【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光耦合器封装，尤其涉及一种光耦合器封装方法及光耦合器。
技术介绍
1、反射式光耦合器是一种电-光-电转换器件，目前对其的封装方法一般是，首先将光发射芯片与光接收芯片通过银胶粘接的方式固定在平面式金属支架上，其次通过点胶以包覆发射芯片与接收芯片，形成保护性腔体，再于保护性腔体外部，模压不透红外光的胶体，从而能够使光发射芯片发射出的光线反射至光接收芯片，进而可以完成电-光-电的转换。
2、但目前的反射式光耦合器的耐压性能较低，以目前的封装方式，在设计制造时需要重新设计平面金属支架，以保证光发射芯片与光接收芯片之间具有足够的距离，这就需要重新开模处理，设计成本大大增加；并且，以目前封装方法点胶时，保护性腔体形状往往容易受胶量、支架表面性状及胶水状态等因素影响，从而导致产品ctr值(红外发射器件的电流和红外接收器件的电流比值的最小值)波动较大，进而影响终端使用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于至少克服上述现有技术的不足之一，提供了一种光耦合器封装方法及光耦合器，能够在不需要开模处理，降低设计成本的同时，就能提高光耦合器的耐压性能、封装件形状的稳定性与ctr值的稳定性。
2、本专利技术的技术方案是：一种光耦合器封装方法，包括以下步骤：
3、步骤a,提供第一板和第二板，其中，在所述第一板设置用于与电子元件连接的电路；在所述第一板的正面设置至少一条间隔槽；在所述第二板设置至少一个贯通的封装孔；
4、步骤b,将所述第二板固定连接
5、步骤c,于所述第一区域和第二区域分别设置光发射芯片与光接收芯片，使所述光发射芯片与光接收芯片与所述第一板上的电路电连接；
6、步骤d,于所述封装孔内设置封装件，使所述封装件覆盖所述光发射芯片与光接收芯片，得到包括至少一个光耦合器的封装组件。
7、作为本技术方案的进一步改进，在步骤a中，所述第一板的正面设置多条间隔槽；所述第二板设置多个贯通的封装孔；在步骤d中，得到包括至少一个光耦合器的封装组件之后，还包括：步骤f,沿相邻所述封装孔的间隔对所述封装组件进行切割，以得到多个光耦合器。
8、作为本技术方案的进一步改进，在步骤a中，通过钻头于所述第一板的正面设置多个排列设置的间隔槽，和/或通过钻头于所述第二板的正面设置多个封装孔。
9、作为本技术方案的进一步改进，多个排列设置的间隔槽中，相邻的所述间隔槽相互独立，或者，相邻的所述间隔槽通过连通槽连通。
10、作为本技术方案的进一步改进，在步骤d中，包括：将保护胶填充在所述封装孔内，且使所述保护胶覆盖所述光发射芯片与光接收芯片并填充所述间隔槽；所述光发射芯片发射的光可在保护胶内传播；将阻隔胶填充在所述封装孔内覆盖所述保护胶，所述阻隔胶可阻挡所述光发射芯片发射的光使其仅可在保护胶内传播；所述保护胶和所述阻隔胶固化后形成所述封装件。
11、作为本技术方案的进一步改进，在步骤d中，将阻隔胶填充在所述封装孔内覆盖所述保护胶,包括：于所述封装组件外围设置围栏，所述围栏的高度大于所述第二板的高度，所述围栏与所述第二板形成胶槽；将阻隔胶置于所述胶槽，使所述阻隔胶覆盖所述第二板的上表面从而覆盖所述保护胶。
12、本专利技术还提供了一种光耦合器，采用上述任一项所述的光耦合器封装方法进行封装，所述光耦合器包括：第一板形成的基板，所述基板的正面具有间隔槽；光发射芯片与光接收芯片，设于所述基板的正面，并且所述光发射芯片与光接收芯片分别设于所述间隔槽的两侧；第二板形成的围坝，固定连接于所述基板的正面，所述围坝设有封装孔，所述光发射芯片与光接收芯片位于所述封装孔内；封装件，设于所述封装孔，并且所述封装件覆盖所述光发射芯片与光接收芯片。
13、作为本技术方案的进一步改进，所述封装孔的纵截面形状为矩形或梯形或倒梯形，和/或所述间隔槽的纵截面形状为矩形或梯形或倒梯形。
14、作为本技术方案的进一步改进，所述封装件包括保护胶与阻隔胶，所述保护胶覆盖所述光发射芯片与光接收芯片，所述光发射芯片发射的光可在保护胶内传播，所述阻隔胶完全覆盖所述保护胶；所述阻隔胶可阻挡所述光发射芯片发射的光使其仅可在保护胶内传播；所述阻隔胶包括主体部与连接于所述主体部顶端的盖体部，所述主体部设于所述封装孔，并抵接于所述保护胶，所述盖体部盖合于所述封装孔，所述盖体部的外侧面和所述围坝的外侧面以及所述基板的外侧面均平齐，所述盖体部的顶面为平面且高于所述围坝的顶面。
15、作为本技术方案的进一步改进，所述基板和所述围坝之间设有保护胶，所述保护胶的顶部为凸面。
16、本专利技术提供了一种光耦合器封装方法及光耦合器，在封装时不需要重新开模处理，就能起到提高光耦合器的耐压性能、封装件形状的稳定性与ctr值的稳定性的效果，大大降低了设计成本。
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1.一种光耦合器封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光耦合器封装方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的光耦合器封装方法，其特征在于，在步骤a中，通过钻头于所述第一板的正面设置多个排列设置的间隔槽，和/或通过钻头于所述第二板的正面设置多个封装孔。
4.根据权利要求3所述的光耦合器封装方法，其特征在于，多个排列设置的间隔槽中，相邻的所述间隔槽相互独立，或者，相邻的所述间隔槽通过连通槽连通。
5.根据权利要求1所述的光耦合器封装方法，其特征在于，在步骤d中，包括：
6.根据权利要求5所述的光耦合器封装方法，其特征在于，在步骤d中，将阻隔胶填充在所述封装孔内覆盖所述保护胶,包括：
7.一种光耦合器，其特征在于，采用权利要求1至6任一项所述的光耦合器封装方法进行封装，所述光耦合器包括：
8.根据权利要求7所述的光耦合器，其特征在于，所述封装孔的纵截面形状为矩形或梯形或倒梯形，和/或所述间隔槽的纵截面形状为矩形或梯形或倒梯形。
9.根据权利要求7所述的光耦合器封装方
10.根据权利要求7所述的光耦合器封装方法，其特征在于，所述基板和所述围坝之间设有保护胶，所述保护胶的顶部为凸面。
...【技术特征摘要】
1.一种光耦合器封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光耦合器封装方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的光耦合器封装方法，其特征在于，在步骤a中，通过钻头于所述第一板的正面设置多个排列设置的间隔槽，和/或通过钻头于所述第二板的正面设置多个封装孔。
4.根据权利要求3所述的光耦合器封装方法，其特征在于，多个排列设置的间隔槽中，相邻的所述间隔槽相互独立，或者，相邻的所述间隔槽通过连通槽连通。
5.根据权利要求1所述的光耦合器封装方法，其特征在于，在步骤d中，包括：
6.根据权利要求5所述的光耦合器封装方法，其特征在于，在步骤d中，将阻隔胶填充在所述封装孔内覆盖所述保护胶,包括：
7.一种光耦合器，其特征在于，采用权利要求1至6任一项所述的光耦合器封装方法进行封装，所述光耦合器包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨正官，魏冬寒，
申请(专利权)人：深圳市聚飞光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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