【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、在采用传统的顺序(sequential)方案制备堆叠晶体管(stacked transistor)时，存在金属刻蚀无法实现自对准的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，以实现源漏互连时的自对准。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的源漏互连方法，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；第一半导体结构和第一半导体结构在垂直于沟道的方向上自对准；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。
3、在一些可能的实施方式中，基于第一有源结构，形成第一半导体结构，包括：基于第一有源结构，依次形
4、在一些可能的实施方式中，基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层、第一栅极结构和第一源漏金属，包括：刻蚀第一有源结构的一部分，以形成第一源漏结构；在第一有源结构和第一源漏结构上沉积半导体材料，以形成第一层间介质层；在第一源漏结构的两侧，形成第一栅极结构；刻蚀第一层间介质层的第一部分，以形成第一源漏金属。
5、在一些可能的实施方式中，基于第二有源结构，形成第二半导体结构，包括：基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二栅极结构。
6、在一些可能的实施方式中，基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二栅极结构，包括：刻蚀第二有源结构的一部分，以形成第二源漏结构；在第二有源结构和第二源漏结构上沉积半导体材料，以形成第二层间介质层；在第二源漏结构的两侧，形成第二栅极结构。
7、在一些可能的实施方式中，在基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽之后，上述方法还包括：刻蚀第二半导体结构的第二层间介质层的第二部分，以形成第二源漏金属。
8、在一些可能的实施方式中，在基于第二有源结构，形成第二半导体结构之前，上述方法还包括：将第一半导体结构与载片晶圆键合；倒片并去除半导体衬底。
9、第二方面，本申请实施例提供一种半导体结构，包括：第一半导体结构；第二半导体结构，第二半导体结构与第一半导体结构在垂直于沟道的方向上自对准；栅极切断结构，栅极切断结构位于第一半导体结构的第一有源结构和第二半导体结构的第二有源结构的两侧；互连通孔结构；互连通孔结构自对准至栅极切断结构，第一半导体结构的第一源漏金属与第二半导体结构的第二源漏金属通过互连通孔结构连通，互连通孔结构贯穿第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层。
10、第三方面，本申请实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括：如上述实施例的半导体结构。
11、第四方面，本申请实施例提供一种电子设备，该电子设备包括：电路板以及如上述实施例的半导体器件，半导体器件设置于电路板。
12、在本申请中，基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，形成第一深槽，并在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构的制备工艺，可以使得互连通孔结构具有自对准性。
13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构的源漏互连方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成第一半导体结构，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，依次形成所述第一源漏结构、第一层间介质层、所述第一栅极结构和所述第一源漏金属，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二有源结构，形成第二半导体结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二有源结构，依次形成所述第二源漏结构、第二层间介质层和所述第二栅极结构，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于自对准至所述栅极切断结构的光刻区域，对所述第一半导体结构的第一层间介质层和所述第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于所述第二有源结构，形成第二半导体结构之前，所述方法还包括：
8.一种半导体结构，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的源漏互连方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成第一半导体结构，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，依次形成所述第一源漏结构、第一层间介质层、所述第一栅极结构和所述第一源漏金属，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二有源结构，形成第二半导体结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二有源结构，依次形成所述第二源漏结构、第二层间介质层和所述第二栅极结构，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，孙嘉诚，卢浩然，王润声，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。