【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及印刷线路板，尤其是一种改善电镀填孔凹陷的工艺及镀膜工艺。
技术介绍
1、高密度互联和任意层互联的印刷线路板加工生产，填孔电镀是其极其重要的工艺步骤；在所有影响填孔品质的影响因子中，纵横比（孔径和介质层厚度的比例）的影响非常大，所以在电镀填孔时不可避免的出现dimple（凹陷）值。但是由于填孔的孔径和介质层厚度一般原稿资料有规定，而且任意层互联的印刷线路板的资料设计对空间利用比较充分，在印刷线路板设计阶段很难调整需要填孔的孔径和介质层厚度；因此要在更密集的空间设计更小的盲孔，所以要求其孔径更小，而纵横比就会随之改变，从而会影响到填孔电镀的dimple，在实际生产过程中，药水浓度和温度、电流密度等其它因子的综合影响容易产生dimple超标问题，dimple超标会影响到焊接零件、盲孔对接不良等，而且对已经产生了部分或整体dimple超标的不良，需要进行重新加工来保证品质良率或报废处理而产生成本的浪费。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种改善电镀填孔凹陷的工艺，以降低盲孔位置介质层厚度、优化纵横比。
2、本专利技术采用的技术方案是：
3、一种改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：包括以下步骤：
4、步骤s1.提供印刷线路板基板，所述基板包含绝缘层、设置在绝缘层上表面和下表面的上铜箔、下铜箔；
5、步骤s2.将基板的上铜箔、下铜箔上均设置干膜，并对盲孔位置进行曝光、显影使得上铜箔、下铜箔表面形成多个间隔设置的显
6、步骤s3.对显影部之间的上铜箔、下铜箔进行微蚀刻形成凹槽，控制凹槽的深度>12.7um，并控制上铜箔、下铜箔微蚀刻后的厚度为4-8um；
7、步骤s4.将显影部上的干膜去除，使得上铜箔、下铜箔表面上产生具有凹槽和凸台交替布置的表面结构，得到基片；
8、步骤s5.将基片进行线路图形制作；
9、步骤s6. 将做好线路的线路板做棕化，随后将棕化后的基片上表面和下表面均依次设置介质层和铜箔；最后激光钻盲孔，填孔电镀，得到成品。
10、在压膜前，因盲孔位置的铜层是凸起的，与相邻的凹槽的铜有12.7um以上的落差，需采用湿法压膜或真空压膜，且压膜后需静置0.5-3h使干膜对落差位置完全填充; 曝光时，曝光底片中盲孔位置需比盲孔直径大0.2mm曝光，确保曝光后的干膜完全包裹住盲孔位置的凸台，避免干膜浮离、脱落等不良。
11、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：步骤s2中控制显影部的宽度比盲孔直径大0.1mm。
12、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：步骤s6中激光钻盲孔具体为：通过激光钻穿透介质层和铜箔连接到显影部形成盲孔。
13、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：步骤s6盲孔的底部连通对应的所述凸台。
14、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：改善电镀填孔凹陷的工艺还包括至少重复步骤s2-步骤s6一次，在成品的上表面和下表面重复形成盲孔的步骤。
15、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：步骤s5中线路图形制作具体为：将基片依次进行预处理、压膜、曝光、显影、蚀刻，压膜采用湿法压膜或真空压膜，压膜后静置0.5-3h，曝光时基片中盲孔位置的曝光孔径比盲孔直径至少大0.2mm。
16、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：预处理具体为刷磨、一次水洗、微蚀、二次水洗、酸洗、三次水洗、烘干；微蚀速率为20-40微英尺，酸洗的酸为硫酸，硫酸浓度为2-4%，烘干温度为80-90℃。
17、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：压膜具体为粘尘、预热、压干膜、冷却、粘尘；预热温度为110-120℃；压干膜温度为120-130℃，压干膜压力为3-5kg/cm2，压干膜速度为1.8-2.2m/min。
18、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：显影后还包括水洗、烘干的步骤，显影浓度为0.8-1.2%，显影温度为28-32℃，烘干温度为80-85℃；蚀刻后还进行一次水洗、剥干膜、二次水洗、烘干的步骤，烘干温度为60-80℃。
19、优选的是，所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其中：填孔电镀具体为除胶、化铜、电镀镀铜、酸洗、烘干；除胶温度为82-88℃，除胶速率为0.2-0.5mg/cm2，除胶速度为1.6-2.2m/min，沉铜速率为15-25微英尺，酸洗浓度为10-50ml/l，烘干温度为60-80℃，烘干速度为1-2m/min。
20、本专利技术的优点：
21、本专利技术的改善电镀填孔凹陷的工艺，通过在基板上压干膜，对盲孔位置进行曝光、显影，微蚀刻，控制微蚀刻量>12.7um，将盲孔位置的干膜去除形成具有凹槽和凸台交替布置的表面结构，之后再按正常工艺做线路图形、棕化、压合、激光盲孔、填孔电镀，因盲孔位置的铜比其它位置要厚，故盲孔位置的介质层厚度比其它位置薄，达到降低介质层厚度的目的。
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1.一种改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤S2中控制显影部（6）的宽度比盲孔直径大0.1mm。
3.根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤S6中激光钻盲孔（3）具体为：通过激光钻穿透介质层（5）和铜箔（4）连接到显影部（6）形成盲孔（3）。
4.根据权利要求3所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤S6盲孔的底部连通对应的所述凸台（8）。
5.根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：改善电镀填孔凹陷的工艺还包括至少重复步骤S2-步骤S6一次，在成品的上表面和下表面重复形成盲孔（3）的步骤。
6. 根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤S5中线路图形制作具体为：将基片依次进行预处理、压膜、曝光、显影、蚀刻， 压膜采用湿法压膜或真空压膜，压膜后静置0.5-3h，曝光时基片中盲孔（3）位置的曝光孔径比盲孔（3）直径至少大0.2mm。
7.根据权利要求6所述的改善电镀填孔
8.根据权利要求6所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：压膜具体为粘尘、预热、压干膜、冷却、粘尘；预热温度为110-120℃；压干膜温度为120-130℃，压干膜压力为3-5kg/cm2，压干膜速度为1.8-2.2m/min。
9.根据权利要求6所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：显影后还包括水洗、烘干的步骤，显影浓度为0.8-1.2%，显影温度为28-32℃，烘干温度为80-85℃；蚀刻后还进行一次水洗、剥干膜、二次水洗、烘干的步骤，烘干温度为60-80℃。
10.根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：填孔电镀具体为除胶、化铜、电镀镀铜、酸洗、烘干；除胶温度为82-88℃，除胶速率为0.2-0.5mg/cm2，除胶速度为1.6-2.2m/min，化铜步骤中沉铜速率为15-25微英尺，酸洗浓度为10-50ml/L，烘干温度为60-80℃，烘干速度为1-2m/min。
...【技术特征摘要】
1.一种改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤s2中控制显影部（6）的宽度比盲孔直径大0.1mm。
3.根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤s6中激光钻盲孔（3）具体为：通过激光钻穿透介质层（5）和铜箔（4）连接到显影部（6）形成盲孔（3）。
4.根据权利要求3所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤s6盲孔的底部连通对应的所述凸台（8）。
5.根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：改善电镀填孔凹陷的工艺还包括至少重复步骤s2-步骤s6一次，在成品的上表面和下表面重复形成盲孔（3）的步骤。
6. 根据权利要求1所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其特征在于：步骤s5中线路图形制作具体为：将基片依次进行预处理、压膜、曝光、显影、蚀刻， 压膜采用湿法压膜或真空压膜，压膜后静置0.5-3h，曝光时基片中盲孔（3）位置的曝光孔径比盲孔（3）直径至少大0.2mm。
7.根据权利要求6所述的改善电镀填孔凹陷的工艺，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：华福德，
申请(专利权)人：高德江苏电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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