【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备，特别涉及一种晶圆减薄装置。
技术介绍
1、在集成电路进行封装前，通常还需要对晶圆的背面进行减薄处理，以去处多余的材料，从而有利于实现集成电路的小型化。在对晶圆进行减薄处理的过程中，需要先将晶圆从料盒中取出并放置于对中机构进行对中处理，再将对中后的晶圆转移至载台进行研磨，然后再将研磨后的晶圆搬运至清洗机构进行清洗，最后再将清洗后的晶圆再移入收纳盒进行存储。晶圆的转移一般借助机械手进行，故晶圆减薄设备需要设置多组机械手，从而导致设备的结构复杂，且各机械手之间容易相互干扰。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够简化结构的晶圆减薄装置。
2、一种晶圆减薄装置，包括第一搬运机构、对中机构、清洗机构、第二搬运机构、承载机构及磨削机构；所述第一搬运机构及所述承载机构沿第一方向间隔设置，所述对中机构及所述清洗机构设置于所述第一搬运机构与所述承载机构之间并沿第二方向间隔设置，且所述对中机构及所述清洗机构分别位于所述第一搬运机构与所述承载机构连线的两侧，所述第二搬运机构设置于所述对中机构与所述清洗机构之间；
3、所述第一搬运机构能够将位于上料位的晶圆搬运至所述对中机构；所述第二搬运机构能够将位于所述对中机构的晶圆搬运至所述承载机构，并能够将位于所述承载机构的晶圆搬运至所述清洗机构；所述第一搬运机构还能够将位于所述清洗机构的晶圆搬运至下料位。
4、在其中一个实施例中，还包括底座，所述第一搬运机构、所述对中机构、所述清洗机构、
5、在其中一个实施例中，所述第二搬运机构包括滑座、转动臂及抓取件，所述转动臂的一端安装于所述滑座并能够在所述滑座的带动下沿所述第一方向滑动，所述抓取件安装于所述转动臂的另一端，用于抓取晶圆，所述转动臂安装于所述滑座的一端能够绕平行于第三方向的轴线转动，所述第三方向垂直于所述第一方向及所述第二方向。
6、在其中一个实施例中，所述抓取件设置为真空吸盘。
7、在其中一个实施例中，所述承载机构包括转塔及安装于所述转塔的至少两个载台，每个所述载台均能够吸附晶圆，所述转塔能够带动至少两个所述载台转动，以使每个所述载台依次途经研磨位置及取放料位置，所述磨削机构能够对位于所述研磨位置的所述载台上的晶圆进行研磨，所述第二搬运机构能够将位于所述取放料位置的所述载台上的晶圆搬运至所述清洗机构，并将位于所述对中机构的晶圆搬运至位于所述取放料位置的所述载台上。
8、在其中一个实施例中，所述载台设置有两个，且在其中一个所述载台位于所述研磨位置时，另一个所述载台位于所述取放料位置。
9、在其中一个实施例中，所述载台设置有三个，所述研磨位置设置有两个，且在其中一个所述载台位于所述取放料位置时，另外两个所述载台分别位于两个所述研磨位置。
10、在其中一个实施例中，所述磨削机构包括粗磨削轴及细磨削轴，所述粗磨削轴能够对位于其中一个所述研磨位置的所述载台上的晶圆进行研磨，所述细磨削轴能够对位于另一个所述研磨位置的所述载台上的晶圆进行研磨。
11、在其中一个实施例中，还包括测厚机构，所述测厚机构用于对所述承载机构上晶圆的厚度进行测量。
12、在其中一个实施例中，所述测厚机构包括基座、调节组件、第一测量头及第二测量头，所述第一测量头用于测量承载于所述承载机构的晶圆表面的高度，所述第二测量头用于测量所述承载机构承载面的高度，所述第一测量头及所述第二测量头中至少一个能够在所述调节组件的带动下相对于所述承载机构承载面移动，以调整所述第一测量头和/或所述第二测量头的测量位置。
13、上述晶圆减薄装置，在对晶圆进行减薄处理时，第一搬运机构先从上料位将晶圆搬运至对中机构，并由对中机构进行对中；接着，第二搬运机构将对中机构上的晶圆搬运至承载机构，并由磨削机构对晶圆进行研磨减薄；达到厚度要求后，第二搬运机构再将承载机构上的晶圆搬运至清洗机构进行清洗；清洗完成后，再由第一搬运机构将位于清洗机构的晶圆搬运至下料位。第二搬运机构位于对中机构与清洗机构之间，既可以将晶圆上料至承载机构，又可以将承载机构上的晶圆下料至清洗机构。因此，晶圆的上料与下料过程互不干扰，并可减少搬运机构的数量，从而简化上述晶圆减薄装置的结构。
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1.一种晶圆减薄装置，其特征在于，包括第一搬运机构、对中机构、清洗机构、第二搬运机构、承载机构及磨削机构；所述第一搬运机构及所述承载机构沿第一方向间隔设置，所述对中机构及所述清洗机构设置于所述第一搬运机构与所述承载机构之间并沿第二方向间隔设置，且所述对中机构及所述清洗机构分别位于所述第一搬运机构与所述承载机构连线的两侧，所述第二搬运机构设置于所述对中机构与所述清洗机构之间；
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，还包括底座，所述第一搬运机构、所述对中机构、所述清洗机构、所述第二搬运机构、所述承载机构及所述磨削机构均设置于所述底座，所述底座沿所述第一方向远离所述承载机构的一端设置有第一接料平台及第二接料平台，所述上料位及下料位分别设于所述第一接料平台及所述第二接料平台上，或者所述第一接料平台及所述第二接料平台上均设有所述上料位及所述下料位。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述第二搬运机构包括滑座、转动臂及抓取件，所述转动臂的一端安装于所述滑座并能够在所述滑座的带动下沿所述第一方向滑动，所述抓取件安装于所述转动臂的另一端，用于抓
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述抓取件设置为真空吸盘。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述承载机构包括转塔及安装于所述转塔的至少两个载台，每个所述载台均能够吸附晶圆，所述转塔能够带动至少两个所述载台转动，以使每个所述载台依次途经研磨位置及取放料位置，所述磨削机构能够对位于所述研磨位置的所述载台上的晶圆进行研磨，所述第二搬运机构能够将位于所述取放料位置的所述载台上的晶圆搬运至所述清洗机构，并将位于所述对中机构的晶圆搬运至位于所述取放料位置的所述载台上。
6.根据权利要求5所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述载台设置有两个，且在其中一个所述载台位于所述研磨位置时，另一个所述载台位于所述取放料位置。
7.根据权利要求5所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述载台设置有三个，所述研磨位置设置有两个，且在其中一个所述载台位于所述取放料位置时，另外两个所述载台分别位于两个所述研磨位置。
8.根据权利要求7所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述磨削机构包括粗磨削轴及细磨削轴，所述粗磨削轴能够对位于其中一个所述研磨位置的所述载台上的晶圆进行研磨，所述细磨削轴能够对位于另一个所述研磨位置的所述载台上的晶圆进行研磨。
9.根据权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，还包括测厚机构，所述测厚机构用于对所述承载机构上晶圆的厚度进行测量。
10.根据权利要求9所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述测厚机构包括基座、调节组件、第一测量头及第二测量头，所述第一测量头用于测量承载于所述承载机构的晶圆表面的高度，所述第二测量头用于测量所述承载机构承载面的高度，所述第一测量头及所述第二测量头中至少一个能够在所述调节组件的带动下相对于所述承载机构承载面移动，以调整所述第一测量头和/或所述第二测量头的测量位置。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄装置，其特征在于，包括第一搬运机构、对中机构、清洗机构、第二搬运机构、承载机构及磨削机构；所述第一搬运机构及所述承载机构沿第一方向间隔设置，所述对中机构及所述清洗机构设置于所述第一搬运机构与所述承载机构之间并沿第二方向间隔设置，且所述对中机构及所述清洗机构分别位于所述第一搬运机构与所述承载机构连线的两侧，所述第二搬运机构设置于所述对中机构与所述清洗机构之间；
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，还包括底座，所述第一搬运机构、所述对中机构、所述清洗机构、所述第二搬运机构、所述承载机构及所述磨削机构均设置于所述底座，所述底座沿所述第一方向远离所述承载机构的一端设置有第一接料平台及第二接料平台，所述上料位及下料位分别设于所述第一接料平台及所述第二接料平台上，或者所述第一接料平台及所述第二接料平台上均设有所述上料位及所述下料位。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述第二搬运机构包括滑座、转动臂及抓取件，所述转动臂的一端安装于所述滑座并能够在所述滑座的带动下沿所述第一方向滑动，所述抓取件安装于所述转动臂的另一端，用于抓取晶圆，所述转动臂安装于所述滑座的一端能够绕平行于第三方向的轴线转动，所述第三方向垂直于所述第一方向及所述第二方向。
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述抓取件设置为真空吸盘。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述承载机构包括转塔及安装于所述转塔的至少两个载台，每个所述载台均能够吸附晶圆，所述转塔能够带动至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊逸，沈凌寒，
申请(专利权)人：吉姆西半导体科技无锡股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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