述第二金属结构层上堆垛设定数量的金属结构层，所述循环过程包括以下步骤：在所述衬底上涂光刻胶，得到光刻胶层；对涂光刻胶后的衬底进行前烘，在前烘中，重复多次控制所述衬底在第一温度下受热第一时长；
14、对前烘后的衬底进行烘箱烘烤；对烘箱烘烤后的衬底进行曝光，以在所述光刻胶层中形成待去除光刻胶；对曝光后的衬底进行后烘，在后烘中，重复多次控制所述衬底在第二温度下受热第二时长；对后烘后的衬底进行显影，以去除所述待去除光刻胶；对显影后的衬底进行硬烘，以修复显影后的衬底的表面缺陷；对硬烘后的衬底进行电镀工艺，得到当前循环过程的金属结构层。
15、由此可见，基于本申请的技术方案，在堆垛多层金属结构层的过程中，通过调整光刻过程中的工艺参数，实现改变本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光刻方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定数量大于等于1且小于等于8。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一衬底，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为20～100um；所述第一设定温度为60～150℃；所述第一设定时长为20～600s；所述设定曝光能量为100～3000mj/cm2；所述设定曝光间距为20～300um；所述第二设定温度为60～150℃；所述第二设定时长为20～600s；所述设定显影时长为20～600s；所述第三设定温度为20～150℃；所述第三设定时长为5～300min。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种光刻方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定数量大于等于1且小于等于8。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一衬底，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为20～100um；所述第一设定温度为60～150℃；所述第一设定时长为20～600s；所述设定曝光能量为100～3000mj/cm2；所述设定曝光间距为20～300um；所述第二设定温度为60～150℃；所述第二设定时长为20～600s；所述设...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晨星，陆原，张栓，于新元，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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