System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 坩埚装置制造方法及图纸_技高网

坩埚装置制造方法及图纸

技术编号:40943386 阅读:10 留言:0更新日期:2024-04-18 15:00
本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种坩埚装置,包括:坩埚本体,所述坩埚本体包括内壁,所述内壁的围设区域形成长晶区,所述长晶区包括第一工作区和第二工作区,所述第一工作区的工作温度大于所述第二工作区的工作温度;涂层,所述涂层覆盖所述内壁,所述涂层的厚度在所述第一工作区大于所述第二工作区。本申请的坩埚装置可以提升对坩埚装置整体的防护,提高坩埚装置内部碳化硅的长晶的品质。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及碳化硅新材料,尤其是涉及一种坩埚装置


技术介绍

1、碳化硅材料长晶大多使用坩埚装置,例如石墨材质的坩埚,石墨材质虽然具有优异的抗热震性和抗腐蚀性,但同样存在在高温有氧环境下易氧化和耐划性能较差等缺点,目前常通过在坩埚装置内表面均匀涂敷涂层的方式,提高坩埚装置的抗热震性和抗腐蚀性,但是坩埚装置的一些位置仍然存在易氧化、易出现裂纹脆化等现象,从而影响到坩埚装置内部碳化硅的长晶的品质。


技术实现思路

1、鉴于
技术介绍
中存在的问题,本申请提供一种坩埚装置,可以提升对坩埚装置整体的防护,提高坩埚装置内部碳化硅的长晶的品质。

2、根据本专利技术的一个方面,提供一种坩埚装置,包括:坩埚本体,所述坩埚本体包括内壁,所述内壁的围设区域形成长晶区,所述长晶区包括第一工作区和第二工作区,所述第一工作区的工作温度大于所述第二工作区的工作温度;涂层,所述涂层覆盖所述内壁,所述涂层的厚度在所述第一工作区大于所述第二工作区。

3、另外,根据本申请的坩埚装置,还可具有如下附加的技术特征:

4、在本专利技术的一些实施方式中,所述长晶区包括两个第二工作区,两个所述第二工作区分别位于所述第一工作区的相对两侧。

5、在本专利技术的一些实施方式中,所述涂层的厚度由两个所述第二工作区分别独立的向所述第一工作区逐渐增厚。

6、在本专利技术的一些实施方式中,所述内壁靠近所述第一工作区的区域与所述涂层之间设有环形的保护层,所述保护层围绕所述第一工作区。

7、在本专利技术的一些实施方式中,所述内壁正对所述保护层处形成有环形凹槽,所述保护层与所述环形凹槽适配。

8、在本专利技术的一些实施方式中,所述涂层的材料选自碳化鉭、碳化铪中的一种或两种。

9、在本专利技术的一些实施方式中,所述涂层靠近所述第一工作区的中部的厚度为60-80μm。

10、在本专利技术的一些实施方式中,所述涂层通过cvd法、等离子喷涂法或者料浆烧结法涂覆于所述内壁。

11、在本专利技术的一些实施方式中,所述保护层的厚度为2-5mm。

12、在本专利技术的一些实施方式中,所述保护层的厚度由其中部向两端逐渐减薄。

13、本申请实施例提供了一种坩埚装置,该坩埚装置通过对坩埚本体内长晶区的热区温度的仿真分析,对碳化硅长晶的坩埚本体重新设计优化,选用与石墨具有相近良好的化学相容性和力学相容性的材料,在坩埚本体的内壁由高温区向低温区涂敷梯度性的涂层,在保证长晶温度不影响工艺流程的前提下,在长晶过程中对坩埚本体的内部进行有效保护,提高了坩埚本体的抗腐蚀氧化性能、高温力学稳定性能和高温抗化学腐蚀性能,进而有效提高了碳化硅长晶质量。

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【技术保护点】

1.一种坩埚装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的坩埚装置,其特征在于,所述长晶区包括两个第二工作区,两个所述第二工作区分别位于所述第一工作区的相对两侧。

3.根据权利要求2所述的坩埚装置,其特征在于,所述涂层的厚度由两个所述第二工作区分别独立的向所述第一工作区逐渐增厚。

4.根据权利要求1所述的坩埚装置,其特征在于,所述内壁靠近所述第一工作区的区域与所述涂层之间设有环形的保护层,所述保护层围绕所述第一工作区。

5.根据权利要求4所述的坩埚装置,其特征在于,所述内壁正对所述保护层处形成有环形凹槽,所述保护层与所述环形凹槽适配。

6.根据权利要求1-5任一所述的坩埚装置,其特征在于,所述涂层的材料选自碳化鉭、碳化铪中的一种或两种。

7.根据权利要求1-5任一所述的坩埚装置,其特征在于,所述涂层靠近所述第一工作区的中部的厚度为60-80μm。

8.根据权利要求1-5任一所述的坩埚装置,其特征在于,所述涂层通过CVD法、等离子喷涂法或者料浆烧结法涂覆于所述内壁。

9.根据权利要求4或5所述的坩埚装置,其特征在于,所述保护层的厚度为2-5mm。

10.根据权利要求4或5所述的坩埚装置,其特征在于,所述保护层的厚度由其中部向两端逐渐减薄。

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【技术特征摘要】

1.一种坩埚装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的坩埚装置,其特征在于,所述长晶区包括两个第二工作区,两个所述第二工作区分别位于所述第一工作区的相对两侧。

3.根据权利要求2所述的坩埚装置,其特征在于,所述涂层的厚度由两个所述第二工作区分别独立的向所述第一工作区逐渐增厚。

4.根据权利要求1所述的坩埚装置,其特征在于,所述内壁靠近所述第一工作区的区域与所述涂层之间设有环形的保护层,所述保护层围绕所述第一工作区。

5.根据权利要求4所述的坩埚装置,其特征在于,所述内壁正对所述保护层处形成有环形凹槽,所述保护层与所述环形...

【专利技术属性】
技术研发人员:余雅俊占俊杰徐良刘建哲夏建白
申请(专利权)人:金华博蓝特新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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