【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，具体涉及一种高功率芯片的微流道散热结构及其加工工艺。
技术介绍
1、芯片封装主要是在半导体制造的后道制程中完成的，即利用膜技术及微细连接技术，将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接，引出接线端子，并通过塑性绝缘介质灌封固定，构成整体主体结构的工艺，芯片封装最基本的功能是保护电路芯片免受周围环境的影响（包括物理、化学的影响），制造完成的芯片如附图1所示。
2、在芯片封装制造完成之后需要考虑芯片在工作过程中散热的问题，在常规的设置中，在芯片外侧加装独立的散热机构，在芯片发热时，芯片的热量传导至外侧独立的散热机构上进行散热，但是在芯片的局部发热时，芯片的局部热量不能及时传导至整个芯片上，则芯片外侧加装的独立散热机构不能对局部发热位置进行快速降温，从而影响芯片正常工作。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种高功率芯片的微流道散热结构及其加工工艺，以解决现有的芯片散热效率低的问题。
2、本专利技术的一种高功率芯片的微流道散热结构及其加工工艺采用如下技术方案：
3、一种高功率芯片的微流道散热结构，包括壳体、晶粒和重布线层。
4、壳体内部具有安装腔，壳体上连接有散热器；晶粒设置有多个，多个晶粒均设置于安装腔内，且多个晶粒固定设置于同一平面内，每个晶粒均具有第一表面和第二表面；每个晶粒的第一表面上均设置有第一触点；晶粒的第二表面与壳体内侧壁之间能够形成降温腔，降温腔内侧壁设置有格栅，格栅内附着有气泡，降温腔
5、进一步地，降温腔内部设置有隔板，隔板与晶粒的第二表面平行且间隔设置，隔板能够将降温分隔为相对隔绝的第一腔和第二腔，隔板上设置有连通第一腔和第二腔的导通口。
6、进一步地，重布线层上设置有多个支撑板，支撑板的端部能够与隔板抵接。
7、进一步地，隔板上设置有扰流板，扰流板用于控制冷却液在降温腔内流动的方向。
8、进一步地，每个晶粒的各个表面上均涂覆有钝化层，钝化层上设置有多个第一缺口，每个第一缺口与第一触点连通。
9、进一步地，重布线层包括多个布线板和多个锡球；多个锡球在壳体外表面的一个侧壁上阵列排布；布线板为导电材质，每个布线板连接一个晶粒的第一触点与一个锡球。
10、进一步地，支撑板的材质与布线板的材质相同；壳体内部设置有挡板，挡板设置在晶粒的第二表面和支撑板的表面。
11、进一步地，壳体上设置多个接触焊垫，每个接触焊垫与一个布线板导通，锡球设置在接触焊垫上。
12、进一步地，壳体的侧壁上设置有金属片。
13、一种高功率芯片的微流道散热结构的加工工艺，用于加工上述任意一项所述的高功率芯片的微流道散热结构，包括以下步骤：
14、s100：清洗晶粒；
15、s200：在晶粒各个表面涂覆介电层，并固化介电层；
16、s300：在晶粒第一表面上的介电层外侧涂覆光刻胶；
17、s400：使用光刻技术在光刻胶上开孔，确定出晶粒的第一触点；
18、s500：在光刻胶的开孔处设置重布线层，并将重布线层与第一触点连接；
19、s600：向晶粒第二表面与壳体内侧壁之间的降温腔内安装格栅；
20、s700：向降温腔内填充冷却液。
21、本专利技术的有益效果是：本专利技术的一种高功率芯片的微流道散热结构及其加工工艺，其中高功率芯片的微流道散热结构中包括壳体、晶粒和重布线层，将多个晶粒固定设置在同一平面内，且多个晶粒均设置在安装腔内，将每个晶粒的第一表面上设置一个第一触点，其中第一触点用于晶粒输入或输出信号，在重布线层的作用下，将多个晶粒上的第一触点传导至壳体外侧，便于对晶粒进行连接。晶粒的第二表面与壳体内侧壁之间形成降温腔，并且在降温腔内设置格栅，同时向降温腔内填充冷却液。晶粒在工作时发热，壳体上的散热器启动，散热器在工作时产生震动，散热器的震动能够挤压壳体，在壳体震动时，壳体内部冷却液被挤压，则格栅内部的气泡被挤压，使得冷却液在降温腔内流动，流动的冷却液能够将晶粒工作时散发的热量扩散至整个冷却液中，从而在壳体内部某一个或多个晶粒发热时，降温腔内流动的冷却液将热量均匀分布在降温腔内，更加便于晶粒进行散热，多个晶粒构成的芯片散热效果提升。
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1.一种高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：降温腔内部设置有隔板，隔板与晶粒的第二表面平行且间隔设置，隔板能够将降温分隔为相对隔绝的第一腔和第二腔，隔板上设置有连通第一腔和第二腔的导通口。
3.根据权利要求2所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：重布线层上设置有多个支撑板，支撑板的端部能够与隔板抵接。
4.根据权利要求2所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：隔板上设置有扰流板，扰流板用于控制冷却液在降温腔内流动的方向。
5.根据权利要求1所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：每个晶粒的各个表面上均涂覆有钝化层，钝化层上设置有多个第一缺口，每个第一缺口与第一触点连通。
6.根据权利要求1所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：重布线层包括多个布线板和多个锡球；多个锡球在壳体外表面的一个侧壁上阵列排布；布线板为导电材质，每个布线板连接一个晶粒的第一触点与一个锡球。
7.根据权利要求6所述的高功率芯片的微流道散
8.根据权利要求6所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：壳体上设置多个接触焊垫，每个接触焊垫与一个布线板导通，锡球设置在接触焊垫上。
9.根据权利要求1所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：壳体的侧壁上设置有金属片。
10.一种高功率芯片的微流道散热结构的加工工艺，用于加工权利要求1-9中任意一项所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：降温腔内部设置有隔板，隔板与晶粒的第二表面平行且间隔设置，隔板能够将降温分隔为相对隔绝的第一腔和第二腔，隔板上设置有连通第一腔和第二腔的导通口。
3.根据权利要求2所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：重布线层上设置有多个支撑板，支撑板的端部能够与隔板抵接。
4.根据权利要求2所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：隔板上设置有扰流板，扰流板用于控制冷却液在降温腔内流动的方向。
5.根据权利要求1所述的高功率芯片的微流道散热结构，其特征在于：每个晶粒的各个表面上均涂覆有钝化层，钝化层上设置有多个第一缺口，每个第一缺口与第一触点连通。
6.根据权利要求1所述的高...
【专利技术属性】
技术研发人员：李更，李婉君，董雪慧，李艳云，
申请(专利权)人：江苏中科智芯集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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