【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装结构及工艺。
技术介绍
1、在相关技术中，相控阵芯片封装是通过引线键合实现每个芯片的单独封装，再将多个相同的相控阵芯片与电源管理芯片、电阻、电容等共同焊接到封装基板(例如pcb板)上。
2、其中，有机基板和硅基板是广泛使用的封装基板，有机基板成本较低，绝缘性能好，但是集成密度低；硅基板可以做到较高的集成密度，但是会带来较高的互连损耗。引线键合封装是一种常见的集成电路封装技术，它通过使用金属线将芯片与封装底座连接起来。这种封装方式的优点是成本较低，工艺简单；缺点是随着芯片尺寸的增加，金属线的数量和长度也会增加，明显增大了互连距离，应用于高频芯片的封装时，容易产生较大的串扰和损耗，从而影响信号的传输，进而影响芯片的性能。另外，多通道芯片采用单独封装的方式增大了芯片所占的面积，使得芯片的集成密度变小。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装结构及工艺，以提高该封装结构的性能及集成密度。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装结构，包括：
3、玻璃中介层，其具有相对的第一面、第二面，及若干贯穿所述第一面和所述第二面的通孔；
4、至少两个相控阵芯片及至少两个电源管理芯片设于所述第一面，若干无源器件设于所述第一面或所述第二面；及，
5、设于所述第一面、所述第二面上及所述通孔
6、可选的，所述相控阵芯片的数量为大于或等于2的偶数，且所述相控阵芯片布置成第一对称图形，和/或，
7、所述电源管理芯片的数量为大于或等于2的偶数，且所述相控阵芯片布置成第二对称图形。
8、可选的，所述第一对称图形和所述第二对称图形的对称轴共线。
9、可选的，所述电源管理芯片设于远离所述相控阵芯片的输出引脚一侧。
10、可选的，所述电源管理芯片为ldo芯片，且所述ldo芯片的数量与所述相控阵芯片的数量相同。
11、可选的，所述布线层包括沿所述第一面及所述第二面设置的横向布线，及沿设于所述通孔中的纵向布线，调整所述横向布线和/或所述纵向布线的尺寸，对所述相控阵芯片的输入输出进行阻抗匹配。
12、可选的，所述无源器件包括电容及电阻，至少部分所述电容靠近于所述相控阵芯片的电源引脚设置。
13、可选的，还包括，测试焊盘设于所述第二面，和/或，引出焊盘设于所述第二面。
14、基于本专利技术的另一方面，还提供一种含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装工艺，包括：
15、提供玻璃中介层，其具有相对的第一面及第二面；
16、在所述第一面形成若干通孔，并在所述通孔内填充布线材料层；
17、研磨所述第二面，直至暴露所述通孔中的布线材料层；
18、分别在所述第一面及所述第二面形成所述布线材料层，并执行图形化工艺，以所述第一面、所述第二面上及所述通孔中的布线材料层作为布线层；
19、将至少两个相控阵芯片及至少两个电源管理芯片连接至所述第一面的布线层，及将无源器件连接至所述第一面或所述第二面。
20、可选的，在形成所述布线层后，还形成第一钝化层覆盖所述第一面及所述第二面，并暴露所述布线层的焊盘；
21、在所述玻璃基板上连接所述相控阵芯片、所述电源管理芯片及所述无源器件后，还形成第二钝化层覆盖所述第一面及所述第二面，并暴露所述布线层的部分焊盘。
22、综上所述，本专利技术采用玻璃材质作为中介层，在玻璃中介层中设置通孔以形成位于其第一面、第二面及通孔内的布线层，利用该布线层将至少两个相控阵芯片及至少两个电源管理芯片连接于第一面及若干无源器件连接于第一面或第二面，以形成多波束多通道相控阵芯片封装结构。其中，玻璃中介层具有较佳的物理化学特性、较高的电阻率、较佳的绝缘性能，对信号隔离度好，有利于减小信号之间的串扰，特别是对高频信号的传输有着得天独厚的优势，特别的，玻璃的介电常数不到硅材料的一半，使得封装载体的损耗和寄生效应显著减小，从而有利于提高信号传输的完整性。而且，本专利技术将多波束多通道相控阵芯片所需的多个电源管理芯片及无源器件进行统一布线及阻抗匹配，不仅可显著降低整体的传输距离，减小传输损耗，提高封装结构的性能和稳定性，还可减小封装面积，增大集成密度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述相控阵芯片的数量为大于或等于2的偶数，且所述相控阵芯片布置成第一对称图形，和/或，
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一对称图形和所述第二对称图形的对称轴共线。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述电源管理芯片设于远离所述相控阵芯片的输出引脚一侧。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述电源管理芯片为LDO芯片，且所述LDO芯片的数量与所述相控阵芯片的数量相同。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述布线层包括沿所述第一面及所述第二面设置的横向布线，及沿设于所述通孔中的纵向布线，调整所述横向布线和/或所述纵向布线的尺寸，对所述相控阵芯片的输入输出进行阻抗匹配。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述无源器件包括电容及电阻，至少部分所述电容靠近于所述相控阵芯片的电源引脚设置。
8.根据权利要求1所述的封装结构，
9.一种含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装工艺，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的封装工艺，其特征在于，在形成所述布线层后，还形成第一钝化层覆盖所述第一面及所述第二面，并暴露所述布线层的焊盘；
...【技术特征摘要】
1.一种含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述相控阵芯片的数量为大于或等于2的偶数，且所述相控阵芯片布置成第一对称图形，和/或，
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一对称图形和所述第二对称图形的对称轴共线。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述电源管理芯片设于远离所述相控阵芯片的输出引脚一侧。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述电源管理芯片为ldo芯片，且所述ldo芯片的数量与所述相控阵芯片的数量相同。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述布线层包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘子玉，张卫，巨玉迪，闫娜，孙清清，陈琳，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。