【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆表面处理，具体而言，涉及一种晶圆背面金属层的去除方法。
技术介绍
1、晶圆背面金属化是pvd的一种，它是在减薄后的晶圆背面采用pvd的方法淀积钛镍银；背面金属化可以提高器件的可焊性、为器件在工作过程中提供热传输通路，个别功率器件会在背面引出电极。
2、当沉积设备在作业过程中出现掉真空、卡坩埚、源加错、源飞溅等异常时，晶圆可能会面临报废。因此为了提高成品率，需要对背面金属层异常的晶圆进行处理。目前晶圆背面异常处理的方法主要有两种：(1)将整个晶圆浸泡到王水中(王水配比为：浓盐酸：浓硝酸＝3:1)；工艺流程为：晶圆正面贴膜－烘烤－浸泡王水－冲水－低浓度氢氟酸－冲水－甩干；但是该工艺存在着王水的腐蚀性太强，作业过程中挥发出刺激性气体，造成人体不适，以及王水作业过程中会产生大量的热，容易造成晶圆正面进酸，导致晶圆正面管芯被腐蚀等问题；(2)将晶圆浸泡到酸液中，通过酸液将晶圆背面的金属层去掉，再通过研磨将未反应的金属去掉；具体工艺流程为：晶圆正面贴膜－浸泡酸液－研磨；该工艺则存在着未反应的金属层堵塞研磨轮气孔，降低研磨轮的自锐性，同时降低研磨机的产能，使研磨机的过货量减少等问题。
3、因此，现行的两种晶圆背面金属层去除方法，存在着不安全因素和影响生产产能的缺陷。
4、有鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
1、现有技术的问题在于目前的晶圆背面金属层去除方法，存在着不安全因素和影响生产产能的缺陷，本专利技术目的在于提供一种晶圆背面金属层的去
2、本专利技术通过下述技术方案实现：
3、一种晶圆背面金属层的去除方法，依次包括如下步骤：晶圆正面贴膜、晶圆背面银镍去除、晶圆背面钛去除；
4、所述晶圆背面银镍去除采用浸泡银镍腐蚀液的方式，所述银镍腐蚀液为硝酸水溶液；
5、所述晶圆背面钛去除采用浸泡低浓度氢氟酸的方式。
6、本专利技术采用的去除方法，能够在保证晶圆的初始厚度不变的情况下，同时保证操作人员的人身安全，又能降低晶圆正面进酸的风险，减轻了研磨机的过货压力，使产品的可靠性得到了大幅度的提升。
7、在某一具体实施方式中，所述晶圆正面贴膜的具体步骤为：对晶圆正面进行贴膜保护，要求贴膜后的晶圆表面无气泡、无多边、无褶皱。
8、在某一具体实施方式中，晶圆正面贴膜完成后进行烘烤、压膜；烘烤温度为70±5℃，时间为10min。
9、在某一具体实施方式中，晶圆背面银镍去除的具体步骤为：将晶圆放入配置好的银镍腐蚀液中浸泡，去除晶圆背面的银镍，银镍腐蚀液的配比为70％硝酸：水＝4：5，作业温度35±3℃，作业时间40s。
10、在某一具体实施方式中，晶圆背面钛去除的具体步骤为：将晶圆放入配置好的低浓度氢氟酸中浸泡，去除晶圆背面的钛金属；低浓度氢氟酸溶液的配比为49％氢氟酸：水＝1：20，作业温度为室温，作业时间30s。
11、在某一具体实施方式中，在晶圆正面贴膜之前，还包括对晶圆正面的墨点去除，具体步骤为：将晶圆放入nmp药液中浸泡，去除圆正面的墨点。
12、在某一具体实施方式中，晶圆的浸泡时间为2min，温度为75±5℃。
13、在某一具体实施方式中，晶圆在分别经过正面墨点去除、背面银镍去除和背面钛去除后，采用去离子去进行冲洗，冲洗时间为10min。
14、在某一具体实施方式中，所述去离子水的电阻率≥15mω.cm。
15、在某一具体实施方式中，所述晶圆在冲洗后进行甩干、烘干，甩干过程中全程通入n2保护，烘干过程中也通入n2保护，烘干温度为50℃。
16、本专利技术一种晶圆背面金属层的去除方法具体步骤如下：
17、(1)将背面金属层异常的晶圆转移到专用提篮中
18、将背面金属层异常的晶圆使用真空吸笔转移到专用提篮中，吸笔转移时吸取晶圆的背面，以防止对正面管芯造成擦划伤；
19、(2)确认晶圆正面是否有墨点(如果晶圆正面有墨点，进行步骤(3)；如果晶圆正面无墨点，则跳转到步骤(6))；
20、(3)使用nmp药液去除晶圆正面墨点
21、配置nmp药液，将装有晶圆的提篮放入nmp药液中浸泡，时间为2min、温度为75±5℃，此时注意需要开启超声；
22、(4)去墨点后冲水
23、将装有晶圆的提篮由nmp药液槽转移到去离子水槽，冲水10min，要求去离子水的电阻率≥15mω.cm；
24、(5)甩干
25、将装有晶圆的提篮放入甩干机中进行甩干，要求甩干过程中全程通入n2保护，在烘干时通入n2保护，烘干温度为50℃；对去墨点后的晶圆外观进行确认，如有墨点残留，重复步骤(3)到步骤(5)；
26、(6)对晶圆正面进行贴膜
27、对晶圆正面进行贴膜保护，要求贴膜后的晶圆表面无气泡、无多边、无褶皱；
28、(7)对贴膜完成后的产品进行烘烤，压膜
29、对贴膜完成的产品进行烘烤、压膜；烘烤温度为70±5℃，时间为10min；此步骤的目的是保证胶膜的粘附性，防止在浸泡酸液时产品正面进酸；
30、(8)晶圆背面银镍的去除
31、将装有晶圆的提篮放入银镍腐蚀液中，银镍腐蚀液的配比为：70％硝酸：水＝4：5，作业温度35±3℃，作业时间40s；为了保证去除效果，在浸泡过程中需要不断的抖动提篮(银镍去除后，晶圆呈现灰色)；
32、(9)银镍去除后冲水
33、将装有晶圆的提篮由银镍腐蚀液槽转移到去离子水槽，冲水10min；
34、(10)晶圆背面钛去除
35、将装有晶圆的提篮放入配置好的低浓度氢氟酸中，去除晶圆表面的钛金属；低浓度氢氟酸溶液的配比为：49％氢氟酸：水＝1：20，作业温度为室温，作业时间30s；钛去除后晶圆表面呈疏水状；
36、(11)钛去除后冲水
37、将装有晶圆的提篮由低浓度氢氟酸槽转移到去离子水槽，冲水10min；
38、(12)甩干
39、将装有晶圆的提篮放入甩干机中进行甩干，要求甩干过程中全程通入n2保护，在烘干时通入n2保护，烘干温度为50℃；完成后晶圆按照流程可继续后续的作业。
40、本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
41、本专利技术实施例提供的一种晶圆背面金属层的去除方法，能够在保证晶圆的初始厚度不变的情况下，同时保证操作人员的人身安全，又能降低产品正面进酸的风险，减轻了研磨机的过货压力，使产品的可靠性得到了大幅度的提升。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，依次包括如下步骤：晶圆正面贴膜、晶圆背面银镍去除、晶圆背面钛去除；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，所述晶圆正面贴膜的具体步骤为：对晶圆正面进行贴膜保护，要求贴膜后的晶圆表面无气泡、无多边、无褶皱。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，晶圆正面贴膜完成后进行烘烤、压膜；烘烤温度为70±5℃，时间为10min。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，晶圆背面银镍去除的具体步骤为：将晶圆放入配置好的银镍腐蚀液中浸泡，去除晶圆背面的银镍，银镍腐蚀液的配比为70％硝酸：水＝4：5，作业温度35±3℃，作业时间40s。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，晶圆背面钛去除的具体步骤为：将晶圆放入配置好的低浓度氢氟酸中浸泡，去除晶圆背面的钛金属；低浓度氢氟酸溶液的配比为49％氢氟酸：水＝1：20，作业温度为室温，作业时间30s。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属
7.根据权利要求6所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，晶圆在分别经过正面墨点去除、背面银镍去除和背面钛去除后，采用去离子去进行冲洗，冲洗时间为10min。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，所述去离子水的电阻率≥15MΩ.cm。
9.根据权利要求7所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，所述晶圆在冲洗后进行甩干、烘干，甩干过程中全程通入N2保护，烘干过程中也通入N2保护，烘干温度为50℃。
10.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，具体步骤如下：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，依次包括如下步骤：晶圆正面贴膜、晶圆背面银镍去除、晶圆背面钛去除；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，所述晶圆正面贴膜的具体步骤为：对晶圆正面进行贴膜保护，要求贴膜后的晶圆表面无气泡、无多边、无褶皱。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，晶圆正面贴膜完成后进行烘烤、压膜；烘烤温度为70±5℃，时间为10min。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，晶圆背面银镍去除的具体步骤为：将晶圆放入配置好的银镍腐蚀液中浸泡，去除晶圆背面的银镍，银镍腐蚀液的配比为70％硝酸：水＝4：5，作业温度35±3℃，作业时间40s。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层的去除方法，其特征在于，晶圆背面钛去除的具体步骤为：将晶圆放入配置好的低浓度氢氟酸中浸泡，去除晶圆背面的钛金属；低浓度氢氟酸溶液的...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔宁平，董俊，杨凤，
申请(专利权)人：四川广义微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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