【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及涂布，尤其涉及一种涂布装置及涂布方法。
技术介绍
1、随着对钙钛矿研究的不断深入，钙钛矿与晶硅的叠层技术逐渐受到了人们的关注。现有的钙钛矿与晶硅的叠层技术包括四端子叠层技术和二端子钙钛矿晶硅叠层技术。相比与四端子叠层技术，二端子钙钛矿晶硅叠层技术可以减少寄生吸收导致的光学损失，具备更高的光电效率，因而受到更广泛的关注。
2、二端子钙钛矿晶硅叠层技术需要在晶硅上制备钙钛矿吸收层。钙钛矿吸收层的制备一般是采用涂布头通过狭缝涂布的方式将浆料涂布在晶硅上形成薄膜，之后通过干燥结晶等步骤成型。最终制备的钙钛矿电池的性能与浆料在晶硅上的涂布均匀性有关。
3、公开号为cn115780173a的中国专利公开了一种适用于太阳能硅片的涂膜设备，该涂膜设备包括至少一个硅片载台、至少一个掩膜载台、基础平台以及至少一个调平定位组件，该涂膜设备能够针对晶硅实现狭缝涂布，存在的不足是每个待涂膜硅片和周围掩膜之间存在间隙，虽然该间隙非常细小（≤5mm），涂布过程中，覆盖空隙处的液膜，会留存在缝隙中，不会滴落，但是随着钙钛矿晶硅叠层技术的不断发展，对涂膜的均一性要求越来越高，采用上述涂膜设备进行涂布，覆盖空隙处的液膜在重力作用下在空隙处向下凹陷，导致硅片边缘的液膜的厚度与硅片中间的液膜的厚度不一致，进而导致液膜均一性受到影响。
技术实现思路
1、基于发现的上述不足，本专利技术的目的在于提供一种涂布装置及涂布方法，用于提高涂布头在晶硅上涂布浆料的均匀度。
2、本专利技
3、一种涂布装置，包括：
4、晶硅承载件，用于固定晶硅；
5、掩膜板承载件，用于固定掩膜板，所述掩膜板承载件靠近所述晶硅承载件以使所述掩膜板间隔设置在所述晶硅的外周；
6、涂布头，用于涂布浆料，所述浆料覆盖所述晶硅和至少部分所述掩膜板，且所述涂布头在所述掩膜板与所述晶硅的衔接处单位面积的涂布量大于所述涂布头在晶硅中部单位面积的涂布量。
7、优选地，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的y向缝隙，和与所述涂布头的涂布方向垂直的x向缝隙；
8、所述涂布头途经所述x向缝隙时单位面积的涂布量大于所述涂布头途经晶硅中部时单位面积的涂布量，和/或，所述涂布头对应y向缝隙处单位面积的涂布量大于所述涂布头对应晶硅中部单位面积的涂布量。
9、优选地，还包括控制组件；
10、所述控制组件包括原料供给件以及调节件，所述原料供给件用于向所述涂布头供给涂布浆料，所述调节件与所述原料供给件连接，并能够调整所述原料供给件的供给量；
11、和/或，所述控制组件用于调整所述涂布头的运动速度。
12、优选地，所述涂布头包括第一模体、第二模体以及设置在所述第一模体与第二模体之间的复合垫片，所述复合垫片一侧边缘与所述第一模体、第二模体形成出液口；
13、所述出液口划分有对应所述y向缝隙的第一出液区和对应所述晶硅中部的第二出液区，所述第一出液区的宽度大于所述第二出液区的宽度；所述第一出液区用于向所述y向缝隙涂布浆料，所述第二出液区用于向所述晶硅中部和x向缝隙涂布浆料。
14、优选地，所述复合垫片包括沿复合垫片厚度方向堆叠的第一垫片和第二垫片，所述第一垫片开设有第一镂空区，所述第二垫片开设有第二镂空区，所述第二镂空区与部分所述第一镂空区重合连通且延伸至所述复合垫片边缘并对应形成第一出液区，所述第一镂空区未与所述第二镂空区重合的部分延伸至所复合述垫片边缘并对应形成第二出液区。
15、优选地，所述第一垫片的非镂空区的厚度为50-80μm，所述第二垫片的非镂空区的厚度为10-80μm；
16、所述第一出液区的宽度为所述第二出液区的宽度的1.2-2.6倍，所述第一出液区的宽度为60-160μm，所述第二出液区的宽度为50-80μm；其中，所述第一出液区的宽度方向与所述涂布头的涂布方向平行，所述y向缝隙的宽度方向与所述涂布头的涂布方向垂直；
17、所述第二垫片开设有间隔设置的两个所述第二镂空区，每个所述第二镂空区与部分所述第一镂空区连通并对应形成一个第一出液区；所述晶硅为方形，所述掩膜板具有与所述晶硅形状相匹配的镂空结构。
18、优选地，所述第一出液区的长度为所述y向缝隙的宽度的0.1-3倍，所述第一出液区的长度为0.01-1.8mm，所述y向缝隙的宽度为0.1-0.6mm；其中，所述第一出液区的长度方向与所述涂布头的涂布方向垂直。
19、一种涂布方法，所述涂布方法应用于上述任意一项所述的涂布装置，所述涂布方法包括：
20、将晶硅安装于晶硅承载件上，将掩膜板安装于掩膜板承载件上；
21、控制所述涂布头向所述晶硅涂布浆料，控制所述涂布头在所述掩膜板与所述晶硅的衔接处单位面积的涂布量大于所述涂布头在晶硅中部单位面积的涂布量。
22、优选地，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的y向缝隙，和与所述涂布头涂布方向垂直的x向缝隙；
23、控制所述涂布头在所述掩膜板与所述晶硅的衔接处单位面积的涂布量大于所述涂布头在晶硅中部单位面积的涂布量，具体包括：
24、调整所述涂布头的出液量，使所述涂布头途径所述x向缝隙和/或y向缝隙时单位面积的涂布量大于所述涂布头涂布晶硅中部时单位面积的涂布量；
25、和/或，还包括：使所述晶硅的待涂布表面与所述掩膜板的表面平齐。
26、优选地，所述涂布头在沿涂布方向上邻近所述x向缝隙的前方和后方，以及所述涂布头位于所述x向缝隙上方时单位面积的涂布量大于所述涂布头涂布晶硅中部时单位面积的涂布量。
27、优选地，所述涂布头在沿涂布方向上依次经过所述x向缝隙的后方和前方，所述涂布头在距所述x向缝隙后方第一间距处开始增大涂布量，在距所述x向缝隙前方第二间距处恢复原始涂布量；所述第一间距为1-10mm，所述第二间距为1-5mm。
28、优选地，所述涂布头通过增加浆料挤出量至原始涂布量的110%-200%的方式增大涂布头单位面积的涂布量；
29、或，所述涂布头通过降低涂布头运动速度至初始运动速度的50%-90%的方式增大涂布头单位面积的涂布量。
30、优选地，通过调整所述涂布头的出液口对应y向缝隙处的宽度，和/或调整出液口对应晶硅中部处的宽度，调整所述涂布头在y向缝隙和/或晶硅中部处的出液量。
31、与现有技术相比，本专利技术的有益效果至少包括：
32、通过设置掩膜板承载件，以避免涂布头边缘处的不均匀区域对晶硅表面的液膜延伸影响。通过改变涂布头在不同位置的涂布量，以使得涂布头在晶硅与掩膜板衔接处，即涂布头与掩膜板形成的间隙处单位面积的涂布量增加，以补偿流入间隙的浆料，避免在晶硅表面形成的液膜因浆料的流失，导致液膜在晶硅边缘处形成弯月面而影响晶硅表面液膜的均匀性；通过对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种涂布装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的Y向缝隙，和与所述涂布头的涂布方向垂直的X向缝隙；
3.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，还包括控制组件；
4.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，所述涂布头包括第一模体、第二模体以及设置在所述第一模体与第二模体之间的复合垫片，所述复合垫片一侧边缘与所述第一模体、第二模体形成出液口；
5.根据权利要求4所述的涂布装置，其特征在于，所述复合垫片包括沿复合垫片厚度方向堆叠的第一垫片和第二垫片，所述第一垫片开设有第一镂空区，所述第二垫片开设有第二镂空区，所述第二镂空区与部分所述第一镂空区重合连通且延伸至所述复合垫片边缘并对应形成第一出液区，所述第一镂空区未与所述第二镂空区重合的部分延伸至所复合述垫片边缘并对应形成第二出液区。
6.根据权利要求5所述的涂布装置，其特征在于，所述第一垫片的非镂空区的厚度为50-80μm，所述第二垫片的非镂空区的厚度为10-80μm；
...【技术特征摘要】
1.一种涂布装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的y向缝隙，和与所述涂布头的涂布方向垂直的x向缝隙；
3.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，还包括控制组件；
4.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，所述涂布头包括第一模体、第二模体以及设置在所述第一模体与第二模体之间的复合垫片，所述复合垫片一侧边缘与所述第一模体、第二模体形成出液口；
5.根据权利要求4所述的涂布装置，其特征在于，所述复合垫片包括沿复合垫片厚度方向堆叠的第一垫片和第二垫片，所述第一垫片开设有第一镂空区，所述第二垫片开设有第二镂空区，所述第二镂空区与部分所述第一镂空区重合连通且延伸至所述复合垫片边缘并对应形成第一出液区，所述第一镂空区未与所述第二镂空区重合的部分延伸至所复合述垫片边缘并对应形成第二出液区。
6.根据权利要求5所述的涂布装置，其特征在于，所述第一垫片的非镂空区的厚度为50-80μm，所述第二垫片的非镂空区的厚度为10-80μm；
7.根据权利要求6所述的涂布装置，其特征在于，所述第一出液区的长度为所述y向缝隙的宽度的0.1-3倍，所述第一出液区的长度为0.01-1.8mm，所述y向缝隙的宽度为0.1-0.6mm；其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王锦山，张恒，王此宏，周斌，何强，
申请(专利权)人：德沪涂膜设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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