【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光刻，具体涉及一种波带片离轴成像检测装置。
技术介绍
1、光刻是集成电路制造过程最关键的工艺。13.5nm波长的极紫外(euv)光刻和193nm深紫外(duv)光刻是目前的主流光刻技术。
2、光刻的关键是通过成像的方式将掩模上的图形转印到晶圆上，因此掩模是光刻的核心材料之一。但在掩模制作过程中会引入凹坑、凸起等缺陷，这些缺陷会影响最终的成像效果，直接导致最终刻蚀在晶圆上的图形不及预期，进而导致产出的芯片出现质量问题，造成巨大的经济损失。发现并修复掩模缺陷已成为光刻的重大技术挑战之一。
3、目前国际上均采用使用工作波长(euv或duv)的激光对掩模成像的方式来检测掩模缺陷。主要有全反射镜成像系统、全透射镜成像系统(仅限duv)、相干衍射成像系统和波带片成像系统四种方案。其中波带片成像技术的成像光路简单，成本低廉，能够重现所有的euv光刻机照明条件来实现高分辨率的掩模缺陷检测，可以用于研究掩模研发过程中面临的问题，诸如掩模架构及材料、光学临近校正及辅助特征图形、高na(数值孔径)的影响、以及source mask协同优化等等研究。
4、但以往的波带片成像系统多为在轴明场成像系统，在成像面无法分离衍射一级光和零级光，使得成像对比度变差，成像分辨率降低；同时在整个成像系统中无法对光场做合适的调控，无法根据需求获得不同的空间频率成分的光线，进而无法对成像物体获得更全面的认识。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种波带片离轴成像检测装置，能够提
2、本公开实施例提供一种波带片离轴成像检测装置，包括：
3、依次设置的掩模检测位、波带片、调制板以及图像采集部件；
4、其中，所述掩模检测位是指待检测的光刻掩模放置的位置；所述掩模检测位和图像采集部件设置在所述波带片的光轴上；
5、入射光以偏离所述波带片的光轴预设角度的入射角穿过所述波带片照射在所述光刻掩模上形成反射光场，所述反射光场经过所述波带片后形成汇聚光场，所述汇聚光场经过所述调制板后形成调制光场传播至所述图像采集部件处被接收。
6、在本申请的一些实施方式中，所述波带片为中心为暗的波带片或中心为亮的波带片。
7、在本申请的一些实施方式中，所述波带片上制作有通光孔以保证所述入射光的通过。
8、在本申请的一些实施方式中，所述波带片的焦距在百微米量级。
9、在本申请的一些实施方式中，所述装置还包括掩模位移台、波带片位移台、调制板位移台和图像采集部件位移台；
10、所述掩模位移台，用于承载所述光刻掩模；
11、所述波带片位移台，用于承载所述波带片；
12、所述调制板位移台，用于承载所述调制板；
13、所述图像采集部件位移台，用于承载所述图像采集部件。
14、在本申请的一些实施方式中，所述掩模位移台、波带片位移台、调制板位移台和图像采集部件位移台均为三轴位移台。
15、在本申请的一些实施方式中，所述装置还包括真空腔室，所述掩模检测位、波带片、调制板以及图像采集部件均设置在所述真空腔室内。
16、在本申请的一些实施方式中，所述预设角度为4～10°。
17、本公开与现有技术相比的优点在于：
18、本公开提供的波带片离轴成像检测装置包括：依次设置的掩模检测位、波带片、调制板以及图像采集部件；其中，所述掩模检测位是指待检测的光刻掩模放置的位置；所述掩模检测位和图像采集部件设置在所述波带片的光轴上；入射光以偏离所述波带片的光轴预设角度的入射角穿过所述波带片照射在所述光刻掩模上形成反射光场，所述反射光场经过所述波带片后形成汇聚光场，所述汇聚光场经过所述调制板后形成调制光场传播至所述图像采集部件处被接收。相较于现有技术，本申请采用波带片离轴成像，能够在成像面分离衍射一级光和零级光，从而提高掩模成像分辨率和检测灵敏度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种波带片离轴成像检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述波带片为中心为暗的波带片或中心为亮的波带片。
3.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述波带片上制作有通光孔以保证所述入射光的通过。
4.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述波带片的焦距在百微米量级。
5.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述装置还包括掩模位移台、波带片位移台、调制板位移台和图像采集部件位移台；
6.根据权利要求5所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述掩模位移台、波带片位移台、调制板位移台和图像采集部件位移台均为三轴位移台。
7.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述装置还包括真空腔室，所述掩模检测位、波带片、调制板以及图像采集部件均设置在所述真空腔室内。
8.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述预设角度为4～10°。
【技术特征摘要】
1.一种波带片离轴成像检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述波带片为中心为暗的波带片或中心为亮的波带片。
3.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述波带片上制作有通光孔以保证所述入射光的通过。
4.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述波带片的焦距在百微米量级。
5.根据权利要求1所述的波带片离轴成像检测装置，其特征在于，所述装置还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：方旭晨，吴晓斌，沙鹏飞，王魁波，韩晓泉，谢婉露，李慧，罗艳，谭芳蕊，尹皓玉，马钺洋，高梓翔，张良乐，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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